Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "dioda" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 51
Tytuł:
Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Krzyżak, K.
Romaniec, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192166.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
test starzeniowy
degradacja diod
elektroluminescencja
laser diode
degradation of laser diode
life test
electroluminescence
Opis:
Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 3, 3; 5-10
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie diod elektroluminescencyjnych w oświetleniu wnętrz obiektów sakralnych
LED’s lighting in interiors of sacral facilities
Autorzy:
Górczewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376184.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
dioda elektroluminescencyjna
oświetlenie wnętrz
LED
oświetlenie wnętrz obiektów sakralnych
Opis:
Szczególne wyzwanie dla realizacji oświetlenia stanowią wnętrza obiektów sakralnych. Światło w kościele ma znaczący wpływ na funkcjonalność kościoła, jego odbiór przez wiernych i przez zwiedzających. Sztuczne oświetlenie powinno naśladować, jeśli to możliwe, oświetlenie naturalne. Powinno również pomóc wiernym w skupieniu uwagi na przebiegu czynności liturgicznych, a nawet je w pewien sposób podkreślić. Realizacja tych wymagań jest możliwa przy zastosowaniu zróżnicowanych systemów opraw oświetleniowych o odpowiednich parametrach technicznych i fotometrycznych oraz wykorzystaniu źródeł światła charakteryzujących się wysoką trwałością i skutecznością świetlną przy stosunkowo niewielkich rozmiarach, co cechuje lampy LED.
The particular challenge for the lighting realization, are the interiors of the sacral facilities. The light in the church has got a significant influence on the church functioning, it’s perception by the participants and visitors. The artificial lighting should imitate, if possible, the natural lighting. It should also help the participants in concentrating their attention on the liturgical ceremony actions and even possibly underline them. Obtaining the appropriate lighting effects is possible with use of modem lighting systems and the different light sources characterized by high lighting efficiency with relatively small dimensions, such as LED lamps. The article presents lighting effects obtained for design implementation, where the indoor architecture and indoor arrangement were linked with architectural lighting.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2012, 69; 251-256
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy
High power laser diodes - design optimisation issues
Autorzy:
Malag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192142.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa dużej mocy
konstrukcja diod laserowych dużej mocy
optymalizacja wiązki promieniowania
high power laser diodes
high power laser diodes construction
Opis:
Artykuł zawiera skrótowy przegląd aktualnych osiągnięć w dziedzinie konstrukcji diod laserowych (DL) dużej mocy. Zakres artykułu ograniczony został do zagadnień optymalizacji heterostruktury ze względu na parametry, które wydają się najważniejsze dla przyrządów dużej mocy takie, jak sprawność energetyczna (PCE), próg katastroficznej degradacji luster (COD) i jakość emitowanej wiązki promieniowania (M2 i rozbieżność). Przedstawione wyniki (przodujących instytutów i ITME) wskazują, że jednoczesna maksymalizacja wszystkich tych parametrów jest bardzo trudna. Wyniki "rekordowe" są bardzo zróżnicowane ze względu na długość fali i grupę materiałową (arsenki, fosforki).
Current achievements in the field of high-power laser diodes (LD) construction are briefly presented. The scope has been limited to issues of heterostructure optimisation in terms of the parameters the most important for high power devices, such as power conversion efficiency (PCE), COD level and an emitted beam quality (M2 and divergence). Presented results (of leading laboratories and ITME) indicate that simultaneous maximisation of these parameters is very difficult. There is a wide diversity of the record-high attainments in terms of preferred design solutions and due to different wavelengths and material systems.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 1, 1; 21-46
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Układy chłodzenia diod i matryc LED
Systems of cooling the LEDs and LED matrices
Autorzy:
Szlaferek, M.
Parzych, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377817.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
dioda LED
matryca LED
układy chłodzenia
Opis:
Niniejsza praca zawiera przegląd obecnie stosowanych układów chłodzenia diod i matryc LED. Zaprezentowano, zarówno najprostsze sposoby odprowadzania ciepła, z których korzysta się przy najprostszych diodach LED małej mocy, jak i bardziej skomplikowane systemy wykorzystywane do chłodzenia diod LED mocy i matryc LED. Przedstawiono wybrane rodzaje pasywnych oraz aktywnych układów chłodzenia oraz omówiono ich parametry i właściwości. Zwrócono również uwagę na wpływ wybranych czynników na pracę, zarówno diod i matryc LED, jak i samego systemu chłodzącego. Ponadto pokrótce omówiono programy komputerowe wykorzystywane do projektowania i obliczeń przy konstruowaniu układów chłodzenia.
This work contains a review of currently applied systems of cooling the LEDs and LED matrices. The simplest as well as more sophisticated cooling systems are presented. Parameters and properties of the selected kinds of passive and active cooling systems are described. Influence of some factors on the operation of the LEDs and on their cooling system has been taken into consideration. Moreover, computer programs to be used for the design these systems are briefly presented.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 88; 273-287
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes
Kierunki poprawy jakości wiązki promieniowania szerokopaskowych diod laserowych dużej mocy
Autorzy:
Maląg, A.
Sobczak, G.
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Dąbrowski, A.
Nakielska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192421.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
laser diode
laser beam
heterostructure
directional characteristics of emission
dioda laserowa
wiązka laserowa
heterostruktura
charakterystyki kierunkowe emisji
Opis:
Selected ways of improving an emitted beam quality of high-power laser diodes (LDs) are proposed in both vertical and horizontal directions. Appropriate heterostructure design leads to a vertical beam divergence reduction to 12º (FWHM) while simultaneously maintaining a high power conversion efficiency of LDs. In turn, the spatial stabilization of an optical field distribution in the junction plane results in horizontal beam profile stabilization as a function of the device drive current. This spatial stabilization (with preferred high-order lateral modes) is forced by ion-implanted lateral periodicity built into the wide-stripe waveguide of a LD.
Przedstawione zostały wybrane przykłady poprawy jakości wiązki promieniowania diod laserowych (DL) dużej mocy w płaszczyźnie prostopadłej do złącza (pionowej) i w płaszczyźnie złącza (poziomej). Odpowiedni projekt heterostruktury umożliwia ograniczenie rozbieżności wiązki w płaszczyźnie pionowej do 12º przy utrzymaniu wysokiej sprawności energetycznej DL. Z kolei stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza wymuszona przez strukturę periodyczną wbudowaną w szerokopaskowy światłowód heterostruktury laserowej prowadzi do stabilizacji profilu wiązki w płaszczyźnie poziomej w funkcji poziomu wysterowania przyrządu. Ta struktura periodyczna (preferująca wysokie mody boczne) jest formowana techniką implantacji jonów.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 7-14
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Termowizyjny pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej
Thermovision measurement of semiconductor diode junction temperature
Autorzy:
Dziarski, K.
Wiczyński, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377736.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
termowizja
dioda półprzewodnikowa
metrologia
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań pomiarów temperatury złączą diody półprzewodnikowej zabudowanej w obudowie do montażu powierzchniowego (SOT–23), przy pomocy metody bezkontaktowej. Przedstawiono układ pomiarowy i otrzymane wyniki pomiarów oraz szczegółowe parametry diody użytej do badania. Omówiono zależność wiążącą temperaturę obudowy diody z temperaturą złącza, warunki panujące w trakcie wykonywania eksperymentu, oraz wnioski wynikające z otrzymanych wyników.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on this temperature, however its correct measurement is difficult because of small size of the object. Measurements are especially complex for SMT (Surface Mount Technology) diodes of size 1 to 3 mm. Application of a contact temperature sensor is inefficient. Thus, an alternative way is the noncontact thermovision measurement which can give information on temperature of the diode case. However, in practice information about diode semiconductor junction is more significant. Experimental studies of the relation between a result of diode case thermovision measurement and temperature of junction inside the case have been undertaken. BAT54C diode with two junctions in the same case for SMT was used. One junction was temperature sensor while another one operated as heater. It was found that the temperature difference was not higher than 9°C what allows us to conclude that thermovision measurement of diode junction temperature may be useful in diagnostic testing of electronic circuits.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 295-305
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Szacowanie wartości temperatury złącza półprzewodnikowego na podstawie wartości temperatury wyprowadzenia diody
Estimate of semiconductor diode junction temperature based on diode PIN
Autorzy:
Dziarski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376274.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
dioda półprzewodnikowa
wartość temperatury złącza
wyprowadzenie
termowizja
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono związek pomiędzy wartością temperatury wyprowadzenia i wartością temperatury złącza diody półprzewodnikowej w obudowie do montażu powierzchniowego. Przedstawiono parametry wybranych diod półprzewodnikowych. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań i skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób szacowania temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej wartość spadku napięcia UF i wartość temperatury. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności wyprowadzenia ε pozwalający uzyskać wystarczająco dokładną wartość temperatury wyprowadzenia, na podstawie której możliwe jest oszacowanie wartości temperatury złącza. Dodatkowo przedstawiono zastosowaną kamerę termowizyjną.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on junction temperature. Correct measurement is difficult because of a small size of the object. The measurements are especially complex for SMD (Surface Mount Device) diodes, which have a size of a few millimeters. Contact measurement method with temperature sensor is unreliable. Alternative way is the noncontact thermovision measurement, which can give an information about the temperature of the diode pins. In practice the information about diode junction is more significant. This article describe relation between a result of diode pins thermovision measurement and temperature of junction. The diodes with two semiconductors junctions in the same case was used. Junctions of the diodes was connected in various kind (common anode and common cathode). It was found relation, which allow estimate of junction temperature value based on pin temperature.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 243-254
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System do pomiaru szumów elementów optoelektroniczncych w szerokim zakresie prądów
Optoelectronic devices noise measurement set-up in wide diode current range
Autorzy:
Sprawka, D.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267697.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szum typu 1/f
szumy wybuchowe
dioda LED
transoptor
1/f noise
RTS noise
LED
optocoupler
Opis:
W artykule zostanie zaprezentowany opis systemu pomiarowego zawierającego zaprojektowaną głowicę pomiarową do pomiarów szumów generowanych przez elementy optoelektroniczne. Przedstawione zostaną wyniki testów funkcjonowania systemu pomiarowego dla diod LED dla prądu wynoszącego ID = 2 mA. Pomiar odbywał się w zakresie małych częstotliwości czyli do 1 kHz. Głowica pomiarowa została zbudowana w sposób minimalizujący wpływ zakłóceń zewnętrznych na działanie układu.
In the paper authors present a special measurement set-up which allows for optoelectronic devices noise measurements. Authors will test the system using LEDs for ID = 2 mA and in frequency range of 1 kHz. The measurement set-up was built in a way to avoid external noise. For research authors chose a group colour LEDs. In the following paper authors present the measurement results of power spectrum density function and time function for the optoelectronic devices.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 131-134
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stałoprądowe sterowanie grupowe diodami LED
Constant-current driving of the LEDs group
Autorzy:
Grodzki, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160029.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
sterowanie stałoprądowe LED
praca grupowa LED
LED
dioda
Opis:
W niektórych zastosowaniach diod LED wymagane jest jednakowe sterowanie całych grup diod. Użycie wielu, nawet identycznych obwodów sterujących podnosi koszt urządzenia, zwiększa jego wymiary i obniża niezawodność. Dlatego na uwagę zasługują rozwiązania umożliwiające jednoczesne sterowanie pracą wielu elementów LED. Artykuł prezentuje przykłady, seryjnie produkowanych układów scalonych mających właśnie takie możliwości. W pracy zamieszczono wyniki przeprowadzonych badań wybranych parametrów prezentowanych układów. Opisano również ich dodatkowe funkcje, realizowalne w połączeniu z nadrzędnym mikrokontrolerem. Artykuł zawiera również propozycje aplikacji prezentowanych rozwiązań między innymi w technice motoryzacyjnej, w tym budowy inteligentnych komponentów samochodowej instalacji oświetleniowej.
Some LED applications need parallel driving of the groups of diodes. Using many, even identical driving circuits increases cost, overall dimensions and decreases operational reliability. Therefore the integrated circuits, which allow control the work of many LED diodes should be taken into account. The article presents few selected chips designed to constant-current LED driving. The paper contains the description of main properties of those integrated circuits and some results of realised research works on their application features. Because presented devices have SPI-slave interface, they can be controlled by supervising microcontroller. The paper also contains the proposal of automotive application, as the component of modern vehicle electrical system.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 244; 171-180
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sposoby ochrony instalacji fotowoltaicznych przed następstwami zacienień
Methods of protection the photovoltaic systems against consequence of shading
Autorzy:
Głów, A.
Kurz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378347.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
zacienienie
ogniwo PV
dioda by-pass
orientacja panelu
mikroinwerter
Opis:
W pracy przedstawiono możliwe przyczyny powstawania zacienień ogniw PV oraz wpływ cieniowania paneli na uzysk energii i prawdopodobieństwo ich uszkodzeń. Wskazano sposoby ochrony paneli i możliwości przeciwdziałania bądź zmniejszania efektów tego zjawiska. Dokonano szczegółowej analizy stosowności użycia diod by-pass w panelach fotowoltaicznych. Przedstawiono wpływ zacienienia części łańcucha paneli PV na kształt jego charakterystyki prądowo-napięciowej.
The paper presents the possible causes of shading PV cells and the effect of shading panels on energy yield and the likelihood of damage. Pointed out ways to protect the panels and options for countering or reducing the effects of this phenomenon. Detailed analysis was carried of the appropriateness of the use of bypass diodes in solar panels. Presents the effect of shading parts of the chain of PV panels on the shape of the current-voltage characteristics.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2014, 79; 113-120
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spectral sensitivity of human vision to the light pulses
Czułość widmowa wzroku ludzkiego na impulsy światła
Autorzy:
Brailovsky, V.
Pyslar, I.
Rozhdestvenska, M.
Michalska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408315.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
RGB LED
light puls
human vision
information system
dioda RGB LED
impuls świetlny
ludzki wzrok
system informacyjny
Opis:
In the paper we represent experimental results of the research of human vision sensitivity to pulsed radiation of discrete light emitting diodes (LEDs) of different colors when their dissipated electrical power was the same. We used color components of RGB LED matrix and determined the values of the dissipated power at which resultant LED radiation was perceived as white light. These power values were used to investigate sensitivity of human eye to radiation of each color of RGB matrix. Spectral characteristic of RGB LED under investigation was checked for presence of additional spectral components. The results we obtained give the possibility to develop information systems with concealment of the data transfer process using white light which color components are informative.
W artykule zostały przedstawione wyniki badań eksperymentalnych czułości wzroku ludzkiego na promieniowanie impulsowe diod LED o różnych kolorach światła przy jednakowych rozpraszanych na nich mocach elektrycznych. Za pomocą macierzy RGB określa się wielkości mocy rozpraszanej na diodach LED macierzy, przy których wynikające promieniowanie diod LED jest odbierane jako białe. W tak określonych mocach elektrycznych została zbadana czułość ludzkiego widzenia na pulsacyjne promieniowanie każdej z diod LED matrycy RGB. Charakterystyka widmowa badanej diody RGB LED została sprawdzona pod kątem obecności dodatkowych składowych widmowych. Uzyskane wyniki umożliwią opracowanie systemów ukrytej transmisji informacji za pomocą światła białego, którego składowe widmowe mają charakter informacyjny.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 1; 32-35
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon ions
Autorzy:
Sharma, R. K.
Hazdra, P
Popelka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397767.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
4H-SiC
characterization
JBS diode
PIN diode
simulation
dioda JBS
dioda PIN
symulacje
Opis:
This paper presents the development and application of simulation models for proton and carbon irradiated 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes. Commercial JBS diode chips were irradiated to the identical depth with different doses of hydrogen and carbon ions. The resulting defects were then identified by deep level transient spectroscopy (DLTS). Comprehensive I-V and C-V measurement performed prior to and after ion irradiation was used for calibration of simulation models. Results show that compared to protons, heavier carbon ions introduce more defects with deeper levels in the SiC bandgap and more stable damage. For the first time, the free carrier concentration profile extracted from CV simulations for irradiated JBS diode has been compared with experimental data. The simulation of irradiated JBS diodes exhibit excellent matching with experimental data and can be very useful for the optimization of SiC power devices. Furthermore, it is shown that the developed model can be used for prediction of the effect of ion irradiation on both the static and dynamic characteristic of PiN diode.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 2; 59-63
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
Rezonansowa dioda tunelowa z elektrodami magnetycznymi
Autorzy:
Szczepański, Tomasz
Kudła, Sylwia
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/129532.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
resonant tunnelling
diode
magnetic tunnelling diode
spintronics
rezonansowa dioda tunelowa
magnetyczna dioda tunelowa
spintronika
Opis:
We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
Źródło:
Physics for Economy; 2019, 3, 1; 41-51
2544-7742
2544-7750
Pojawia się w:
Physics for Economy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
Autorzy:
Osadchuk, Alexander. V.
Osadchuk, Vladimir. S.
Osadchuk, Iaroslav A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1841342.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
self-oscillator
tunneling resonant diode
negative differential resistance
frequency
quantum heterostructure
samoscylator
tunelowa dioda rezonansowa
ujemna rezystancja różnicowa
częstotliwość
heterostruktura kwantowa
Opis:
Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
Autorzy:
Osadchuk, Alexander. V.
Osadchuk, Vladimir. S.
Osadchuk, Iaroslav A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1841376.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
self-oscillator
tunneling resonant diode
negative differential resistance
frequency
quantum heterostructure
samoscylator
tunelowa dioda rezonansowa
ujemna rezystancja różnicowa
częstotliwość
heterostruktura kwantowa
Opis:
Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 51

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies