Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "electrical characterization" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping
    Autorzy:
    Głuszko, G.
    Szostak, S.
    Gottlob, H.
    Lemme, M.
    Łukasiak, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308671.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    charge-pumping
    electrical characterization
    interface traps
    SOI MOSFET
    Opis:
    This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 67-72
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A Novel Identification Method of Thermal Resistances of Thermoelectric Modules Combining Electrical Characterization Under Constant Temperature and Heat Flow Conditions
    Autorzy:
    Siouane, S.
    Jovanović, S.
    Poure, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/136156.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    EEEIC International Barbara Leonowicz Szabłowska
    Tematy:
    Thermoelectric Module (TEM)
    thermal resistance
    contact thermal resistance
    electrical characterization
    identification
    electrical models
    Opis:
    The efficiency of a Thermoelectric Module (TEM) is not only influenced by the material properties, but also by the heat losses due to the internal and contact thermal resistances. In the literature, the material properties are mostly discussed, mainly to increase the well-known thermoelectric figure of merit ZT. Nevertheless, when a TEM is considered, the separate characterization of the materials of the p and n elements is not enough to have a suitable TEM electrical model and evaluate more precisely its efficiency. Only a few recent papers deal with thermal resistances and their influence on the TEM efficiency; mostly, the minimization of these resistances is recommended, without giving a way to determine their values. The aim of the present paper is to identify the internal and contact thermal resistances of a TEM by electrical characterization. Depending on the applications, the TEM can be used either under constant temperature gradient or constant heat flow conditions. The proposed identification approach is based on the theoretical electrical modeling of the TEM, in both conditions. It is simple to implement, because it is based only on open circuit test conditions. A single electrical measurement under both conditions (constant-temperature and constant-heat) is needed. Based on the theoretical electrical models, one can identify the internal and thermal resistances.
    Źródło:
    Transactions on Environment and Electrical Engineering; 2016, 1, 4; 44-49
    2450-5730
    Pojawia się w:
    Transactions on Environment and Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
    Autorzy:
    Głuszko, G.
    Łukasiak, L.
    Kilchytska, V.
    Chung, T. M.
    Olbrechts, B.
    Flandrie, D.
    Raskin, J. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308669.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    charge-pumping
    electrical characterization
    interface traps
    SOI
    water bonding
    Si layer transfer
    Opis:
    The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 61-66
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Bipolar transport of charge carriers in thin films of 9,10-dimethylanthracene and 1-acenaphthenol
    Transport bipolarny w cienkich warstwach 9,10-dimetyloantracenu i 1-acenaftolu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Marciniak, B.
    Różycka-Sokołowska, E
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296654.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    1-acenaphthenol
    9,10-dimethylanthracene
    conductivity
    electrical characterization
    1-acenaftol
    9,10-dimetyloantracen
    przewodnictwo
    charakterystyka elektryczna
    Opis:
    The current-voltage (I-U) characteristics we have been measured for thin films of 1-acenaphthenol and 9,10-dimethylanthracene prepared from their commercially available materials as products with purity ≥ 10-3 mass %. Using the method of differential processing of the characteristics, charge transport mechanism in these films was assessed.
    Stosując kryteria dyskryminujące zasięg występowania mechanizmów przewodzenia można postawić hipotezę, że prądy płynące przez warstwy 9,10 dimetyloantracenu są bipolarne, zaś w przypadku 1-acenaftolu prądy mogą być monopolarne lub bipolarne. Wysokie wartości ruchliwości dla obu materiałów wskazują na ich duży potencjał do potrzeb elektroniki organicznej. Bipolarność prądów płynących przez 9,10 dimetyloantracen w połączeniu ze stabilnością chemiczną i mechaniczną uzyskiwanych z niego warstw pozwala traktować ten materiał jako wysoce przydatny dla potrzeb optoelektroniki.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2014, 35; 33-39
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Some electrical properties of thin layers of 9,10-dimethylanthracene and 1-acenaphthenol
    Pewne własności elektryczne cienkich warstw 9,10-dimetyloantracenu i 1-acenaftolu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Marciniak, B.
    Różycka-Sokołowska, E
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296524.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    1-acenaphthenol
    9,10-dimethylanthracene
    conductivity
    electrical characterization
    1-acenaftol
    9,10-dimetyloantracen
    przewodnictwo
    charakteryzacja elektryczna
    Opis:
    Spectral grade materials obtained in zone-melting process from commercially available 1-acenaphthenol and 9,10-dimethyl-anthracene were characterized electrically. The layers vaporized in 10-5 Torr vacuum posses high resistivity of the order of 1011 - 1012 Ωm and the concentration of traps lower than 1015cm-3.
    Zbadano własności elektryczne materiałów o czystości spektralnej uzyskanych metodą dodatkowego oczyszczania strefowego komercyjnie dostępnych 1-acenaftolu i 9,10-dimetyloantracenu. Warstwy wymienionych związków, naparowywane w próżni 10-5 Tr, wykazywały wysoką oporność właściwą w granicach 1011 - 10 12 Ωm i charakteryzowały się bardzo niską zawartością pułapek rzędu 1011 - 10 14 cm-3. Wyniki świadczą o stabilności molekuł badanych materiałów w warunkach naparowywania termicznego w próżni 10-5 Tr oraz o ich zdolności do łatwej nukleacji na złotych elektrodach. Warstwy wykazują stabilność rezystancji aż do wartości pola polaryzacji 2 · 107 V/m.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2013, 34; 35-42
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spline interpolation for trap spectroscopy analysis for two cyclic hydrocarbons
    Interpolacja z użyciem splajnów w zastosowaniu do spektroskopii pułapek dla analizy dwu cyklicznych węglowodorów
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296605.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    1-acenaphthenol
    9,10-dimethylanthracene
    conductivity
    electrical characterization
    trap spectroscopy
    cubic spline
    1-acenaftol
    9,10-dimetyloantracen
    przewodnictwo
    charakterystyka elektryczna
    spektroskopia pułapkowa
    funkcje sklejane
    Opis:
    Cubic spline interpolation gives a tool for obtaining good image of current-voltage characteristics for trap spectroscopy analysis without prior assumption about the trap distribution for 1-acenaphthenol and 9,10-dimethylanthracene.
    Interpolacja z wykorzystaniem splinów sześciennych daje dobre narzędzie dla uzyskiwania dobrych obrazów charakterystyk prądowo-napięciowych dla celów spektroskopii pułapkowej prowadzonej bez uprzedniego założenia o rozkładzie pułapek dla 1-acenaftenolu i 9,10-dimetyloantracenu.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2015, 36; 27-38
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Elimination of the impact of RC constant on transient photocurrents measured in organic layers
    Eliminacja wpływu stałej RC w pomiarach fotoprądów przejściowych warstw organicznych
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296553.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    organic electronics
    circuit time constant
    carrier mobility
    drift transport
    1,5-dihydroxynaphthalene
    TOF measurements
    electrical characterization
    SCLC
    space charge limited currents
    elektronika organiczna
    stała czasowa obwodu
    ruchliwość nośników ładunku
    transport dryftowy
    1,5-dihydroksynaftalen
    pomiary TOF
    charakterystyka elektryczna
    prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym
    Opis:
    We present a calculation method for elimination of the effect of the RC constant of the measuring circuit in the time-of-flight (TOF) measurements where a pulse generation of the photocurrent in a thin layer of low-molecular organic material is exploited. Presented method allows to eliminate the influence of the component of displacement current related to dielectric losses and obtaining the actual conduction current time dependence. The method was tested on the thin layers of 1,5-dihydroxynaphthalene.
    Zastosowanie metody eliminacji wpływu stałej RC obwodu pomiarowego do analizy wyników pomiaru fotoprądów przejściowych płynących w cienkiej warstwie niskocząsteczkowego materiału organicznego umożliwia eliminację wpływu składowej prądu przesunięcia związanej ze stratami dielektrycznymi i uzyskanie rzeczywistego przebiegu prądu przewodzenia w funkcji czasu. Pozwala to na wyznaczenie prawidłowej wartości czasu charakterystycznego nawet dla cieńszych warstw, dla których daje się zrealizować pomiar charakterystyki stałoprądowej U-I w zakresie prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym. Otwiera to możliwość pełnej charakteryzacji własności elektrycznych badanego materiału organicznego przy użyciu jednej komórki pomiarowej. Możliwość numerycznego przedstawienia przebiegu przejściowego fotoprądu powinna pozwolić na badanie własności materiału metodą TOF dla uzyskania rozkładu pułapek.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2016, 37; 65-73
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical characterization of ISFETs
    Autorzy:
    Tomaszewski, D.
    Yang, C. M.
    Jaroszewicz, B.
    Zaborowski, M.
    Grabiec, P.
    Pijanowska, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308663.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    ISFET
    CMOS
    electrical measurements
    I-V characteristics
    characterization
    parameters extraction
    Opis:
    Methodology of electrical characterization of ISFETs has been described. It is based on a three-stage approach. First, electrical measurements of ISFET-like MOSFETs and extraction of basic parameters of the MOSFET compact model are performed. Next, mapping of the ISFET channel conductances and a number of other characteristic parameters is carried out using a semi-automatic testing setup. Finally, ISFET sensitivity to solution pH is evaluated. The methodology is applied to characterize ISFETs fabricated in the Institute of Electron Technology (IET).
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 55-60
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies