Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "electrothermal heating" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Evaluation of energy saving possibilities in cyclic fixed-bedadsorption process
Autorzy:
Kowalski, Krzysztof
Gabruś, Elżbieta
Downarowicz, Dorota
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/184909.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
supersorbon K40
activated carbon
electrothermal heating
regeneration
węgiel aktywowany
ogrzewanie elektrotermiczne
regeneracja
Opis:
The cyclic Electrothermal Temperature Swing Adsorption (ETSA) process in a fixed-bed column withSupersorbon K40 activated carbon (AC) was applied to remove propan-2-ol (IPA) from air. The bedwas electrothermally regenerated using direct resistive heating method. The tests were performed inthe range of operating parameters: IPA loading 0.18-0.26 kg/kg, voltage 19.5 V, set-point temperature393–403 K, nitrogen flow rate 0.12 m3/h.The analysis revealed, that raising the bed temperature resulted in an increase of desorption degree ofadsorbate, reduction of regeneration time and an increase in the energy consumption. The applicationof insulation enabled reduction of energy consumption and regeneration time by 27% and 10%,respectively.
Źródło:
Chemical and Process Engineering; 2020, 41, 3; 209--219
0208-6425
2300-1925
Pojawia się w:
Chemical and Process Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling the influence of self-heating on characteristics of IGBTs in the sub-threshold region
Autorzy:
Górecki, K.
Górecki, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397748.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
IGBT
electrothermal model
self-heating
SPICE
model elektrotermiczny
samonagrzewanie
Opis:
The paper refers to modelling characteristics of IGBT in SPICE software with self-heating taken into account. The form of the electrothermal model of the considered transistor and equations describing this model are proposed. The correctness of the proposed model is verified experimentally during the operation of the examined transistor at different cooling conditions. Particular attention is paid to the non-typical course of characteristics of the considered device at weak excitation. The shape of the obtained characteristics is discussed and the influence of the sub-threshold effect in the input MOS structure on these characteristics is analysed.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 149-154
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies