Temat: double approximation - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wykorzystanie programowalnego generatora arbitralnego 33120A do kalibracji mierników zniekształceń nieliniowych
Use of a programmable arbitrary generator 33120A to calibration nonlinear distortion meter
Autorzy:: Główczewski, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/208613.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:: generator arbitralny 33120A
zniekształcenia nieliniowe
programowanie
podwójna aproksymacja
arbitrary waveform generator 33120A
non-linear distortion
programming
double approximation
Opis:: W referacie przedstawiono nowe spojrzenie na bezpośrednią kalibrację mierników zniekształceń nieliniowych za pomocą programowalnego generatora arbitralnego 33120A. Generator ten w układzie wraz ze sterownikiem z wbudowaną kartą pomiarową oraz zaimplementowanym w sterowniku programie hGenerator napisanym w środowisku C - staje się generatorem sygnałów - kalibratorem o wzorcowej ustawialnej wartości współczynnika zniekształceń nieliniowych.
The paper presents a new perspective on direct calibration of non-linear distortion meter using a programmable arbitrary waveform generator 33120A. This generator, along with the controller with built-in measurement card, and implemented software hGenerator written in C development environment becomes a signal generator - a calibrator of the adjustable coefficient of nonlinear distortion.
Źródło:: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2012, 61, 2; 103-114
1234-5865
Pojawia się w:: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wavelet approximation of Adomian’s decomposition applied to the nonlinear problem of a double-beam response subject to a series of moving loads
Autorzy:: Koziol, P
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/279493.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:: infinite double-beam
nonlinear problem
Adomian’s decomposition
coiflet approximation
moving load
Opis:: The dynamic response of a double-beam resting on a nonlinear viscoelastic foundation and subjected to a finite series of moving loads is analysed. The beams are connected by a viscoelastic layer and the load moving along the upper beam represents motion of a train on the rail track. The mathematical model is described by a coupled system of fourth order partial differential equations with homogeneous boundary conditions. The nonlinearity is included in the foundation stiffness of medium supporting a lower beam. The coiflet based approximation combined with Adomian’s decomposition is adopted for the displacements derivation. The developed approach allows one to overcome difficulties related to direct calculation of Fourier integrals as well as the small parameter method. The conditions for correctness of the approximate solution are defined. The influence of some factors on the system sensitivity is discussed, with special focus on the distance between the separated loads. Numerical examples are presented for a certain system of physical parameters.
Źródło:: Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 2014, 52, 3; 687-697
1429-2955
Pojawia się w:: Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Double Diffusive MHD Flow of a Chemically Reacting Alumina Nanofluid Past a Semi-infinite Flat Plate
Autorzy:: Ngiangia, A. T.
Nwabuzor, P. O.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1075700.pdf
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:: Alumina nanofluid
Boussinesq’s approximation
Buckinham - theorem
Double diffusivity
Flate Plate
Laplace transform method
Magnetohydrodynamics
Opis:: An analytical Study of double diffusive MHD flow of a chemically reacting alumina nanofluid past an infinite flat plate is made. Laplace transform method is employed to determine the solution of the governing equation and its analysis showed that increase in both Reynolds number and Prandtl number bring about an increase in the rate of heat transfer coefficient. Skin friction is shown to reduce as the Reynolds number increases. Increase in Reynolds number and Schmidt number, increases the mass transfer coefficient of alumina nanofluid. Generally, comparison is made with other work and an appreciable trend is observed.
Źródło:: World Scientific News; 2019, 119; 168-180
2392-2192
Pojawia się w:: World Scientific News
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Area equivalent WKB Compact modeling approach for tunneling probability in Hetero-Junction TFETs including ambipolar behaviour
Autorzy:: Horst, Fabian
Farokhnejad, Atieh
Darbandy, Ghader
Iñíguez, Benjamín
Kloes, Alexander
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397787.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: TFET
tunneling probability
WKB approximation
heterojunction
compact modeling
closed-form
double-gate
DG
ambipolarity
modelowanie kompaktowe
dwubiegunowość
Opis:: This paper introduces an innovative modeling approach for calculating the band-to-band (B2B) tunneling probability in tunnel-field effect transistors (TFETs). The field of application is the usage in TFET compact models. Looking at a tunneling process in TFETs, carriers try to tunnel through an energy barrier which is defined by the device band diagram. The tunneling energy barrier is approximated by an approach which assumes an area equivalent (AE) triangular shaped energy profile. The simplified energy triangle is suitable to be used in the Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation. Referring to the area instead of the electric field at individual points is shown to be a more robust approach in terms of numerical stability. The derived AE approach is implemented in an existing compact model for double-gate (DG) TFETs. In order to verify and show the numerical stability of this approach, modeling results are compared to TCAD Sentaurus simulation data for various sets of device parameters, whereby the simulations include both ON- and AMBIPOLAR-state of the TFET. In addition to the various device dimensions, the source material is also changed to demonstrate the feasibility of simulating hetero-junctions. Comparing the modeling approach with TCAD data shows a good match. Apart the limitations demonstrated and discussed in this paper, the main advantage of the AE approach is the simplicity and a better fit to TCAD data in comparison to the quasi-2D WKB approach.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 2; 47-59
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "double approximation" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język