Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "dielectric coatings" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Acoustic emission signals associated with prebreakdown state in air high voltage insulating systems
Autorzy:
Dobrzycki, A.
Opydo, W.
Zakrzewski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97311.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
high voltage insulating system
breakdown voltage
acoustic emission method
dielectric coatings
Opis:
The paper presents the method of acoustic emission (AE) in the study of the state of insulation systems with air as the high-voltage insulation. The tested object was a planar system of electrodes made of aluminum. In addition, the analysis of AE signals and the impact on these signals the presence of dielectric coating on the electrode surfaces of aluminum was tested. We examined the influence of saturation (seal) these coatings on the dielectric strength of the insulation system. The study was conducted at an air pressure values 1·105, 3·105 and 5·105 Pa. The strength of the electrical systems were tested at alternating voltage with a frequency of 50 Hz. Noted pros and cons of using the method of EA in the context of the assessment of high-voltage electric insulation devices. The presented results confirm the possibility of using acoustic emission method, not only for identifying vulnerable areas, but also to predict the time of of further use of high voltage device.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2015, 13; 278-286
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Internal Friction and Youngs Modulus Measurements on SiO2 and Ta2O5 Films Done with an Ultra-High Q Silicon-Wafer Suspension
Badania tarcia wewnętrznego i modułu Younga w warstwach SiO2 i Ta2O5 przeprowadzone w układzie zawierającym mocowanie próbki w postaci wafli krzemowych, które charakteryzuje się skrajnie wysoką wartością parametru Q
Autorzy:
Granata, M.
Balzarini, L.
Degallaix, J.
Dolique, V.
Flaminio, R.
Forest, D.
Hofman, D.
Michel, C.
Pedurand, R.
Pinard, L.
Sassolas, B.
Straniero, N.
Teillon, J.
Cagnoli, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355448.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ultra low loss suspensions
Q measurements
optical dielectric coatings
silica
tantala Ta2O5
thin films
niskie straty układu zawieszenia
pomiar Q
optyczne powłoki dielektryczne
krzemionka
tantal Ta2O5
cienkie warstwy
Opis:
In order to study the internal friction of thin films a nodal suspension system called GeNS (Gentle Nodal Suspension) has been developed. The key features of this system are: i) the possibility to use substrates easily available like silicon wafers; ii) extremely low excess losses coming from the suspension system which allows to measure Q factors in excess of 2×108 on 3” diameter wafers; iii) reproducibility of measurements within few percent on mechanical losses and 0.01% on resonant frequencies; iv) absence of clamping; v) the capability to operate at cryogenic temperatures. Measurements at cryogenic temperatures on SiO2 and at room temperature only on Ta2O5 films deposited on silicon are presented.
Aby umożliwić prowadzenie badań tarcia wewnętrznego (Q-1 ) w cienkich warstwach opracowano węzłowy układ zawieszenia o nazwie GeNS (Gentle Nodal Suspension). Do najważniejszych cech charakterystycznych tego układu zaliczamy: i) możliwość wykorzystania łatwo dostępnych substratów, takich jak wafle krzemowe; ii) bardzo niskie straty nadmiarowe pochodzące z samego układu zawieszenia, co umożliwia pomiar wielkości Q przekraczających wartość 2×108 na waflach o średnicy 3”; iii) powtarzalność wyników pomiarów strat mechanicznych w zakresie kilku procent, a częstotliwości rezonansowej w zakresie 0,01%; iv) brak mocowań próbki; v) możliwość prowadzenia pomiarów w temperaturach kriogenicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów uzyskanych w temperaturach kriogenicznych dla SiO2 i przy temperaturze pokojowej dla warstw Ta2O5 osadzonych na krzemie.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 365-370
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies