Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "diode" wg kryterium: Temat


Tytuł:
A diode-pumped high-repetition-frequency passively Q-switched Nd:LaMgAl11O19 laser
Autorzy:
Xu, Yan
Gao, Ziye
Xia, Guangqiong
Wu, Zhengmao
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1835801.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
Nd:LaMgAl11O19 disordered crystal
Q-switched laser
high pulse repetition frequency
PRF
semiconductor saturable absorber mirror
SESAM
laser diode
LD
Opis:
High-repetition-frequency Q-switched laser is realized through adopting a Nd:LaMgAl11O19 (Nd:LMA) disordered crystal as the gain material, a laser diode lasing at 796 nm as the pumped source, and a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) as the Q-switched device. The out-put characteristics are analyzed under using different transmittance T plane mirrors as an output coupler. Without adopting SESAM, the laser is operating at a CW state, and a relatively high transmittance is helpful for achieving high output power, slope efficiency and light-to-light efficiency. ForT = 7.5% and an absorbed power of 6.17 W, the output power arrives at its maximum of 1160 mW,and the corresponding slope efficiency and light-to-light efficiency are 20.71% and 18.78%, respectively. After introducing SESAM into the cavity, the laser operates at a passively Q-switched state, and the largest slope efficiency is 13.14% under T = 5.0%. Adopting five different output couplers, with the increase of the absorbed power, the pulse repetition frequencies, the pulse energies and the peak powers will ascend while the pulse widths will decline. The observed narrowest pulse width, the maximum pulse repetition frequency, the highest pulse energy and peak power are 1.745 μs, 175.88 kHz, 3.21 μJ and 1.84 W, respectively.
Źródło:
Optica Applicata; 2020, 50, 3; 415-423
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Study of Susceptibility and Evaluation of Causes of Cracks Formation in Braze-Weld Filler Metal in Lap Joints Aluminum – Carbon Steel Made with Use of CMT Method and High Power Diode Laser
Autorzy:
Adamiak, M.
Wyględacz, B.
Czupryński, A.
Górka, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/958197.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
braze-welding
intermetallic compound phase
high power diode laser
brazing
Opis:
In this article results of studies on cracks formation susceptibility in braze-welded joints of thin aluminum sheets and double-sided zinc galvanized steel sheets for car body parts made by laser brazing with high power diode laser ROFIN DL 020 and CMT MIG-brazing, with filler material in form of powder and wire accordingly, were presented. Optimal welding parameters were determined by visual acceptance criteria. On joints made with optimal parameters further examinations were carried. Results of macro- and microscopic metallographic examinations, structural roentgenography, EDS microanalysis and hardness tests were presented. Causes of brittle intermetallic Fe-Al phases formation in Al-matrix filler metal in dissimilar aluminum – zinc plated carbon steel joints were pointed.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 4; 2113-2123
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A study on power losses of the 50 kVA SiC converter including reverse conduction phenomenon
Autorzy:
Rąbkowski, J.
Płatek, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201547.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
power losses
three-phase converter
MOSFET
Schottky diode
reverse conduction
straty mocy
konwerter trójfazowy
dioda Schottky'ego
odwrotne przewodzenie ciepła
Opis:
This paper deals with performance of the 50 kVA three-phase converter built with switches based on SiC MOSFET and anti-parallel Schottky diodes. In contrast to popular IGBT converters, a negative switch current is capable of flowing through the reverse conducting transistor, which results in different distribution of power losses among the devices. Thus, equations describing the conduction power losses of the transistor and diode are improved and verified by means of circuit simulations in Saber. Moreover, a comparison of power losses calculated with the use of standard and new equations is also shown. Total power losses in three SiC MOSFET modules of a 50 kVA converter operating at 20 kHz are up to 30% lower when reverse conduction is taken into account. This shows the importance of the discussed problem and proves that much better accuracy in the estimation of power losses and junction temperatures of SiC devices may be obtained with the proposed approach.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 4; 907-914
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ACdTe X-ray imaging device using vertical thin film field emitter array
Autorzy:
Tsunekawa, Y.
Nakagawa, N.
Neo, Y.
Morii, H.
Aokia, T.
Mimura, H.
Nagao, M.
Yoshidab, T.
Kanemaru, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/385284.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
Vertical Thin Film Field Emitter Array
Schottky CdTe diode
ion induced bending
etch-back method
Opis:
We have demonstrated the novel CdTe X-ray imaging device that consists of a Schottky CdTe diode and a Vertical Thin Film Field Emitter Array (VTF-FEA). The Schottky CdTe diode was fabricated by deposied indium (In) thin film on a Cl-doped p-type (p-type) CdTe substrate and Sb2S3 on the opposite side of the CdTe substrate. VTF-FEA was fabricated by ion induced bending (IIB) and etch-back method. The signal current was successfully detected by the recombination of the stored on the surface holes with the emitted electrons from FEA, and it was clarified that it depended on the X-ray intensity. And the imaging device succeeded in obtaining the Cu plate transmission image.
Źródło:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 137-139
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Adaptacyjny układ sterowania LED-ów i diod laserowych
An adaptive control system of lEDs and laser diodes
Autorzy:
Gilewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158747.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
sterownik LED
zasilanie diody laserowej
FPGA
LED driver
laser diode supply
FPGAs
Opis:
W artykule przedstawiono koncepcję architektury wielokanałowego układu sterującego zestawem LED-ów i diod laserowych. Zawarto w niej schemat ogólny całego systemu oraz schematy szczegółowe modułów składowych. Są to opracowania własne autora oraz implementacje istniejących sterowników. W szczególności jest to rozwinięcie koncepcji zaproponowanej w projekcie MniSzWiN N518 284340. W niniejszej pracy scharakteryzowano również warunki temperaturowe oraz możliwość współpracy z mikrokomputerem. Sposób sterowania systemu przedstawiono w odrębnej publikacji "Algorytmy sterujące stałoprądowym zasilaniem LED-ów i diod laserowych".
The paper describes the multichannel control system of a set of laser diodes and LEDs. It includes a diagram of the system and component drawings. They are their own solutions and modifications to existing drivers. Also developed the concept of the grant No. MniSzWiN N518 284340. Thermal conditions are also discussed, and the ability to connect a computer. System control method can be found in the "DC power control algorithms of leds and laser diodes" publication.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 260; 121-128
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza laserowych źródeł promieniowania do wykonywania pomiarów odległości pod wodą
The analyse of laser sources for underwater distance measurement
Autorzy:
Cywiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/366558.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Medycyny i Techniki Hiperbarycznej
Tematy:
laser
dalmierz
dioda laserowa
obiekt podwodny
równanie zasięgu
współczynnik ekstynkcji wody
rangefinder
laser diode
underwater object
range equation
beam attenuation coefficient
Opis:
W artykule zawarto syntetyczne zależności pozwalające oszacować wartości mocy sygnału tła oraz echa dla dalmierzy laserowych działających pod wodą. Przedstawiono skrótowo wnioski wynikające z badań dalmierza Nd:YAG do badań pod wodą. Zaprezentowano przykładowe dane półprzewodnikowych diod laserowych jako alternatywnych do tego typu zastosowań. Część końcowa to wyniki symulacji zasięgu działania diod laserowych. Artykuł zamykają wnioski będące wynikiem symulacji i spostrzeżeń wynikających z praktycznych zastosowań różnych laserów do badań pod wodą.
In the following article the synthetic relations allowing to estimate the power values of background signal and echo signal for underwater laser rangefinders has been presented. Conclusions follow from underwater researches of laser rangefinder Nd:YAG has been briefly presented. Example data of laser LEDs as an alternative source for such a purposes has been also presented. At the end of article the results of computation of laser’s LEDs operation range has been presented. The article is finished with conclusions followed from simulations and observations based on practical application of various lasers to underwater researches.
Źródło:
Polish Hyperbaric Research; 2011, 1(34); 55-66
1734-7009
2084-0535
Pojawia się w:
Polish Hyperbaric Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of electrooptic modulators for divergent light beam
Zastosowanie modulatorów elektrooptycznych do rozbieżnych wiązek światła
Autorzy:
Izdebski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296520.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
elektrooptyczny modulator
dioda laserowa
rozbieżna wiązka światła
electrooptic modulator
diode lasers
divergent light beam
Opis:
Analysis of electrooptic modulators of the light strength working with divergent light beam is performed numerically employing the Jones matrices method. The approach allows to consider small inaccuracies in cutting and alignment of electrooptic crystal and the divergence of entering light beam. The results show that the divergence typical for gas lasers should not affect significantly the work of electrooptic modulators even for large electrooptic crystals, while diode lasers may be used with modulators only in the form of precise modules equipped with colimation optics.
Przeprowadzono numeryczną analizę elektrooptycznych modulatorów natężenia światła pracujących z rozbieżną wiązka światła przy wykorzystaniu rachunku macierzy Jonesa. Zastosowany model dopuszcza małe niedokładności wycięcia i orientacji kryształu elektrooptycznego, które mogą być uwzględnione razem z rozbieżnością padającej wiązki światła. Wyniki obliczeń pokazują, że rozbieżność wiązek światła wytwarzanych przez typowe lasery gazowe nie powinna znacząco wpływać na pracę elektrooptycznych modulatorów, nawet wtedy gdy stosowane są duże kryształy o rozmiarach rzędu kilkudziesięciu centymetrów. Diody laserowe nadają się jednak do użycia z modulatorami tylko w postaci precyzyjnych modułów zawierających optykę formującą równoległą wiązkę światła.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 35-46
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of laser diodes and photodetectors on multiple-quantum wells at the hot-metal pyrometry
Autorzy:
Sen'kov, A. G.
Firago, V. A.
Kononenko, V. K.
Christol, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153735.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
pyrometry
spectroreflectometry
near-infrared range
photodetector
laser diode
methodical error
pirometria
spektroreflektometria
zakres bliskiej podczerwieni
fotodetektor
dioda laserowa
pomyłka metodyczna
Opis:
In the paper, the method of relative spectroreflectometry at using the infrared photodetectors with a wide diapason of the spectral photosensitivity is suggested. Methodical errors at exponential and power dependencies of the emissivity of an object on the wavelength are analysed. Possible design of a pyrometer for measurements of temperature of hot metals is described and attractiveness of quantum-well laser diodes and superlattice photodetectors based on the GaSb compounds is discussed.
W pracy zaproponowano metodę spektrofotometrii porównawczej z wykorzystaniem fotodetektorów podczerwieni o szerokim zakresie czułości spektralnej. Określono błędy systematyczne związane z wykładniczą i kątową zależnością od długości fali i współczynnika emisyjności obiektów. Przedstawiono jedną z możliwych konstrukcji pirometru do pomiaru rozgrzanych metali. Dyskutuje się również możliwość zastosowania diod laserowych o rozmiarach kwantowych oraz fotodetektorów zbudowanych w oparciu o złącza GaSb.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 597-600
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of the Averaged Model of the Diode-transistor Switch for Modelling Characteristics of a Boost Converter with an IGBT
Autorzy:
Górecki, Paweł
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226814.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
DC-DC converter
IGBT
boost converter
averaged model
diode-transistor switch
modelling
SPICE
Opis:
DC-DC converters are popular switch-mode electronic circuits used in power supply systems of many electronic devices. Designing such converters requires reliable computation methods and models of components contained in these converters, allowing for accurate and fast computations of their characteristics. In the paper, a new averaged model of a diode-transistor switch containing an IGBT is proposed. The form of the developed model is presented. Its accuracy is verified by comparing the computed characteristics of the boost converter with the characteristics computed in SPICE using a transient analysis and literature models of a diode and an IGBT. The obtained results of computations proved the usefulness of the proposed model.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2020, 66, 3; 555-560
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Nakielska, M.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Romaniec, M.
Malag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192203.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
heterostruktura
badania starzeniowe
niezawodność diody laserowej
laser diode
heterostructure
burn-in tests
degradation
Opis:
Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.
The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 3-13
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania interferencyjnego etalonu do stabilizacji długości fali diody laserowej
Experimental analysis of interference etalon for laser diode laser wavelength stabilization
Autorzy:
Żaba, M.
Dobosz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208345.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
etalon interferencyjny
dioda laserowa
różnica dróg optycznych
stabilizacja długości fali
interferometrical etalon
laser diode
optical path difference
wavelength stabilization
Opis:
W artykule przedstawione zostały metoda pomiarowa i wyniki badań interferencyjnego etalonu, przeznaczonego do stabilizacji częstotliwości fali światła emitowanego przez diodę laserową. Etalon stanowił stabilizowany termicznie klin optyczny. W badaniach jako wzorzec częstotliwości wykorzystano stabilizowany częstotliwościowo laser He-Ne. W trakcie przeprowadzonych doświadczeń obserwowana była niestabilność fazy prążków powstałych w etalonie przy zmiennej temperaturze otoczenia. Uzyskano względną termiczną zmianę różnicy dróg optycznych etalonu na poziomie 2⋅10⁻⁸/°C zmiany temperatury otoczenia.
Measuring method and experimental results of the interference etalon designed for the purpose of laser diode frequency stabilization is presented. Thermally stabilized optical wedge acts as the etalon. He-Ne wavelength stabilized laser has been used as the frequency reference. During experiments instability of the interferometer fringe phase generated by the etalon has been observed when the ambient temperature was changed. The obtained relative thermal change of the optical path difference of the etalon is equal to 2⋅10⁻⁸/°C of the ambient temperature change.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 327-338
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania możliwości kształtowania stopu Hastelloy C-276 metodą zgniatania obrotowego rzutowego
Investigation of the possibility of shear forming of Hastelloy C-276 material
Autorzy:
Drenger, T.
Frąckowiak, S.
Gądek, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/211622.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Obróbki Plastycznej
Tematy:
zgniatanie obrotowe
stop niklu
laser diodowy
flow forming
nickel alloy
diode laser
Opis:
W artykule zamieszczono informacje na temat kształtowania materiału Hastelloy C-276, metodą zgniatania obrotowego rzutowego. Opisano przebieg badań przeprowadzonych w Instytucie Obróbki Plastycznej. KrąSki o średnicy 200 mm kształtowano na trzech wzornikach, celem uzyskania wyrobu o połowie kąta rozwarcia stoSka równym 30o. Badania prowadzono z zastosowaniem międzyoperacyjnej obróbki cieplnej. Dodatkowo przeprowadzono badania moSliwości kształtowania materiału, z pominięciem jednej lub dwóch operacji, mających na celu optymalizację kształtowania metodą zgniatania obrotowego rzutowego. W artykule zamieszczono wyniki badań, mających na celu doskonalenie metod kształtowania obrotowego.
The paper contains information on shaping Hastelloy C-276 material by the method of shear forming. Investigation performed by the Metal Forming Institute has been described. Disks with the diameter of ? 200 mm have been formed on three templets in order to obtain a product with half angle of cone equal to 30o. The investigation has been performed with heat treatment between operations. Additionally, tests of forming the material with the omission of one or two operations intended to optimize shaping by the method of shear forming.
Źródło:
Obróbka Plastyczna Metali; 2012, 23, 1; 13-26
0867-2628
Pojawia się w:
Obróbka Plastyczna Metali
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania przebiegu quasi-stałego napięcia elektrycznego w funkcji czasu wprocedurze wzorcowania źródła opartego na diodach Zenera
Testing of voltage versus time function in the procedure of the Zener diode-based standard calibration
Autorzy:
Sochocka, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/151687.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
quasi-stałe napięcie elektryczne
wzorcowanie źródła
diody Zenera
voltage versus time
procedure of the zener diode-based
Opis:
W pracy opisano wielkości charakteryzujące przebieg napięcia elektrycznego w funkcji czasu źródeł wykorzystujących diody Zenera oraz sposób wyznaczania tych wielkości. Przeprowadzona analiza pozwala na wybór kryterium i metody szacowania niepewności metodą statystyczną w procedurze wzorcowania źródeł z diodami Zenera. Charakteryzują się one rozkładem napięcia w funkcji czasu pomiaru wskazującym na istnienie szumu typu 1/f o niskiej częstotliwości. Do analizy przebiegu napięcia wykorzystano odchylenie standardowe wartości średniej dla różnej liczby pomiarów i odchylenie Allana dla różnych przedziałów czasu próbkowania. Wyznaczono również rozkłady średnich wartości napięć w róznych przedziałach próbkowania w funkcji czasu pomiaru.
The paper includes the quantities characterising the voltage versus time function of the Zener diode-based standard as well as the methods of calculation these quantities. An analysis presented in the paper enables to choose of the method of the estimation of uncertainty by statistical way. Zener diode-based standard is characterised by the measured voltage vs. time function indicating the existence of the low frequency noise type 1/f. The Allan deviation was used as the best quantity for uncertainty estimate of Zener standards.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2002, R. 48, nr 7/8, 7/8; 97-100
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania stabilności termicznej interferencyjnego etalonu do stabilizacji częstotliwości diody laserowej
Studies of thermal stability of the interference etalon used for laser diode wavelength stabilization
Autorzy:
Dobosz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155371.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
etalon interferencyjny
dioda laserowa
różnica dróg optycznych
stabilizacja długości fali
interferometric etalon
laser diode
optical path difference
wavelength stabilization
Opis:
Przedstawiono metodę pomiarową i wyniki badań nowego interferencyjnego etalonu, przeznaczonego do stabilizacji częstotliwości fali światła emitowanego przez diodę laserową. Etalon stanowi stabilizowany termicznie klin optyczny. Testowano stabilność różnicy dróg optycznych etalonu przy stałej i zmiennej temperaturze otoczenia. Jako wzorzec częstotliwości wykorzystano stabilizowany częstotliwościowo laser HeNe. Zaprezentowano metodykę badań, sposób przeprowadzenia eksperymentu oraz analizę i interpretację otrzymanych wyników.
Experimental tests of the interference etalon designed for laser diode frequency stabilization are presented. A thermally stabilized optical wedge acts as the etalon. A special type of the etalon glass and applied thermal stabilization of the wedge should ensure the constant value of the etalon optical path difference (OPD) during changes of the ambient temperature. The aim of the presented study was to determine the change of the etalon temperature and its OPD as a function of the ambient temperature changes. At the beginning, measurements of the ambient temperature influence on the temperature indicated by a thermistor that controls the etalon temperature were taken. The experiments were carried out in a thermal chamber. The chamber temperature was changed by 12°C. The obtained thermal stabilization of the etalon thermistor can be characterized by the coefficient of the relative ambient temperature impact equal to about 1.6x10-5/K. A He-Ne wavelength stabilized laser was used as the frequency reference for testing the OPD stability during changes of the ambient temperature. Instability of the interferometer fringe phase generated by the etalon was observed. The obtained relative thermal change of the etalon OPD is equal to 5x10-9/°C of the ambient temperature change. Basing on the obtained coefficient and knowing the ambient temperature it is possible to apply numeric compensation of the laser wavelength. The obtained results are very satisfactory considering the simplicity of the system.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 1, 1; 22-23
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
Investigation of solder-induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192281.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
heterostruktura
montaż DL
In
eutektyk AuSn
laser diode
heterostructure
LD mounting
indium
eutectic AuSn
Opis:
Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 13-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies