Temat: dioda - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optical control of semiconductor synchronized microwave oscillators in the power suppression mode
Autorzy:: Usanov, D.A.
Skripal, A.V.
Abramov, A.V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309231.pdf
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: synchronizacja
sterowanie optyczne
generator mikrofalowy
dioda Gunna
optical control
synchronization
semiconductor microwave oscillator
Gunn diode
Opis:: The influence of optical radiation on the performance of the synchronized microwave Gunn-diode oscillator in the coherent signals subtraction mode has been described theoretically and investigated experimentally. The high sensitivity of the oscillator characteristics to the change of the optical intensity affecting the semiconductor diode structure has been shown. It is suggested to use this mode for the creation of optoelectronic microwave systems with the controlled amplitude and phase of the output signal and for the high-accuracy indication of optical radiation.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2003, 1; 30-35
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Reliability and low-frequency noise measurements of InGaAsP MQW buried-heterostructure lasers
Autorzy:: Pralgauskaite, S.
Matukas, J.
Palenskis, V.
Šermukšnis, E.
Vyšniauskas, J.
Letal, G.
Mallard, R.
Smetona, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309229.pdf
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: dioda laserowa
szumy
laser diode
low-frequency noise
optical noise
electrical noise
correlation factor
reliability
Opis:: A laser diode reliability test based on the measurements of the low-frequency optical and electrical noise, and their correlation factor changes during short-time ageing is presented. The noise characteristics reveal obvious differences between the stable and unreliable lasers operated near the threshold region. An excessive Lorentzian type noise with negative correlation factor at the threshold could be one of the criteria for identifying unreliable lasers. The behavior of unreliable lasers during ageing could be explained by migration of point recombination centres at the interface of an active layer, and by the formation of defect clusters.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2003, 1; 24-29
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Ograniczenie prądu zwarciowego przez szeregowe dławiki z układem diodowym
Limitation on short current by serial reactors with circuit of diodes
Autorzy:: Baszyński, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/320373.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:: prąd zwarcia
dławik
dioda
short current
reactor
diode
Opis:: W artykule omówiono dwa sposoby ograniczenia prądu zwarcia: pierwszy, klasyczny, realizowany przez zwiększenie impedancji obwodu (włączenie w szereg z odbiornikiem dławika) oraz drugi, wykorzystujący prosty układ energoelektroniczny. Ponadto w artykule opisano negatywne oddziaływanie obu metod na system energetyczny.
This paper presents two methods of limitation of values of short currents. The first method is achieved by increasing inductance, caused by serial connection of the additional reactor to load. This method is not recommended because of drop of other loads voltage. The second method uses a simple power electronics circuit composed of two diodes and two reactors. A comparison of efficiency and a negative influence of both methods on supply network is discussed.
Źródło:: Elektrotechnika i Elektronika; 2005, 24, 2; 119-124
1640-7202
Pojawia się w:: Elektrotechnika i Elektronika
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Application of laser diodes and photodetectors on multiple-quantum wells at the hot-metal pyrometry
Autorzy:: Sen'kov, A. G.
Firago, V. A.
Kononenko, V. K.
Christol, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/153735.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: pyrometry
spectroreflectometry
near-infrared range
photodetector
laser diode
methodical error
pirometria
spektroreflektometria
zakres bliskiej podczerwieni
fotodetektor
dioda laserowa
pomyłka metodyczna
Opis:: In the paper, the method of relative spectroreflectometry at using the infrared photodetectors with a wide diapason of the spectral photosensitivity is suggested. Methodical errors at exponential and power dependencies of the emissivity of an object on the wavelength are analysed. Possible design of a pyrometer for measurements of temperature of hot metals is described and attractiveness of quantum-well laser diodes and superlattice photodetectors based on the GaSb compounds is discussed.
W pracy zaproponowano metodę spektrofotometrii porównawczej z wykorzystaniem fotodetektorów podczerwieni o szerokim zakresie czułości spektralnej. Określono błędy systematyczne związane z wykładniczą i kątową zależnością od długości fali i współczynnika emisyjności obiektów. Przedstawiono jedną z możliwych konstrukcji pirometru do pomiaru rozgrzanych metali. Dyskutuje się również możliwość zastosowania diod laserowych o rozmiarach kwantowych oraz fotodetektorów zbudowanych w oparciu o złącza GaSb.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 597-600
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Distance transmitters based on laser diodes
Dalmierze z diodami laserowymi
Autorzy:: Manak, I.
Bialiauski, U.
Wójcik, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/152230.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: dalmierz
dioda laserowa
struktura czasowo-przestrzenna promieniowania
radiation space-time structure
laser diode
photo range-finder
long-distance band
short-range band
jitter
Opis:: The mathematical device for the analysis of the laser diode radiation space-time structure in a distant zone for laser range-finder is developed. The influence of phase heterogeneity and radiation delays variations on distances measurement accuracy is investigated. The method of distances measurement is offered by phase range-finder, which allows to take into account influence of a modulation phase variation.
Opracowane zostało narzędzie matematyczne do analizy struktury czasowo-przestrzennej emisji diod laserowych do dalmierzy. Zbadany został wpływ heterogeniczności fazy i zmienności opóźnienia promieniowania na dokładność pomiaru. Zaproponowano metodę pomiaru odległości za pomocą dalmierza fazowego, która pozwala na uwzględnienie wpływu zmienności modulacji fazy.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 11, 11; 29-33
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy
High power laser diodes - design optimisation issues
Autorzy:: Malag, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192142.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: dioda laserowa dużej mocy
konstrukcja diod laserowych dużej mocy
optymalizacja wiązki promieniowania
high power laser diodes
high power laser diodes construction
Opis:: Artykuł zawiera skrótowy przegląd aktualnych osiągnięć w dziedzinie konstrukcji diod laserowych (DL) dużej mocy. Zakres artykułu ograniczony został do zagadnień optymalizacji heterostruktury ze względu na parametry, które wydają się najważniejsze dla przyrządów dużej mocy takie, jak sprawność energetyczna (PCE), próg katastroficznej degradacji luster (COD) i jakość emitowanej wiązki promieniowania (M2 i rozbieżność). Przedstawione wyniki (przodujących instytutów i ITME) wskazują, że jednoczesna maksymalizacja wszystkich tych parametrów jest bardzo trudna. Wyniki "rekordowe" są bardzo zróżnicowane ze względu na długość fali i grupę materiałową (arsenki, fosforki).
Current achievements in the field of high-power laser diodes (LD) construction are briefly presented. The scope has been limited to issues of heterostructure optimisation in terms of the parameters the most important for high power devices, such as power conversion efficiency (PCE), COD level and an emitted beam quality (M2 and divergence). Presented results (of leading laboratories and ITME) indicate that simultaneous maximisation of these parameters is very difficult. There is a wide diversity of the record-high attainments in terms of preferred design solutions and due to different wavelengths and material systems.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 1, 1; 21-46
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Dyfrakcyjne elementy optyczne do formowania wiązek światła emitowanych przez diody laserowe
Diffractive optical elements for laser diode beams shaping
Autorzy:: Kowalik, A.
Góra, K.
Podgórski, J.
Rojek, A.
Typa, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192220.pdf
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: dyfrakcyjny element optyczny
laserowa dioda krawędziowa
diffractive optical element
LD
Opis:: Dzięki miniaturowym rozmiarom i niskiej cenie laserowe diody krawędziowe znajdują coraz szersze zastosowanie jako niezawodne źródła wiązki światła. Duża rozbieżność i asymetria tych wiązek powoduje jednak, że w przypadku większości aplikacji muszą być one wcześniej transformowane. Ze względu na skomplikowany front falowy stosowane w tym celu tradycyjne układy optyczne składają się z wielu elementów, co powoduje znaczny wzrost rozmiarów, ciężaru i ceny systemu. Tracone są w ten sposób podstawowe zalety związane z zastosowaniem półprzewodnikowych źródeł światła. Stąd za bardzo istotne uznać należy poszukiwanie rozwiązań, w których wszystkie funkcje związane z transformacją wiązki światła spełniać będzie pojedynczy element optyczny. W pracy wskazano na możliwość użycia w tym celu dyfrakcyjnych elementów optycznych o prostej, miniaturowej budowie. Jako przykład zaprezentowano element służący do formowania wiązki emitowanej przez jednowymiarową macierz diod laserowych. Główne zalety tego elementu to możliwość koncentracji dużych energii w małym przekroju wiązki oraz zwarta budowa, pozwalająca na zachowanie miniaturowych wymiarów źródła wiązki światła.
Recent years have shown a rapid growth in the application of edge emitting laser diodes (LDs). They are small, efficient, low voltage, and have operating lifetimes much larger than conventional light sources. However, the output beams of the laser diode are highly divergent and astigmatic, thus for almost all applications they have to be first reshaped. Because of complicated wave front, conventional refractive optics fulfilling such a task usually consists of two or more elements, what results in a significant increase of the system size, cost, and assembly difficulties. In this way the most important advantages of LDs, that is their small size and simplicity, are wasted. Therefore it is interesting to integrate all optical functions of the reshaping system within a single microoptical element. The aim of this paper is to present simple and compact diffractive elements that can be used to transform light beams emitted by laser diodes. As an example, a single-element beam concentrator for linear LD array is demonstrated, consisting of a line of rectangularly apertured elliptical diffractive microlenses. It was proved that such a system generates in the output plane a regular spot with a relatively uniform density. Its main advantages lie in simplicity, possibility to concentrate a large amount of light in a small spot and to preserve the compactness of LDs.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 17-34
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii
Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy
Autorzy:: Malag, A.
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192216.pdf
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: dioda laserowa
heterostruktura
procesy cieplne
rozdzielczość czasowa
spektroskopia
sprawność energetyczna
laser diode
heterostructure
self-heating
time resolution
power conversion efficiency
Opis:: Przedstawiono wyniki prac porównawczych nad diodami laserowymi dużej mocy o symetrycznej i asymetrycznej konstrukcji heterostruktury, na pasmo 800 nm. Istotą konstrukcji asymetrycznej jest zastosowanie pasywnej warstwy falowodowej po stronie n, przez co rozkład pola optycznego generowanego promieniowania przesuwa się na tę stronę. Związane z tym zmniejszenie strat na swobodnych nośnikach umożliwia zwiększenie mocy emitowanego promieniowania diod laserowych poprzez rozszerzenie (w płaszczyźnie prostopadłej do złącza) przesuniętego rozkładu pola optycznego i wydłużenie rezonatora. Przesunięcie pola optycznego na stronę n umożliwia jednocześnie zmniejszenie grubości warstwy p-emitera, przez co oczekiwane jest zmniejszenie rezystancji (termicznej i elektrycznej) heterostruktury. Zostało to potwierdzone przez pomiary niestacjonarnych procesów cieplnych techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. W pracy impulsowej diod laserowych zaobserwowano znacznie mniejsze przesunięcie termiczne widma promieniowania w ciągu pierwszych mikrosekund od czoła impulsu w przyrządach skonstruowanych na bazie heterostruktury asymetrycznej w porównaniu z diodami wykonanymi z heterostruktur symetrycznych. Tak szybkie (rzędu pojedynczych μs) procesy cieplne mogą być związane tylko z najbliższym otoczeniem warstwy aktywnej, zatem głównie z wysokorezystywną warstwą p-emitera. W artykule przedstawiono technikę badania procesów cieplnych w obszarze aktywnym DL metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii z zastosowaniem kamery ICCD firmy Andor. Ze względu na rozdzielczość czasową znacznie poniżej l μs (z bramką do 2 ns), technika ta dostarcza informacji o szybkich, niestacjonarnych procesach w obszarze aktywnym i jego najbliższym otoczeniu. Jest zatem bardzo pomocna w ocenie konstrukcji przyrządów. Przedstawione wyniki pokazują, że konwencjonalna technika wyliczania rezystancji termicznej diod pracujących w warunkach CW może prowadzić do wniosków niezgodnych z wnioskami z pomiarów techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. Wskazano możliwe przyczyny tych rozbieżności.
The results of comparative investigations on 800-nm-band high-power laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design are presented. The idea of asymmetric heterostructure design is the insertion of a passive waveguide layer at the heterostructure's n-side whereby a field distribution of generated radiation shifts toward this side. Resulting decrease in free-carrier loss allows increasing of emitted radiation power by widening (perpendicular to the junction plane) of shifted optical field distribution and by laser cavity elongation. The shift of the optical field distribution toward the heterostructure n-side makes simultaneously possible a reduction of p-cladding layer thickness, which should cause a decrease of its thermal and electrical resistances. This has been confirmed by time-resolved spectroscopy measurements of transient thermal processes in laser diodes. In pulse operation, distinctly less thermal shift of lasing spectrum during the first (2 to 5) microseconds after the pulse start has been observed in asymmetric-design devices compared to symmetric ones. Such fast thermal processes can be connected only with the nearest vicinity of the active region i.e. mainly with the highly resistive p-cladding layer. Presented results show that conventional steady-state technique of thermal resistance measurements for CW operating laser diodes can sometimes lead to conclusions inconsistent with these obtained by the time-resolved spectroscopy. Possible reasons of the discrepancy are indicated.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 35-60
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Application of electrooptic modulators for divergent light beam
Zastosowanie modulatorów elektrooptycznych do rozbieżnych wiązek światła
Autorzy:: Izdebski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296520.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:: elektrooptyczny modulator
dioda laserowa
rozbieżna wiązka światła
electrooptic modulator
diode lasers
divergent light beam
Opis:: Analysis of electrooptic modulators of the light strength working with divergent light beam is performed numerically employing the Jones matrices method. The approach allows to consider small inaccuracies in cutting and alignment of electrooptic crystal and the divergence of entering light beam. The results show that the divergence typical for gas lasers should not affect significantly the work of electrooptic modulators even for large electrooptic crystals, while diode lasers may be used with modulators only in the form of precise modules equipped with colimation optics.
Przeprowadzono numeryczną analizę elektrooptycznych modulatorów natężenia światła pracujących z rozbieżną wiązka światła przy wykorzystaniu rachunku macierzy Jonesa. Zastosowany model dopuszcza małe niedokładności wycięcia i orientacji kryształu elektrooptycznego, które mogą być uwzględnione razem z rozbieżnością padającej wiązki światła. Wyniki obliczeń pokazują, że rozbieżność wiązek światła wytwarzanych przez typowe lasery gazowe nie powinna znacząco wpływać na pracę elektrooptycznych modulatorów, nawet wtedy gdy stosowane są duże kryształy o rozmiarach rzędu kilkudziesięciu centymetrów. Diody laserowe nadają się jednak do użycia z modulatorami tylko w postaci precyzyjnych modułów zawierających optykę formującą równoległą wiązkę światła.
Źródło:: Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 35-46
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:: Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Badania interferencyjnego etalonu do stabilizacji długości fali diody laserowej
Experimental analysis of interference etalon for laser diode laser wavelength stabilization
Autorzy:: Żaba, M.
Dobosz, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/208345.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:: etalon interferencyjny
dioda laserowa
różnica dróg optycznych
stabilizacja długości fali
interferometrical etalon
laser diode
optical path difference
wavelength stabilization
Opis:: W artykule przedstawione zostały metoda pomiarowa i wyniki badań interferencyjnego etalonu, przeznaczonego do stabilizacji częstotliwości fali światła emitowanego przez diodę laserową. Etalon stanowił stabilizowany termicznie klin optyczny. W badaniach jako wzorzec częstotliwości wykorzystano stabilizowany częstotliwościowo laser He-Ne. W trakcie przeprowadzonych doświadczeń obserwowana była niestabilność fazy prążków powstałych w etalonie przy zmiennej temperaturze otoczenia. Uzyskano względną termiczną zmianę różnicy dróg optycznych etalonu na poziomie 2⋅10⁻⁸/°C zmiany temperatury otoczenia.
Measuring method and experimental results of the interference etalon designed for the purpose of laser diode frequency stabilization is presented. Thermally stabilized optical wedge acts as the etalon. He-Ne wavelength stabilized laser has been used as the frequency reference. During experiments instability of the interferometer fringe phase generated by the etalon has been observed when the ambient temperature was changed. The obtained relative thermal change of the optical path difference of the etalon is equal to 2⋅10⁻⁸/°C of the ambient temperature change.
Źródło:: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 327-338
1234-5865
Pojawia się w:: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
Investigation of solder-induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
Autorzy:: Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192281.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: dioda laserowa
heterostruktura
montaż DL
In
eutektyk AuSn
laser diode
heterostructure
LD mounting
indium
eutectic AuSn
Opis:: Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 13-31
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Ponad barierami : łączenie sieci o różnych klauzulach
Beyond an air gap : cross domain networks connectivity
Autorzy:: Brudka, M.
Furtak, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/273181.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:: bramy międzysystemowe
bezpieczeństwo wielopoziomowe
dioda danych
cross domain solutions
multilevel security
data diode
Opis:: Opracowanie jest zwięzłym przeglądem możliwych sposobów wymiany danych pomiędzy sieciami o różnych poziomach ochrony poufności. Określono potrzeby i zagrożenia związane z łączeniem sieci chronionych, a także wskazano obszary aktywności badawczych i standaryzacyjnych w tym zakresie. Opisano podstawowe komponenty bezpieczeństwa styków systemów teleinformatycznych i sposób ich wykorzystania przy tworzeniu bram międzysystemowych. W podsumowaniu wymieniono kilka bram międzysystemowych oraz wskazano istotne dla osiągania zdolności sieciocentrycznych przez SZ RP kierunki rozwoju rozwiazań typu CDS.
The paper is a brief survey of selected Cross Domain Solutions for classified network connectivity. Various needs and threats relative to CDS are discussed together with the relevant research and standardization activities. Then, the underlying information assurance components which are commonly employed in securing cross domain interfaces are described. Finally, several advanced cross domain gateways and NEC related development directions of CDS facilities are enumerated.
Źródło:: Biuletyn Instytutu Automatyki i Robotyki; 2009, R. 15, nr 26, 26; 67-80
1427-3578
Pojawia się w:: Biuletyn Instytutu Automatyki i Robotyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Badania stabilności termicznej interferencyjnego etalonu do stabilizacji częstotliwości diody laserowej
Studies of thermal stability of the interference etalon used for laser diode wavelength stabilization
Autorzy:: Dobosz, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/155371.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: etalon interferencyjny
dioda laserowa
różnica dróg optycznych
stabilizacja długości fali
interferometric etalon
laser diode
optical path difference
wavelength stabilization
Opis:: Przedstawiono metodę pomiarową i wyniki badań nowego interferencyjnego etalonu, przeznaczonego do stabilizacji częstotliwości fali światła emitowanego przez diodę laserową. Etalon stanowi stabilizowany termicznie klin optyczny. Testowano stabilność różnicy dróg optycznych etalonu przy stałej i zmiennej temperaturze otoczenia. Jako wzorzec częstotliwości wykorzystano stabilizowany częstotliwościowo laser HeNe. Zaprezentowano metodykę badań, sposób przeprowadzenia eksperymentu oraz analizę i interpretację otrzymanych wyników.
Experimental tests of the interference etalon designed for laser diode frequency stabilization are presented. A thermally stabilized optical wedge acts as the etalon. A special type of the etalon glass and applied thermal stabilization of the wedge should ensure the constant value of the etalon optical path difference (OPD) during changes of the ambient temperature. The aim of the presented study was to determine the change of the etalon temperature and its OPD as a function of the ambient temperature changes. At the beginning, measurements of the ambient temperature influence on the temperature indicated by a thermistor that controls the etalon temperature were taken. The experiments were carried out in a thermal chamber. The chamber temperature was changed by 12°C. The obtained thermal stabilization of the etalon thermistor can be characterized by the coefficient of the relative ambient temperature impact equal to about 1.6x10-5/K. A He-Ne wavelength stabilized laser was used as the frequency reference for testing the OPD stability during changes of the ambient temperature. Instability of the interferometer fringe phase generated by the etalon was observed. The obtained relative thermal change of the etalon OPD is equal to 5x10-9/°C of the ambient temperature change. Basing on the obtained coefficient and knowing the ambient temperature it is possible to apply numeric compensation of the laser wavelength. The obtained results are very satisfactory considering the simplicity of the system.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 1, 1; 22-23
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Generowanie wyższych harmonicznych przez półprzewodnikowe źródła światła (LED) stosowane w gospodarstwach domowych
Higher harmonics generating by light emitting diodes bulbs practical in households
Autorzy:: Putz, Ł.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/159399.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: żarówka diodowa LED
wyższe harmoniczne
dioda elektroluminescencyjna
współczynnik zawartości harmonicznych napięcia i prądu
Opis:: W artykule zaprezentowano zastosowania diod elektroluminescencyjnych (LED). Przedstawiono budowę oraz zasadę działania takich diod wraz z charakterystyką napięciowo-prądową. Artykuł prezentuje także pozytywne i negatywne aspekty pracy diod LED z naciskiem na niekorzystne generowanie wyższych harmonicznych. Część główną publikacji stanowi zaprezentowanie wstępnych badań na elektroluminescencyjnych źródłach światła w zakresie generacji wyższych harmonicznych. Badania dotyczą żarówki LED-GU1018-WHT firmy APOLLO lighting. Ze względu na stosunkowo niską cenę jest to jedno z najpowszechniej stosowanych diodowych źródeł światła w przeciętnych gospodarstwach domowych. Badania przeprowadzono przy użyciu analizatora jakości energii FLUKE 434. Na podstawie wyników pomiarów sporządzone zostały wykresy zawartości harmonicznych napięcia i prądu w przewodach fazowym oraz neutralnym. Następnie dokonano szerokiej analizy uzyskanych charakterystyk.
In this article is presented appliance of light emitting diodes. Introduced the structure and the rule of working of such diodes with voltage-current characteristics. The article is also presented positive and negative aspects of work of light emitting diodes with pressure on unprofitable generation of higher harmonics. The main part of the publication determines presenting of reconnaissance on electroluminescence light sources in the range of higher harmonics generations. Research refer LED-GU1018-WHT bulb of the APOLLO lighting company. For comparatively the minor price this is one from most spread practical diode light sources in average households. Research was done with use FLUKE 434 Power Quality Analyzer. On the ground of measurement results was prepared graphs of voltage and current harmonics content in phase and neutral lines. At the end was execute wide analysis of obtained characteristics.
Źródło:: Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 63-72
0032-6216
Pojawia się w:: Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Iprovements OLED operation due to using additional layers
Poprawa działania diod typu OLED przy wykorzystaniu dodatkowych warstw
Autorzy:: Hotra, Z.
Volynyuk, D.
Voznyak, L.
Kostiv, N.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/159361.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: organiczna dioda elektroluminescencyjna
dioda
warstwa transportowa
elektroluminescencja
organic light emitting diodes
hole transport layer
electroluminescent
Opis:: In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
Źródło:: Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 19-24
0032-6216
Pojawia się w:: Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "dioda" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język