Temat: electron traps - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electron traps in long-chain alkanes
Autorzy:: Pietrow, M.
Wawryszczuk, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/146299.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:: PALS
positron annihilation
electron traps
quenching by light
Opis:: Positron lifetime spectra in long-chain alkanes were measured at various wavelengths of light illuminating the samples as a function of temperature, storage time. It was found that in n-alkanes with carbon chain longer than 30 atoms two kinds of electron traps exist; the depth of shallower of them is less than 0.52 eV. They are discharged already at a temperature of 120 K.
Źródło:: Nukleonika; 2010, 55, 1; 51-55
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:: Nukleonika
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal, Michał
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192026.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: defekty punktowe
głębokie pułapki
DLTS
napromieniowanie elektronami
SiC
point defects
deep traps
electron irradiation
Opis:: W celu identyfikacji konfiguracji atomowej radiacyjnych centrów defektowych próbki warstw epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowano elektronami o energii 1,5 MeV. Energię aktywacji termicznej oraz pozorny przekrój czynny na wychwyt nośników ładunku centrów defektowych wyznaczano za pomocą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS. Określono wpływ temperatury warstwy epitaksjalnej podczas napromieniowania dawką 1 x 10¹⁷ cm-2 na koncentrację powstałych pułapek. Na tej podstawie zaproponowano modele opisujące ich konfigurację atomową.
In order to identify the atomic configuration of radiation defect centers the samples of 4H-SiC epitaxial layers were irradiated with 1.5 MeV electrons. The thermal activation energy and the apparent capture cross-section of the charge carriers of the defect centers were determined using deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of the temperature of the epitaxial layer during its irradiation with the electron dose of 1 x 10¹⁷ cm-2 on the concentration of generated traps was determined. On this basis, the models of their atomic configuration were proposed.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 3-9
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "electron traps" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język