Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "dioda" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 51
Tytuł:
Frequency modulation approach based on split-ring resonator loaded by varactor diode
Zasada modulacji częstotliwościowej na bazie rezonatora z dzielonym pierścieniem obciążonego diodą pojemnościową
Autorzy:
Vovchuk, Dmytro
Haliuk, Serhii
Robulets, Pavlo
Politanskyi, Leonid
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1841329.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
frequency modulation
varactor diode
split-ring resonator
frequency range
frequency deviation
modulacja częstotliwości
dioda pojemnościowa
rezonator z dzielonympierścieniem
zakres częstotliwości
odchylenie częstotliwości
Opis:
In the paper,anapproach tofrequency modulation is presented using a split-ring resonator (SRR) loaded by a varactor diode. The modulation occurs due to the continuous time variation of capacitance of the varactor diode via changing of its bias voltage by the signal which is necessaryto modulate. The modulation signal is used for bias voltage. As a source of a carrier signal,one more extra magnetic loop antenna is utilized whichis coupled withtheSRR via near-field interaction. Investigation of two types of signals (harmonic and chaotic) was performed for modulation in the paper. It is shownthatitis possibileto provide the frequency modulation with deviation Δfd= ±80MHz which covers the frequency range 0.95...1.11GHzfor a 1GHz carrier signal whena SMV1231varactor diode is used. The major advantages of the suggested approach are the very simple designand abilityto easily define the required values of frequency deviation through tuning of the bias voltage magnitude range of the varactor diode. Therefore, the presented investigation and results can be useful in themanufacturing of low-cost radio components.
W pracy zaproponowano zasadę modulacji częstotliwości z wykorzystaniem rezonatora z dzielonym pierścieniem (SRR) obciążonego diodą pojemnościową.Proces modulacji zachodzi poprzez ciągłą zmianę pojemności diody pojemnościowej, która z kolei następujepoprzez zmianę napięcia polaryzacji. Sygnał modulujący służy jako napięcie polaryzacji.Źródłem sygnału nośnego jest dodatkowa antena magnetyczna, która oddziałuje poprzez bliskie pole magnetyczne z SRR. W pracy przeprowadzono badaniaw których jako sygnał modulującyzostały wykorzystane dwa rodzaje sygnałów: harmoniczny i deterministyczny chaotyczny.Wykazano, że przy zastosowaniu diody pojemnościowej SMV1231 i częstotliwości sygnału nośnego 1 GHz możliwe jest zapewnienie modulacji częstotliwości z odchyleniem Δfd= ±80MHzw paśmie częstotliwości 0,95... 1,11 GHz.Zaletami proponowanej metody modulacji są bardzo prosta konstrukcja i możliwość łatwego ustawienia żądanej wartości odchylenia częstotliwości poprzez dostosowanie zakresu wartości napięcia przyłożonego do diody pojemnościowej.Przedstawione badania i uzyskane wyniki mogą być przydatne w produkcji tanich komponentów radiowych.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 3; 74-77
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przegląd wybranych rozwiązań poprawy wydajności energetycznej instalacji fotowoltaicznej w warunkach występowania częściowych zacienień
Overview of selected solutions to improve the efficiency of solar installation in the event of partial lengths
Autorzy:
Świderski, Mariusz
Matecki, Dominik
Mielczarek, Norbert
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377773.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
instalacja fotowoltaiczna
dioda bocznikująca
optymalizer
mikroinwerter
rozproszony system fotowoltaiczny
Opis:
Mając na uwadze rosnącą popularność instalacji fotowoltaicznych oraz coraz większą ilość różnych rozwiązań technicznych, mających na celu poprawę jej wydajności, dokonany został przegląd i porównanie tych rozwiązań. Zaprezentowana została ogólna struktura klasycznego systemu fotowoltaicznego, jak również problem wpływu zjawiska zacieniania na działanie takiej instalacji. Następnie przedstawiono kolejno najpopularniejsze rozwiązania techniczne, które wpływają na wydajność energetyczną systemu fotowoltaicznego podczas występowania zacieniania. Zaprezentowane zostały również rozwiązania autorskie, które obecnie są w fazie badań i testów laboratoryjnych.
Bearing in mind the growing popularity of solar installations and the increasing number of equal technical solutions aimed at improving its efficiency, a review and comparison of these solutions was carried out. The introduction presents the general structure of a classic photovoltaic system as well as the problem of the effect of shading for such an installation. Then the article presents successively the most popular technical solutions that affect the efficiency of the photovoltaic system during the occurrence of shading. In the next chapter solutions that are currently in the research and laboratory tests phase have been highlighted. The work ends with a summary.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2020, 102; 45-54
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
Autorzy:
Osadchuk, Alexander. V.
Osadchuk, Vladimir. S.
Osadchuk, Iaroslav A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1841342.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
self-oscillator
tunneling resonant diode
negative differential resistance
frequency
quantum heterostructure
samoscylator
tunelowa dioda rezonansowa
ujemna rezystancja różnicowa
częstotliwość
heterostruktura kwantowa
Opis:
Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
Autorzy:
Osadchuk, Alexander. V.
Osadchuk, Vladimir. S.
Osadchuk, Iaroslav A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1841376.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
self-oscillator
tunneling resonant diode
negative differential resistance
frequency
quantum heterostructure
samoscylator
tunelowa dioda rezonansowa
ujemna rezystancja różnicowa
częstotliwość
heterostruktura kwantowa
Opis:
Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania i analiza wybranych lamp LED z gwintem E27 w zakresie generowania odkształceń harmonicznych
Research and analysis of selected LED lamps with E27 base in the field of harmonic distortion
Autorzy:
Putz, Łukasz
Nawrowski, Ryszard
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376663.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
dioda elektroluminescencyjna
jakość energii elektrycznej
lampa LED
współczynnik THD
wyższe harmoniczne
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań czterech kompaktowych lamp LED z trzonkiem E27. Zbadano parametry jakości energii elektrycznej w obwodzie zasilającym diodowe źródło światła. Szczególną uwagę zwrócono na wyższe harmoniczne prądu oraz współczynnik zawartości wyższych harmonicznych. Omówiono zagrożenia jakie mogą wynikać ze stosowania dużej liczby elektroluminescencyjnych źródeł światła. Przytoczono również wymagania normy PN-EN 61000-3-2 dla oświetlenia LED w zakresie harmonicznych prądu. Następnie przeprowadzono analizę porównawczą uzyskanych wyników badań poszczególnych lamp LED z wymogami normy.
The article presents the results of testing of four compact LED lamps with the E27 base. Power quality parameters were subject to the testing in the circuit which powered the LED light sources. Particular attention was paid to higher harmonics of current and the total harmonic distortion. The obtained testing results for the respective LED lamps were analyzed in comparison with the requirements of the IEC 61000-3-2 standard. Also has been presented the way to make lower THDI ratio in the lighting system where work this same LED lamps with E27 base. Additionally has been plotted the characteristics of THDI in the relation to the active power cooperating LED lamps.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 97; 87-96
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
Rezonansowa dioda tunelowa z elektrodami magnetycznymi
Autorzy:
Szczepański, Tomasz
Kudła, Sylwia
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/129532.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
resonant tunnelling
diode
magnetic tunnelling diode
spintronics
rezonansowa dioda tunelowa
magnetyczna dioda tunelowa
spintronika
Opis:
We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
Źródło:
Physics for Economy; 2019, 3, 1; 41-51
2544-7742
2544-7750
Pojawia się w:
Physics for Economy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling of a micro-channel heat sink for cooling of high-power laser diode arrays
Autorzy:
Furmański, P.
Thualfaqir, K.
Łapka, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/240825.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
micro heat sink
laser diode arrays cooling
numerical simulation
chłodzenie
laser
dioda
radiator
modelowanie numeryczne
Opis:
Micro-channel heat sinks are used in a wide variety of applications, including microelectronic devices, computers and high-energy-laser mirrors. Due to the high power density that is encountered in these devices (the density of delivered electrical power up to a few kW/cm2 ) they require efficient cooling as their temperatures must generally not exceed 100 °C. In the paper a new design for micro-channel heat sink (MCHS) to be used for cooling laser diode arrays (LDA) is considered. It is made from copper and consisting of 37 micro-channels with length of 9.78 mm, width of 190 µm and depth of 180 µm with the deionized water as a cooling medium. Mathematical and numerical models of the proposed design of the heat sink were developed. A series of thermofluid numerical simulations were performed for various volumetric flow rates of the cooling medium, its inlet temperature and different thermal power released in the laser diode. The results show that the LDA temperature could be decreased from 14 to 17% in comparison with earlier proposed design of the heat sink with the further drop in temperature obtained by applying indium instead of gallium arsenide as the soldering material between the LDA and MCHS interface. Moreover, it was found that the maximum temperature, and therefore the thermal resistance of the considered heat sink, could be decreased by increasing the coolant flow rate.
Źródło:
Archives of Thermodynamics; 2018, 39, 3; 15-27
1231-0956
2083-6023
Pojawia się w:
Archives of Thermodynamics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie termogramu
Temperature measurement of diode junction during their operation based on thermogram
Autorzy:
Dziarski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266564.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szacowanie wartości temperatury
dioda krzemowa
półprzewodniki
termowizja
measurement of temperature
semiconductor diode
thermovision
Opis:
W artykule przedstawiono związek pomiędzy zmierzoną termowizyjnie temperaturą obudowy ϑ C i temperaturą złącza diody półprzewodnikowej zmierzoną za pomocą metody stykowej. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań oraz skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób, w jaki oszacowano temperaturę pracującego złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej napięcie przewodzenia UF i jego temperaturę ϑj. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności ε zadawanego w kamerze termowizyjnej pozwalający uzyskać wystarczająco dokładny pomiar temperatury złącza.
When the temperature of the junction changes, characteristics of the semiconductor diode are changing too. Reliable measurement of junction’s temperature during their operation is difficult. The contact method of the measurement can provide information about of the case’s temperature. Good solution (omitting) these problems is indirect measurement of the junction’s temperature by a thermography. In the article the result of comparison of values of junction’s temperatures measured by the thermography and electrical method was based on measurement of forward voltage in a short period (20 ms) for the known UF = f(ϑj) characteristic.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2018, 59; 47-50
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spectral sensitivity of human vision to the light pulses
Czułość widmowa wzroku ludzkiego na impulsy światła
Autorzy:
Brailovsky, V.
Pyslar, I.
Rozhdestvenska, M.
Michalska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408315.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
RGB LED
light puls
human vision
information system
dioda RGB LED
impuls świetlny
ludzki wzrok
system informacyjny
Opis:
In the paper we represent experimental results of the research of human vision sensitivity to pulsed radiation of discrete light emitting diodes (LEDs) of different colors when their dissipated electrical power was the same. We used color components of RGB LED matrix and determined the values of the dissipated power at which resultant LED radiation was perceived as white light. These power values were used to investigate sensitivity of human eye to radiation of each color of RGB matrix. Spectral characteristic of RGB LED under investigation was checked for presence of additional spectral components. The results we obtained give the possibility to develop information systems with concealment of the data transfer process using white light which color components are informative.
W artykule zostały przedstawione wyniki badań eksperymentalnych czułości wzroku ludzkiego na promieniowanie impulsowe diod LED o różnych kolorach światła przy jednakowych rozpraszanych na nich mocach elektrycznych. Za pomocą macierzy RGB określa się wielkości mocy rozpraszanej na diodach LED macierzy, przy których wynikające promieniowanie diod LED jest odbierane jako białe. W tak określonych mocach elektrycznych została zbadana czułość ludzkiego widzenia na pulsacyjne promieniowanie każdej z diod LED matrycy RGB. Charakterystyka widmowa badanej diody RGB LED została sprawdzona pod kątem obecności dodatkowych składowych widmowych. Uzyskane wyniki umożliwią opracowanie systemów ukrytej transmisji informacji za pomocą światła białego, którego składowe widmowe mają charakter informacyjny.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 1; 32-35
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Szacowanie wartości temperatury złącza półprzewodnikowego na podstawie wartości temperatury wyprowadzenia diody
Estimate of semiconductor diode junction temperature based on diode PIN
Autorzy:
Dziarski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376274.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
dioda półprzewodnikowa
wartość temperatury złącza
wyprowadzenie
termowizja
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono związek pomiędzy wartością temperatury wyprowadzenia i wartością temperatury złącza diody półprzewodnikowej w obudowie do montażu powierzchniowego. Przedstawiono parametry wybranych diod półprzewodnikowych. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań i skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób szacowania temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej wartość spadku napięcia UF i wartość temperatury. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności wyprowadzenia ε pozwalający uzyskać wystarczająco dokładną wartość temperatury wyprowadzenia, na podstawie której możliwe jest oszacowanie wartości temperatury złącza. Dodatkowo przedstawiono zastosowaną kamerę termowizyjną.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on junction temperature. Correct measurement is difficult because of a small size of the object. The measurements are especially complex for SMD (Surface Mount Device) diodes, which have a size of a few millimeters. Contact measurement method with temperature sensor is unreliable. Alternative way is the noncontact thermovision measurement, which can give an information about the temperature of the diode pins. In practice the information about diode junction is more significant. This article describe relation between a result of diode pins thermovision measurement and temperature of junction. The diodes with two semiconductors junctions in the same case was used. Junctions of the diodes was connected in various kind (common anode and common cathode). It was found relation, which allow estimate of junction temperature value based on pin temperature.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 243-254
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ogniwa Peltiera w układach chłodzenia diod i matryc LED
Peltier module in systems of cooling the LEDs and LED matrices
Autorzy:
Szlaferek, M.
Parzych, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377468.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
ogniwo Peltiera
dioda LED
Opis:
Układy chłodzenia diod i matryc LED stanowią obszerną grupę urządzeń i rozwiązań, która stale się powiększa z uwagi na ciągły rozwój w dziedzinie elektroluminescencyjnych źródeł promieniowania. Wraz z polepszaniem parametrów diod i matryc LED rosną też wymagania odnośnie ich układów chłodzenia. W układach tych występują wszystkie znane systemy używane do schładzania urządzeń elektronicznych: od najprostszych pasywnych (radiatory) do skomplikowanych kombinacji w aktywnych układach chłodzenia (wentylatorowe, cieczowe) oraz specjalne układy chłodzenia wykorzystujące np. ogniwa Peltiera. W niniejszym artykule skupiono się właśnie na zastosowaniu ogniw Peltiera w układach chłodzenia diod i matryc LED. Przedstawiono budowę, zasadę działania, rodzaje i parametry tych ogniw. Omówiono wybrane systemy chłodzenia oparte na ogniwach Peltiera oraz przeanalizowano wady i zalety takiego rozwiązania.
Cooling systems the LEDs and LED matrices constitute the extensive group of devices and solutions, which constantly is growing considering the constant development in the field of electroluminescent radiation sources. Along with improving parameters of LEDs and LED matrices also requirements grow in relation to their cooling systems. All known systems used for cooling electronic devices are appearing in these arrangements: from straightest passive (radiators) to complicated combinations in active cooling systems (fan, heat pump) and special cooling systems using Peltier module. The present article is just concentrated on using Peltier module in cooling systems of LEDs and LED matrices. A structure, principle of operation, types and parameters of these modules were described. Chosen cooling systems based on Peltier modules were discussed as well as an advantages and disadvantages of such a solution was analysed.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 333-344
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System do pomiaru szumów elementów optoelektroniczncych w szerokim zakresie prądów
Optoelectronic devices noise measurement set-up in wide diode current range
Autorzy:
Sprawka, D.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267697.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szum typu 1/f
szumy wybuchowe
dioda LED
transoptor
1/f noise
RTS noise
LED
optocoupler
Opis:
W artykule zostanie zaprezentowany opis systemu pomiarowego zawierającego zaprojektowaną głowicę pomiarową do pomiarów szumów generowanych przez elementy optoelektroniczne. Przedstawione zostaną wyniki testów funkcjonowania systemu pomiarowego dla diod LED dla prądu wynoszącego ID = 2 mA. Pomiar odbywał się w zakresie małych częstotliwości czyli do 1 kHz. Głowica pomiarowa została zbudowana w sposób minimalizujący wpływ zakłóceń zewnętrznych na działanie układu.
In the paper authors present a special measurement set-up which allows for optoelectronic devices noise measurements. Authors will test the system using LEDs for ID = 2 mA and in frequency range of 1 kHz. The measurement set-up was built in a way to avoid external noise. For research authors chose a group colour LEDs. In the following paper authors present the measurement results of power spectrum density function and time function for the optoelectronic devices.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 131-134
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Termowizyjny pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej
Thermovision measurement of semiconductor diode junction temperature
Autorzy:
Dziarski, K.
Wiczyński, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377736.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
termowizja
dioda półprzewodnikowa
metrologia
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań pomiarów temperatury złączą diody półprzewodnikowej zabudowanej w obudowie do montażu powierzchniowego (SOT–23), przy pomocy metody bezkontaktowej. Przedstawiono układ pomiarowy i otrzymane wyniki pomiarów oraz szczegółowe parametry diody użytej do badania. Omówiono zależność wiążącą temperaturę obudowy diody z temperaturą złącza, warunki panujące w trakcie wykonywania eksperymentu, oraz wnioski wynikające z otrzymanych wyników.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on this temperature, however its correct measurement is difficult because of small size of the object. Measurements are especially complex for SMT (Surface Mount Technology) diodes of size 1 to 3 mm. Application of a contact temperature sensor is inefficient. Thus, an alternative way is the noncontact thermovision measurement which can give information on temperature of the diode case. However, in practice information about diode semiconductor junction is more significant. Experimental studies of the relation between a result of diode case thermovision measurement and temperature of junction inside the case have been undertaken. BAT54C diode with two junctions in the same case for SMT was used. One junction was temperature sensor while another one operated as heater. It was found that the temperature difference was not higher than 9°C what allows us to conclude that thermovision measurement of diode junction temperature may be useful in diagnostic testing of electronic circuits.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 295-305
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A study on power losses of the 50 kVA SiC converter including reverse conduction phenomenon
Autorzy:
Rąbkowski, J.
Płatek, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201547.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
power losses
three-phase converter
MOSFET
Schottky diode
reverse conduction
straty mocy
konwerter trójfazowy
dioda Schottky'ego
odwrotne przewodzenie ciepła
Opis:
This paper deals with performance of the 50 kVA three-phase converter built with switches based on SiC MOSFET and anti-parallel Schottky diodes. In contrast to popular IGBT converters, a negative switch current is capable of flowing through the reverse conducting transistor, which results in different distribution of power losses among the devices. Thus, equations describing the conduction power losses of the transistor and diode are improved and verified by means of circuit simulations in Saber. Moreover, a comparison of power losses calculated with the use of standard and new equations is also shown. Total power losses in three SiC MOSFET modules of a 50 kVA converter operating at 20 kHz are up to 30% lower when reverse conduction is taken into account. This shows the importance of the discussed problem and proves that much better accuracy in the estimation of power losses and junction temperatures of SiC devices may be obtained with the proposed approach.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 4; 907-914
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
Autorzy:
Kraśniewski, J.
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118388.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
temperature-sensitive parameter calibration curves
Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
krzywa kalibracyjna parametru termoczułego
dioda Schottky z węglika krzemu
Opis:
Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 77-83
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 51

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies