Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "dioda" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 51
Tytuł:
Ograniczenie prądu zwarciowego przez szeregowe dławiki z układem diodowym
Limitation on short current by serial reactors with circuit of diodes
Autorzy:
Baszyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/320373.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
prąd zwarcia
dławik
dioda
short current
reactor
diode
Opis:
W artykule omówiono dwa sposoby ograniczenia prądu zwarcia: pierwszy, klasyczny, realizowany przez zwiększenie impedancji obwodu (włączenie w szereg z odbiornikiem dławika) oraz drugi, wykorzystujący prosty układ energoelektroniczny. Ponadto w artykule opisano negatywne oddziaływanie obu metod na system energetyczny.
This paper presents two methods of limitation of values of short currents. The first method is achieved by increasing inductance, caused by serial connection of the additional reactor to load. This method is not recommended because of drop of other loads voltage. The second method uses a simple power electronics circuit composed of two diodes and two reactors. A comparison of efficiency and a negative influence of both methods on supply network is discussed.
Źródło:
Elektrotechnika i Elektronika; 2005, 24, 2; 119-124
1640-7202
Pojawia się w:
Elektrotechnika i Elektronika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottkyego z węglika krzemu
Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376490.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
modelowanie
dioda Schottky'ego
SPICE
węglik krzemu
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 137-144
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spectral sensitivity of human vision to the light pulses
Czułość widmowa wzroku ludzkiego na impulsy światła
Autorzy:
Brailovsky, V.
Pyslar, I.
Rozhdestvenska, M.
Michalska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408315.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
RGB LED
light puls
human vision
information system
dioda RGB LED
impuls świetlny
ludzki wzrok
system informacyjny
Opis:
In the paper we represent experimental results of the research of human vision sensitivity to pulsed radiation of discrete light emitting diodes (LEDs) of different colors when their dissipated electrical power was the same. We used color components of RGB LED matrix and determined the values of the dissipated power at which resultant LED radiation was perceived as white light. These power values were used to investigate sensitivity of human eye to radiation of each color of RGB matrix. Spectral characteristic of RGB LED under investigation was checked for presence of additional spectral components. The results we obtained give the possibility to develop information systems with concealment of the data transfer process using white light which color components are informative.
W artykule zostały przedstawione wyniki badań eksperymentalnych czułości wzroku ludzkiego na promieniowanie impulsowe diod LED o różnych kolorach światła przy jednakowych rozpraszanych na nich mocach elektrycznych. Za pomocą macierzy RGB określa się wielkości mocy rozpraszanej na diodach LED macierzy, przy których wynikające promieniowanie diod LED jest odbierane jako białe. W tak określonych mocach elektrycznych została zbadana czułość ludzkiego widzenia na pulsacyjne promieniowanie każdej z diod LED matrycy RGB. Charakterystyka widmowa badanej diody RGB LED została sprawdzona pod kątem obecności dodatkowych składowych widmowych. Uzyskane wyniki umożliwią opracowanie systemów ukrytej transmisji informacji za pomocą światła białego, którego składowe widmowe mają charakter informacyjny.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 1; 32-35
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ponad barierami : łączenie sieci o różnych klauzulach
Beyond an air gap : cross domain networks connectivity
Autorzy:
Brudka, M.
Furtak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/273181.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
bramy międzysystemowe
bezpieczeństwo wielopoziomowe
dioda danych
cross domain solutions
multilevel security
data diode
Opis:
Opracowanie jest zwięzłym przeglądem możliwych sposobów wymiany danych pomiędzy sieciami o różnych poziomach ochrony poufności. Określono potrzeby i zagrożenia związane z łączeniem sieci chronionych, a także wskazano obszary aktywności badawczych i standaryzacyjnych w tym zakresie. Opisano podstawowe komponenty bezpieczeństwa styków systemów teleinformatycznych i sposób ich wykorzystania przy tworzeniu bram międzysystemowych. W podsumowaniu wymieniono kilka bram międzysystemowych oraz wskazano istotne dla osiągania zdolności sieciocentrycznych przez SZ RP kierunki rozwoju rozwiazań typu CDS.
The paper is a brief survey of selected Cross Domain Solutions for classified network connectivity. Various needs and threats relative to CDS are discussed together with the relevant research and standardization activities. Then, the underlying information assurance components which are commonly employed in securing cross domain interfaces are described. Finally, several advanced cross domain gateways and NEC related development directions of CDS facilities are enumerated.
Źródło:
Biuletyn Instytutu Automatyki i Robotyki; 2009, R. 15, nr 26, 26; 67-80
1427-3578
Pojawia się w:
Biuletyn Instytutu Automatyki i Robotyki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Practical realization of ideal diode full-wave rectifiers
Praktyczna realizacja idealnego prostownika dwupołówkowego
Autorzy:
Chytil, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/407676.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
dioda idealna
dioda półprzewodnikowa
prostownik pełnofalowy
MOSFET
ideal diode
electronic diode
full-wave rectifier
Opis:
This paper discuses practical realization of full-wave rectifiers made of electronic diodes for high current bipolar electronic loads. The presented solution minimizes the voltage drop and nonlinearity of loads in the region of low voltages. Compared to standard or Schottky diodes, electronic (also referred to as ideal) diodes exhibit very low voltage drop and power dissipation. In the full-wave rectifier, MOSFETs with very low RDSon (low units of milliohms) are used. Ideal rectifiers have been traditionally used as structural elements in switched power supplies; they are often applied in low dissipation power switches and started to be utilized as full-wave rectifiers.
Artykuł omawia praktyczną realizację prostownika dwupołówkowego wykonanego z użyciem diod prostowniczych dla obciążeń wysokoprądowych. Zaproponowane rozwiązanie minimalizuje spadek napięcia i nieliniowość obciążenia w zakresie małych napięć. W porównaniu do standardowej diody Schottkiego, diody „elektroniczne” (nazywane również idealnymi) wykazują bardzo mały spadek napięcia i straty mocy. W prostowniku dwupołówkowym użyto tranzystory MOSFET o bardzo niskiej RDSon (rzędu miliomów). Idealne prostowniki są tradycyjnie używane jako elementy konstrukcyjne w zasilaczach impulsowych; są one często stosowane w niskostratnych przełącznikach mocy i zaczynają być stosowane jako prostowniki dwupołówkowe.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 4; 81-84
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza laserowych źródeł promieniowania do wykonywania pomiarów odległości pod wodą
The analyse of laser sources for underwater distance measurement
Autorzy:
Cywiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/366558.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Medycyny i Techniki Hiperbarycznej
Tematy:
laser
dalmierz
dioda laserowa
obiekt podwodny
równanie zasięgu
współczynnik ekstynkcji wody
rangefinder
laser diode
underwater object
range equation
beam attenuation coefficient
Opis:
W artykule zawarto syntetyczne zależności pozwalające oszacować wartości mocy sygnału tła oraz echa dla dalmierzy laserowych działających pod wodą. Przedstawiono skrótowo wnioski wynikające z badań dalmierza Nd:YAG do badań pod wodą. Zaprezentowano przykładowe dane półprzewodnikowych diod laserowych jako alternatywnych do tego typu zastosowań. Część końcowa to wyniki symulacji zasięgu działania diod laserowych. Artykuł zamykają wnioski będące wynikiem symulacji i spostrzeżeń wynikających z praktycznych zastosowań różnych laserów do badań pod wodą.
In the following article the synthetic relations allowing to estimate the power values of background signal and echo signal for underwater laser rangefinders has been presented. Conclusions follow from underwater researches of laser rangefinder Nd:YAG has been briefly presented. Example data of laser LEDs as an alternative source for such a purposes has been also presented. At the end of article the results of computation of laser’s LEDs operation range has been presented. The article is finished with conclusions followed from simulations and observations based on practical application of various lasers to underwater researches.
Źródło:
Polish Hyperbaric Research; 2011, 1(34); 55-66
1734-7009
2084-0535
Pojawia się w:
Polish Hyperbaric Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Nakielska, M.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Romaniec, M.
Malag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192203.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
heterostruktura
badania starzeniowe
niezawodność diody laserowej
laser diode
heterostructure
burn-in tests
degradation
Opis:
Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.
The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 3-13
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
Investigation of solder-induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192281.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
heterostruktura
montaż DL
In
eutektyk AuSn
laser diode
heterostructure
LD mounting
indium
eutectic AuSn
Opis:
Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 13-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Malag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192110.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
rezystancja termiczna
złącze p-n
pomiar termowizyjny
pomiar dynamiczny
charakterystyka spektralna
laser diode
thermal resistance
p-n junction
thermovision measurement
dynamics measurement
spectral characteristic
Opis:
W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 3-9
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Krzyżak, K.
Romaniec, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192166.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
test starzeniowy
degradacja diod
elektroluminescencja
laser diode
degradation of laser diode
life test
electroluminescence
Opis:
Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 3, 3; 5-10
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania stabilności termicznej interferencyjnego etalonu do stabilizacji częstotliwości diody laserowej
Studies of thermal stability of the interference etalon used for laser diode wavelength stabilization
Autorzy:
Dobosz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155371.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
etalon interferencyjny
dioda laserowa
różnica dróg optycznych
stabilizacja długości fali
interferometric etalon
laser diode
optical path difference
wavelength stabilization
Opis:
Przedstawiono metodę pomiarową i wyniki badań nowego interferencyjnego etalonu, przeznaczonego do stabilizacji częstotliwości fali światła emitowanego przez diodę laserową. Etalon stanowi stabilizowany termicznie klin optyczny. Testowano stabilność różnicy dróg optycznych etalonu przy stałej i zmiennej temperaturze otoczenia. Jako wzorzec częstotliwości wykorzystano stabilizowany częstotliwościowo laser HeNe. Zaprezentowano metodykę badań, sposób przeprowadzenia eksperymentu oraz analizę i interpretację otrzymanych wyników.
Experimental tests of the interference etalon designed for laser diode frequency stabilization are presented. A thermally stabilized optical wedge acts as the etalon. A special type of the etalon glass and applied thermal stabilization of the wedge should ensure the constant value of the etalon optical path difference (OPD) during changes of the ambient temperature. The aim of the presented study was to determine the change of the etalon temperature and its OPD as a function of the ambient temperature changes. At the beginning, measurements of the ambient temperature influence on the temperature indicated by a thermistor that controls the etalon temperature were taken. The experiments were carried out in a thermal chamber. The chamber temperature was changed by 12°C. The obtained thermal stabilization of the etalon thermistor can be characterized by the coefficient of the relative ambient temperature impact equal to about 1.6x10-5/K. A He-Ne wavelength stabilized laser was used as the frequency reference for testing the OPD stability during changes of the ambient temperature. Instability of the interferometer fringe phase generated by the etalon was observed. The obtained relative thermal change of the etalon OPD is equal to 5x10-9/°C of the ambient temperature change. Basing on the obtained coefficient and knowing the ambient temperature it is possible to apply numeric compensation of the laser wavelength. The obtained results are very satisfactory considering the simplicity of the system.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 1, 1; 22-23
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie termogramu
Temperature measurement of diode junction during their operation based on thermogram
Autorzy:
Dziarski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266564.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szacowanie wartości temperatury
dioda krzemowa
półprzewodniki
termowizja
measurement of temperature
semiconductor diode
thermovision
Opis:
W artykule przedstawiono związek pomiędzy zmierzoną termowizyjnie temperaturą obudowy ϑ C i temperaturą złącza diody półprzewodnikowej zmierzoną za pomocą metody stykowej. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań oraz skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób, w jaki oszacowano temperaturę pracującego złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej napięcie przewodzenia UF i jego temperaturę ϑj. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności ε zadawanego w kamerze termowizyjnej pozwalający uzyskać wystarczająco dokładny pomiar temperatury złącza.
When the temperature of the junction changes, characteristics of the semiconductor diode are changing too. Reliable measurement of junction’s temperature during their operation is difficult. The contact method of the measurement can provide information about of the case’s temperature. Good solution (omitting) these problems is indirect measurement of the junction’s temperature by a thermography. In the article the result of comparison of values of junction’s temperatures measured by the thermography and electrical method was based on measurement of forward voltage in a short period (20 ms) for the known UF = f(ϑj) characteristic.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2018, 59; 47-50
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Szacowanie wartości temperatury złącza półprzewodnikowego na podstawie wartości temperatury wyprowadzenia diody
Estimate of semiconductor diode junction temperature based on diode PIN
Autorzy:
Dziarski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376274.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
dioda półprzewodnikowa
wartość temperatury złącza
wyprowadzenie
termowizja
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono związek pomiędzy wartością temperatury wyprowadzenia i wartością temperatury złącza diody półprzewodnikowej w obudowie do montażu powierzchniowego. Przedstawiono parametry wybranych diod półprzewodnikowych. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań i skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób szacowania temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej wartość spadku napięcia UF i wartość temperatury. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności wyprowadzenia ε pozwalający uzyskać wystarczająco dokładną wartość temperatury wyprowadzenia, na podstawie której możliwe jest oszacowanie wartości temperatury złącza. Dodatkowo przedstawiono zastosowaną kamerę termowizyjną.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on junction temperature. Correct measurement is difficult because of a small size of the object. The measurements are especially complex for SMD (Surface Mount Device) diodes, which have a size of a few millimeters. Contact measurement method with temperature sensor is unreliable. Alternative way is the noncontact thermovision measurement, which can give an information about the temperature of the diode pins. In practice the information about diode junction is more significant. This article describe relation between a result of diode pins thermovision measurement and temperature of junction. The diodes with two semiconductors junctions in the same case was used. Junctions of the diodes was connected in various kind (common anode and common cathode). It was found relation, which allow estimate of junction temperature value based on pin temperature.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 243-254
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Termowizyjny pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej
Thermovision measurement of semiconductor diode junction temperature
Autorzy:
Dziarski, K.
Wiczyński, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377736.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
termowizja
dioda półprzewodnikowa
metrologia
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań pomiarów temperatury złączą diody półprzewodnikowej zabudowanej w obudowie do montażu powierzchniowego (SOT–23), przy pomocy metody bezkontaktowej. Przedstawiono układ pomiarowy i otrzymane wyniki pomiarów oraz szczegółowe parametry diody użytej do badania. Omówiono zależność wiążącą temperaturę obudowy diody z temperaturą złącza, warunki panujące w trakcie wykonywania eksperymentu, oraz wnioski wynikające z otrzymanych wyników.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on this temperature, however its correct measurement is difficult because of small size of the object. Measurements are especially complex for SMT (Surface Mount Technology) diodes of size 1 to 3 mm. Application of a contact temperature sensor is inefficient. Thus, an alternative way is the noncontact thermovision measurement which can give information on temperature of the diode case. However, in practice information about diode semiconductor junction is more significant. Experimental studies of the relation between a result of diode case thermovision measurement and temperature of junction inside the case have been undertaken. BAT54C diode with two junctions in the same case for SMT was used. One junction was temperature sensor while another one operated as heater. It was found that the temperature difference was not higher than 9°C what allows us to conclude that thermovision measurement of diode junction temperature may be useful in diagnostic testing of electronic circuits.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 295-305
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling of a micro-channel heat sink for cooling of high-power laser diode arrays
Autorzy:
Furmański, P.
Thualfaqir, K.
Łapka, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/240825.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
micro heat sink
laser diode arrays cooling
numerical simulation
chłodzenie
laser
dioda
radiator
modelowanie numeryczne
Opis:
Micro-channel heat sinks are used in a wide variety of applications, including microelectronic devices, computers and high-energy-laser mirrors. Due to the high power density that is encountered in these devices (the density of delivered electrical power up to a few kW/cm2 ) they require efficient cooling as their temperatures must generally not exceed 100 °C. In the paper a new design for micro-channel heat sink (MCHS) to be used for cooling laser diode arrays (LDA) is considered. It is made from copper and consisting of 37 micro-channels with length of 9.78 mm, width of 190 µm and depth of 180 µm with the deionized water as a cooling medium. Mathematical and numerical models of the proposed design of the heat sink were developed. A series of thermofluid numerical simulations were performed for various volumetric flow rates of the cooling medium, its inlet temperature and different thermal power released in the laser diode. The results show that the LDA temperature could be decreased from 14 to 17% in comparison with earlier proposed design of the heat sink with the further drop in temperature obtained by applying indium instead of gallium arsenide as the soldering material between the LDA and MCHS interface. Moreover, it was found that the maximum temperature, and therefore the thermal resistance of the considered heat sink, could be decreased by increasing the coolant flow rate.
Źródło:
Archives of Thermodynamics; 2018, 39, 3; 15-27
1231-0956
2083-6023
Pojawia się w:
Archives of Thermodynamics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 51

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies