Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "diffusion barrier" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Inverse Model for the Solute Micro-Field Formation during Self-Propagating High Temperature Reaction
Autorzy:
Wołczyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351234.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
diffusion equation
diffusion barrier
self-propagating synthesis
Opis:
A new thermodynamic description for the self-propagating high temperature synthesis (SHS - reaction) is presented in the “inverse” version. This description is worked out for the diffusion barrier, thickness of which is at the limit, i.e. its value is infinitesimally small. The solution to the diffusion equation delivered in the description can be easily extended for the diffusion barrier of a greater thickness. The Ni/Al multi-layers system is treated as a virtual eutectic alloy solidifying with the rate equal to that involved by the self-propagating reaction. It is suggested to inverse the curves obtained for solidification in order to characterize the melting completed by the formation of the AlNi - intermetallic phase required in the self-propagating synthesis.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 1; 141-147
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic characterization of the nickel layer protecting the copper wires in harsh applications
Autorzy:
Roger, D.
Duchesne, S.
Iosif, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/140802.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
high temperature motor winding
nickel diffusion barrier
temperature dependent magnetic properties
Opis:
High Temperature (HT°) motor coils open new perspectives for extending the applications of electrical motors or generators to very harsh environments or for designing very high power density machines working with high internal temperature gradients. Over a temperature of 300E°, the classic enameled wire cannot work permanently, the turn-to-turn insulation must be inorganic and made with high temperature textiles or vitro-ceramic compounds. For both cases, a diffusion barrier must protect the copper wire against oxidation. The usual solution consists of adding a nickel layer that yields an excellent chemical protection. Unfortunately, the nickel has ferromagnetic properties that change a lot the skin effect in the HT wire at high frequencies. For many applications such as aeronautics, electrical machines are always associated with PWM inverters for their control. The windings must resist to high voltage short spikes caused by the fast fronted pulses imposed by the feeding inverter. The nickel protection layer of the HTE inorganic wire has a large influence on the high frequency behavior of coils and, consequently, on the magnitude of the voltage spikes. A good knowledge of the non-linear magnetic characteristics of this nickel layer is helpful for designing reliable HT inorganic coils. The paper presents a method able to characterize non-linear electromagnetic properties of this nickel layer up to 500E°.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2017, 66, 2; 253-263
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermodynamic Prediction Of The Diffusion Barrier Morphology In The Al/Ni – Nano-Foil Designed For The Self-Propagating Reaction
Termodynamiczne przewidywania morfologii bariery dyfuzyjnej w folii Al/Ni przeznaczonej do samonapędzającej się reakcji
Autorzy:
Wołczyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356774.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
meta-stable solidification
intermetallic phases
diffusion barrier
krzepnięcie
fazy międzymetaliczne
bariera dyfuzyjna
Opis:
Thermodynamic model for the diffusion barrier formation in the Al/Ni nano-foil is presented. Two types of diffusion are distinguished in the model, boundary diffusion for substrate dissolution and bulk diffusion for solidification. The creation of two phases: Al3Ni, Al3Ni2 in the diffusion barrier are predicted due to the cyclical manner of the dissolution and solidification occurrence.
Przedstawiony jest termodynamiczny model formowania bariery dyfuzyjnej w nano-folii Al/Ni. Wyróżniono dwa typy dyfuzji, dyfuzję graniczną dla rozpuszczania oraz dyfuzję objętościową dla krystalizacji. Przewidziano tworzenie się dwu faz: Al3Ni, Al3Ni2 w barierze dyfuzyjnej stosownie do cyklicznego przebiegu rozpuszczania i krystalizacji.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2421-2429
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transperitoneal transport dynamics of methotrexate in vitro: tissue and diffusion barriers
Autorzy:
Czyzewska, K
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/69773.pdf
Data publikacji:
1995
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
transport dynamics
diffusion barrier
anticancer drug
transport asymmetry
in vitro
methotrexate
intraperitoneal pharmacotherapy
mesothelial barrier
peritoneal membrane
intraperitoneal chemotherapy
ovarian cancer
rabbit
tissue
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 1995, 46, 2
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Złącza elektryczne w modułach termoelektrycznych
Electrical junctions in thermoelectric modules
Autorzy:
Zybała, R.
Pietrzak, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192004.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
materiał termoelektryczny
moduł termoelektryczny
złącze elektryczne
lutowanie
zgrzewanie oporowe
bariery dyfuzyjne
thermoelectric material
thermoelectric module
junction
soldering
electric resistance welding
diffusion barrier
Opis:
W artykule podjęto próbę przybliżenia zagadnień dotyczących złącz kontaktowych pomiędzy półprzewodnikowymi materiałami termoelektrycznymi, a elektrodami metalicznymi. Materiały termoelektryczne można wykorzystać do konstrukcji modułów termoelektrycznych, które z kolei zastosowane w generatorach termoelektrycznych TEG mogą przetwarzać energię cieplną bezpośrednio na energię elektryczną. Sprawność urządzeń wykorzystujących zjawiska termoelektryczne zależy zasadniczo od fizykochemicznych właściwości materiałów termoelektrycznych. Jednak jak wynika z prowadzonych od wielu lat badań, niewiele mniej istotny wpływ na sprawność modułów ma jakość wykonanych złącz elektrycznych. W trakcie projektowania urządzeń bazujących na materiałach termoelektrycznych, ważne jest także zwrócenie uwagi na dobór odpowiednich barier ochronnych hamujących procesy dyfuzji na granicy złącz oraz metod badawczych, w celu określenia jakości złącz metal/półprzewodnik. Poszczególne części artykułu przedstawiają opisy kryterium oceny jakości, metod wytwarzania oraz ochrony złącz. Osobna część artykułu w całości dotyczy zjawisk zachodzących na granicy złącz pracujących w wysokich temperaturach oraz ich rozwiązań opracowywanych w różnych ośrodkach badawczych. W artykule poza przybliżeniem zagadnień dotyczących zasad działania oraz idei konstrukcji modułu termoelektrycznego, zwrócono także uwagę na takie kluczowe aspekty, które związane są bezpośrednio z łączeniem, charakteryzacją, oraz ochroną materiałów termoelektrycznych.
This paper attempts to give an overview of junctions between thermoelectric semiconductor materials and metal electrodes. Thermoelectric materials TM can be used for the construction of thermoelectric modules, which are in turn applied in thermoelectric generators TEG for conversion of thermal energy directly into electric energy. The efficiency of devices based on thermoelectric effects depends essentially on the physicochemical properties of thermoelectric materials. After many years of research, it can be concluded that the impact of the quality of electrical junctions on the efficiency of modules is only slightly less profound. For devices based on thermoelectric materials, it is also important to pay attention to the choice of both appropriate protective barriers inhibiting diffusion processes on the junction border and test methods in order to enable the determination of the quality of the metal/TM junctions. Different parts of the paper are devoted to the assessment criteria of the quality of the junctions as well as their manufacture and protection. A separate part of the article is focused on phenomena taking place at the junctions working at high temperatures and solutions to relevant problems proposed by different research centers. Apart from providing a description of the principles of operation of the thermoelectric modules and the idea behind their design, the paper draws attention to such key aspects as the connection and characterization process as well as the protection of thermoelectric materials against degradation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 9-17
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Barrier Structures on the Basis of Graded-Band-Gap CdHgTe Obtained by Evaporation-Condensation-Diffusion Method
Autorzy:
Świątek, Z.
Vlasov, A. P.
Ivashko, M. V.
Petryna, R. L.
Bonchyk, A. Yu.
Sokolovskii, B. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/958223.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
obtaining photovoltaic structures
barrier structures
evaporation-condensation-diffusion method
Opis:
The paper presents the methods of obtaining photovoltaic structures based on CdXHg1-XTe graded-band-gap epitaxial layers. Barriers in these structures were formed by solid phase doping of the material with low-diffusing impurities (As). High-temperature diffusion of acceptor impurity (As) in intrinsically defective material of n-type conductivity as well as ion introducing the donor impurity (B) in uniformly doped during the epitaxy process material of p-type of conductivity have been used. The possibility of creating multi-element graded-band-gap photovoltaic structures suitable for broad band detection of infrared radiation as a result of epitaxial growth by evaporation-condensation-diffusion method has been demonstrated.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 1; 115-122
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Diffusion of helium in the perfect uranium and thorium dioxide single crystals
Autorzy:
Dąbrowski, L.
Szuta, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147700.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
uranium
thorium dioxide
diffusion
tunneling
DFT+U
generalized gradient approximation (GGA)
potential barrier
incorporated helium
Opis:
We present quantum-mechanical evaluation of helium diffusion coefficient in the crystalline UO2 and ThO2. Parameters assignment of Schrödinger’s equation were done using the crystal field potentials which were obtained applying the density functional theory (DFT). “Ab initio” calculations were performed using the Wien2k program package. To compute the unit cell parameters the 13 atom super-cell was chosen. Applying two-site model we evaluated the time for an over-barrier jump and diffusion of interstitial He. The obtained values for diffusion coefficient are compared with the experimentally obtained values and with the theoretical values of other authors. In addition, it is simultaneously shown that helium diffusion in these materials is a quantum diffusion.
Źródło:
Nukleonika; 2013, 58, 2; 295-300
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies