Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "diamond-like carbon layers" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode
Autorzy:
Barth, W.
Dębski, T.
Rangelow, I.W.
Grabiec, P.
Studzińska, K.
Zaborowski, M.
Mitura, S.
Biehl, S.
Hudek, P.
Kostic, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308414.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
field-emission array
field emission display
diamond-like-carbon layers emission
silicon micromachining
self-alignment technology
Opis:
A new method for the fabrication of field emission arrays (FEA) based on bulk/surface silicon micromachining and diamond-like-carbon (DLC) coating was developed. A matrix of self-aligned electron field emitters is formed in silicon by mean anisotropic etching in alkali solution of the front silicon film through micro holes opened in silicon oxide layer. The field emission of the fabricated emitter tips is enhanced by a diamond-like-carbon film formed by chemical vapor deposition on the microtips. Back side contacts are formed by metal patterning. Detailed Raman, Auger and TEM investigations of the deposited DLC films (nanocrystalline diamond smaller than 10 nm) will be presented. In this paper we discuss the problems related to the development of field emission arrays technology. We also demonstrate examples of devices fabricated according to those technologies.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 49-52
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission
Autorzy:
Gronau, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308655.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
carbon layers
diamond-like carbon (DLC)
field emission
RF PACVD
AFM
capacitance-voltage (C-V)
current-voltage (I-V)
Opis:
The aim of this work is to study a possibility of field electron emission from carbon layers produced by radio frequency plasma chemical vapor deposition (RF PCVD) method. A correlation between electric parameters of the layers and the ability to produce electron emission is also studied through material (AFM) and electrical (C-V, I-V) characterization of the obtained layers. It is demonstrated that the layers deposited with the highest self-bias exhibit the highest capacity for electron emission.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 37-38
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of RF ICP PECVD process parameters of diamond-like carbon films on DC bias and optical emission spectra
Autorzy:
Oleszkiewicz, W
Markowski, J
Srnanek, R
Kijaszek, W
Gryglewicz, J
Kovac, J
Tlaczala, M
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173686.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
PECVD
diamond-like carbon layers
OES
Raman spectroscopy
AFM
Opis:
The work presents the results of a research carried out with PlasmaLab Plus 100 system, manufactured by Oxford Instruments Company. The system was configured for deposition of diamond-like carbon films by ICP PECVD method. The change of an initial value of DC bias was investigated as a function of set values of the generator power (RF generator and ICP generator) in the constant power of the RF generator operation mode. The research shows that the value of DC bias nearly linearly depends on the RF generator power value and is affected only in a small degree by the power of ICP discharge. The capability of an installed OES spectrometer has been used to ensure the same starting conditions for the deposition processes of DLC films. The analysis of OES spectra of RF plasma discharge used in the deposition processes shows that the increase in ICP discharge power value results in the increased efficiency of the ionization process of a gaseous precursor (CH4). The quality of deposited DLC layers was examined by Raman spectroscopy. Basing on the acquired Raman spectra, the theoretical content of sp3 bonds in the structure of the film was estimated. The content is ranging from 30% to 65% and depends on ICP PECVD deposition process parameters.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 109-115
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bezpośrednia laserowa litografia interferencyjna w periodycznej obróbce biomateriałów
Direct laser interference lithography in periodical treatment of biomaterials
Autorzy:
Czyż, K.
Strzelec, M.
Marczak, J.
Rycyk, A.
Sarzyński, A.
Major, R.
Patron, Z.
Jach, K.
Świerczyński, R.
Warchulak, P.
Garbacz, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208791.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
inżynieria materiałowa
mikroobróbka laserowa
litografia interferencyjna
stopy tytanu
warstwy diamentopodobne
biomateriały
materials engineering
laser micromachining
interference lithography
titanium alloys
diamond-like carbon layers
biomaterials
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań nowoczesnej technologii mikroobróbki laserowej biomateriałów opartej na wykorzystaniu interferencji impulsowych wiązek laserowych o dużej energii. Przeanalizowano wpływ polaryzacji promieniowania na formę wzorów w obrazie interferencyjnym. Eksperymentalnie wyznaczono wartości progów ablacji laserowej dla tytanu i warstw diamentopodobnych. W serii eksperymentów potwierdzono szczególne zalety metody bezpośredniej interferencyjnej litografii laserowej w periodycznej modyfikacji powierzchni dla uzyskania różnych jej topografii, włącznie ze strukturami hierarchicznymi, o różnym okresie i wymiarach wzorów. Opisano zastosowania tej technologii do kształtowania powierzchni materiałów wszczepialnych oraz rusztowań dla hodowli komórek i tkanek w bioinżynierii.
The paper presents the results of research on modern laser micromachining technology based on utilization of the interference field of high energy, pulse laser beams. The influence of radiation polarization on a pattern shape in an interference image has been analyzed theoretically. Values of laser ablation threshold for titanium and diamond-like coatings were determined experimentally. The particular advantages of the direct laser interference lithography method have been shown in a series of tests devoted to the periodical surface topography modification, including creation of hierarchical structures with different periods and feature dimensions. Another trial of tests has confirmed also the application potential of this technique in shaping of implant surfaces as well as preparation of scaffolds for cells and tissues culturing in bioengineering.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2016, 65, 4; 31-53
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies