Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "diffusion length" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Some remarks on positron/positronium diffusion models
    Autorzy:
    Świątkowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/148428.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    diffusion
    diffusion length
    positron
    positronium
    Opis:
    Positrons thermalized near the sample boundary (as well as Ps atoms formed in the sample) can reach the boundary as a result of diffusive movement. Observations of such effects as positron reemission or positron surface trapping as well as positronium emission allow one to calculate respective diffusion lengths. From the presented analysis it follows that some models used in such calculations give quite wrong results.
    Źródło:
    Nukleonika; 2003, 48, 3; 141-144
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Heat path characterization of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
    Autorzy:
    Masana, F. N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/398138.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    opór cieplny
    ścieżka cieplna
    dyfuzja
    droga dyfuzji
    efuzyjność
    thermal impedance
    heat path
    diffusion
    diffusion length
    effusivity
    Opis:
    Thermal impedance measurement of semiconductor devices is one of the standard and well established methods of characterization. From such measurements can be obtained not only behavioral information in the form of graphs or models for thermal simulation, but also structural information about the thermal path involved, from source to sink, that can be very useful in device assembly process characterization and control. Structural information, however, usually requires many processing steps of measured data with its associated calculation burden and numerical errors. This work proposes a method to extract structural information from measured data in a straightforward way, with very few and elementary calculations, thus providing a useful analysis tool.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 100-104
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Determination of space charge region width and diffusion length in Cu(In,Ga)(S,Se)2 absorber from solar cell spectral characteristics
    Autorzy:
    Tivanov, M.
    Patryn, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118474.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    CdS
    CIGSS
    space-charge region width
    diffusion length
    photocurrent spectra
    photovoltage spectra
    CD
    szerokość obszaru ładunku przestrzennego
    długość drogi dyfuzji
    widma fotoprądu
    widma ogniwa słonecznego
    Opis:
    In this work we present simple non-destructive method for extracting of Cu(In,Ga)(S,Se)2-based solar cell parameters (space-charge region width and diffusion length of minority charge carriers in Cu(In,Ga)(S,Se)2 absorber) from the analysis of solar cell spectral characteristics. This method is based on one-dimensional model of a solar cell when the change of in-depth distribution of the photogenerated carriers and, hence, the change of its photoresponse with the variation of excitation wave-length in solar cell is taking into account. The following assumptions are accepted: the reflection of charge carriers from back contact and the «drawing» fields in the quasi-neutral area of the absorber layers are negligible; window and buffer layers are transparent in the analyzed of spectrum range; the injection level of minority charge carriers is low; the recombination losses at the metallurgical p-n-junction interface of the studied photosensitive structure are dependent linearly on the photocurrent density.
    W pracy przedstawiono prostą metodę nieniszczącego wyznaczenia parametrów (szerokość obszaru ładunku przestrzennego i długość drogi dyfuzji mniejszościowych nośników ładunku w absorberze) dla ogniw słonecznych na bazie Cu(In,Ga)(S, Se)2 z analizy charakterystyk widmowych ogniw słonecznych. Metoda opiera się na jednowymiarowym modelu ogniwa słonecznego, kiedy zmiana rozkładu generowanych optycznie nośników jest prostopadła do powierzchni i zmiana fotoodpowiedzi ze zmianą długości fali światła wzbudzającego jest brana pod uwagę. Przyjęto poniższe założenia: odbicie nośników ładunku od tylnego kontaktu oraz zmiana pola profilu w okolicy quasi-neutralne warstw absorbera są nieistotne; warstwy czołowa i buforowa są przezroczyste w analizowanym zakresie widmowym; poziom generacji mniejszościowych nośników ładunku jest niski; straty rekombinacyjne w bazowym n-p złączu badanej struktury są uzależnione światłoczułych liniowo od gęstości fotoprądu.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2014, 6; 69-76
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies