Temat: dioda - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Ogniwa Peltiera w układach chłodzenia diod i matryc LED
Peltier module in systems of cooling the LEDs and LED matrices
Autorzy:: Szlaferek, M.
Parzych, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/377468.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: ogniwo Peltiera
dioda LED
Opis:: Układy chłodzenia diod i matryc LED stanowią obszerną grupę urządzeń i rozwiązań, która stale się powiększa z uwagi na ciągły rozwój w dziedzinie elektroluminescencyjnych źródeł promieniowania. Wraz z polepszaniem parametrów diod i matryc LED rosną też wymagania odnośnie ich układów chłodzenia. W układach tych występują wszystkie znane systemy używane do schładzania urządzeń elektronicznych: od najprostszych pasywnych (radiatory) do skomplikowanych kombinacji w aktywnych układach chłodzenia (wentylatorowe, cieczowe) oraz specjalne układy chłodzenia wykorzystujące np. ogniwa Peltiera. W niniejszym artykule skupiono się właśnie na zastosowaniu ogniw Peltiera w układach chłodzenia diod i matryc LED. Przedstawiono budowę, zasadę działania, rodzaje i parametry tych ogniw. Omówiono wybrane systemy chłodzenia oparte na ogniwach Peltiera oraz przeanalizowano wady i zalety takiego rozwiązania.
Cooling systems the LEDs and LED matrices constitute the extensive group of devices and solutions, which constantly is growing considering the constant development in the field of electroluminescent radiation sources. Along with improving parameters of LEDs and LED matrices also requirements grow in relation to their cooling systems. All known systems used for cooling electronic devices are appearing in these arrangements: from straightest passive (radiators) to complicated combinations in active cooling systems (fan, heat pump) and special cooling systems using Peltier module. The present article is just concentrated on using Peltier module in cooling systems of LEDs and LED matrices. A structure, principle of operation, types and parameters of these modules were described. Chosen cooling systems based on Peltier modules were discussed as well as an advantages and disadvantages of such a solution was analysed.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 333-344
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Termowizyjny pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej
Thermovision measurement of semiconductor diode junction temperature
Autorzy:: Dziarski, K.
Wiczyński, G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/377736.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: termowizja
dioda półprzewodnikowa
metrologia
Opis:: W artykule przedstawiono wyniki badań pomiarów temperatury złączą diody półprzewodnikowej zabudowanej w obudowie do montażu powierzchniowego (SOT–23), przy pomocy metody bezkontaktowej. Przedstawiono układ pomiarowy i otrzymane wyniki pomiarów oraz szczegółowe parametry diody użytej do badania. Omówiono zależność wiążącą temperaturę obudowy diody z temperaturą złącza, warunki panujące w trakcie wykonywania eksperymentu, oraz wnioski wynikające z otrzymanych wyników.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on this temperature, however its correct measurement is difficult because of small size of the object. Measurements are especially complex for SMT (Surface Mount Technology) diodes of size 1 to 3 mm. Application of a contact temperature sensor is inefficient. Thus, an alternative way is the noncontact thermovision measurement which can give information on temperature of the diode case. However, in practice information about diode semiconductor junction is more significant. Experimental studies of the relation between a result of diode case thermovision measurement and temperature of junction inside the case have been undertaken. BAT54C diode with two junctions in the same case for SMT was used. One junction was temperature sensor while another one operated as heater. It was found that the temperature difference was not higher than 9°C what allows us to conclude that thermovision measurement of diode junction temperature may be useful in diagnostic testing of electronic circuits.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 295-305
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Practical realization of ideal diode full-wave rectifiers
Praktyczna realizacja idealnego prostownika dwupołówkowego
Autorzy:: Chytil, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/407676.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:: dioda idealna
dioda półprzewodnikowa
prostownik pełnofalowy
MOSFET
ideal diode
electronic diode
full-wave rectifier
Opis:: This paper discuses practical realization of full-wave rectifiers made of electronic diodes for high current bipolar electronic loads. The presented solution minimizes the voltage drop and nonlinearity of loads in the region of low voltages. Compared to standard or Schottky diodes, electronic (also referred to as ideal) diodes exhibit very low voltage drop and power dissipation. In the full-wave rectifier, MOSFETs with very low RDSon (low units of milliohms) are used. Ideal rectifiers have been traditionally used as structural elements in switched power supplies; they are often applied in low dissipation power switches and started to be utilized as full-wave rectifiers.
Artykuł omawia praktyczną realizację prostownika dwupołówkowego wykonanego z użyciem diod prostowniczych dla obciążeń wysokoprądowych. Zaproponowane rozwiązanie minimalizuje spadek napięcia i nieliniowość obciążenia w zakresie małych napięć. W porównaniu do standardowej diody Schottkiego, diody „elektroniczne” (nazywane również idealnymi) wykazują bardzo mały spadek napięcia i straty mocy. W prostowniku dwupołówkowym użyto tranzystory MOSFET o bardzo niskiej RDSon (rzędu miliomów). Idealne prostowniki są tradycyjnie używane jako elementy konstrukcyjne w zasilaczach impulsowych; są one często stosowane w niskostratnych przełącznikach mocy i zaczynają być stosowane jako prostowniki dwupołówkowe.
Źródło:: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 4; 81-84
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
Rezonansowa dioda tunelowa z elektrodami magnetycznymi
Autorzy:: Szczepański, Tomasz
Kudła, Sylwia
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/129532.pdf
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
Tematy:: resonant tunnelling
diode
magnetic tunnelling diode
spintronics
rezonansowa dioda tunelowa
magnetyczna dioda tunelowa
spintronika
Opis:: We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
Źródło:: Physics for Economy; 2019, 3, 1; 41-51
2544-7742
2544-7750
Pojawia się w:: Physics for Economy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon ions
Autorzy:: Sharma, R. K.
Hazdra, P
Popelka, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397767.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: 4H-SiC
characterization
JBS diode
PIN diode
simulation
dioda JBS
dioda PIN
symulacje
Opis:: This paper presents the development and application of simulation models for proton and carbon irradiated 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes. Commercial JBS diode chips were irradiated to the identical depth with different doses of hydrogen and carbon ions. The resulting defects were then identified by deep level transient spectroscopy (DLTS). Comprehensive I-V and C-V measurement performed prior to and after ion irradiation was used for calibration of simulation models. Results show that compared to protons, heavier carbon ions introduce more defects with deeper levels in the SiC bandgap and more stable damage. For the first time, the free carrier concentration profile extracted from CV simulations for irradiated JBS diode has been compared with experimental data. The simulation of irradiated JBS diodes exhibit excellent matching with experimental data and can be very useful for the optimization of SiC power devices. Furthermore, it is shown that the developed model can be used for prediction of the effect of ion irradiation on both the static and dynamic characteristic of PiN diode.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 2; 59-63
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Iprovements OLED operation due to using additional layers
Poprawa działania diod typu OLED przy wykorzystaniu dodatkowych warstw
Autorzy:: Hotra, Z.
Volynyuk, D.
Voznyak, L.
Kostiv, N.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/159361.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: organiczna dioda elektroluminescencyjna
dioda
warstwa transportowa
elektroluminescencja
organic light emitting diodes
hole transport layer
electroluminescent
Opis:: In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
Źródło:: Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 19-24
0032-6216
Pojawia się w:: Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Układy chłodzenia diod i matryc LED
Systems of cooling the LEDs and LED matrices
Autorzy:: Szlaferek, M.
Parzych, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/377817.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: dioda LED
matryca LED
układy chłodzenia
Opis:: Niniejsza praca zawiera przegląd obecnie stosowanych układów chłodzenia diod i matryc LED. Zaprezentowano, zarówno najprostsze sposoby odprowadzania ciepła, z których korzysta się przy najprostszych diodach LED małej mocy, jak i bardziej skomplikowane systemy wykorzystywane do chłodzenia diod LED mocy i matryc LED. Przedstawiono wybrane rodzaje pasywnych oraz aktywnych układów chłodzenia oraz omówiono ich parametry i właściwości. Zwrócono również uwagę na wpływ wybranych czynników na pracę, zarówno diod i matryc LED, jak i samego systemu chłodzącego. Ponadto pokrótce omówiono programy komputerowe wykorzystywane do projektowania i obliczeń przy konstruowaniu układów chłodzenia.
This work contains a review of currently applied systems of cooling the LEDs and LED matrices. The simplest as well as more sophisticated cooling systems are presented. Parameters and properties of the selected kinds of passive and active cooling systems are described. Influence of some factors on the operation of the LEDs and on their cooling system has been taken into consideration. Moreover, computer programs to be used for the design these systems are briefly presented.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 88; 273-287
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottkyego z węglika krzemu
Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes
Autorzy:: Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/376490.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: modelowanie
dioda Schottky'ego
SPICE
węglik krzemu
Opis:: W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 137-144
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Szacowanie wartości temperatury złącza półprzewodnikowego na podstawie wartości temperatury wyprowadzenia diody
Estimate of semiconductor diode junction temperature based on diode PIN
Autorzy:: Dziarski, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/376274.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: dioda półprzewodnikowa
wartość temperatury złącza
wyprowadzenie
termowizja
Opis:: W niniejszym artykule przedstawiono związek pomiędzy wartością temperatury wyprowadzenia i wartością temperatury złącza diody półprzewodnikowej w obudowie do montażu powierzchniowego. Przedstawiono parametry wybranych diod półprzewodnikowych. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań i skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób szacowania temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej wartość spadku napięcia UF i wartość temperatury. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności wyprowadzenia ε pozwalający uzyskać wystarczająco dokładną wartość temperatury wyprowadzenia, na podstawie której możliwe jest oszacowanie wartości temperatury złącza. Dodatkowo przedstawiono zastosowaną kamerę termowizyjną.
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on junction temperature. Correct measurement is difficult because of a small size of the object. The measurements are especially complex for SMD (Surface Mount Device) diodes, which have a size of a few millimeters. Contact measurement method with temperature sensor is unreliable. Alternative way is the noncontact thermovision measurement, which can give an information about the temperature of the diode pins. In practice the information about diode junction is more significant. This article describe relation between a result of diode pins thermovision measurement and temperature of junction. The diodes with two semiconductors junctions in the same case was used. Junctions of the diodes was connected in various kind (common anode and common cathode). It was found relation, which allow estimate of junction temperature value based on pin temperature.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 243-254
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Ograniczenie prądu zwarciowego przez szeregowe dławiki z układem diodowym
Limitation on short current by serial reactors with circuit of diodes
Autorzy:: Baszyński, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/320373.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:: prąd zwarcia
dławik
dioda
short current
reactor
diode
Opis:: W artykule omówiono dwa sposoby ograniczenia prądu zwarcia: pierwszy, klasyczny, realizowany przez zwiększenie impedancji obwodu (włączenie w szereg z odbiornikiem dławika) oraz drugi, wykorzystujący prosty układ energoelektroniczny. Ponadto w artykule opisano negatywne oddziaływanie obu metod na system energetyczny.
This paper presents two methods of limitation of values of short currents. The first method is achieved by increasing inductance, caused by serial connection of the additional reactor to load. This method is not recommended because of drop of other loads voltage. The second method uses a simple power electronics circuit composed of two diodes and two reactors. A comparison of efficiency and a negative influence of both methods on supply network is discussed.
Źródło:: Elektrotechnika i Elektronika; 2005, 24, 2; 119-124
1640-7202
Pojawia się w:: Elektrotechnika i Elektronika
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "dioda" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język