Temat: device modeling - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Influence of a charge region on the operation of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiodes
Autorzy:: Jurenczyk, J
Zak, D
Kaniewski, J
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/173910.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: avalanche photodiode
device modeling
InGaAs
Opis:: Avalanche photodiodes (APDs) operating at 1.55 μm wavelength are used in many different applications. Therefore, specialized devices with modified electrical characteristics are often strongly needed. In order to design and produce such structures, advanced modeling techniques and computer aided design (CAD) software are utilized. In the paper, modeling results of avalanche photodiodes with separated regions of absorption, grading, charge and multiplication (SAGCM) are presented. Simulations of diode structures were performed using APSYS software developed by Crosslight. Extensive calculations allowed for the detailed analysis of individual regions of the device and the determination of their influence on diode characteristics. Simulations showed a pronounced influence of the charge region on characteristics and performance of the device. Changes of the doping level of this layer exhibited strong modification in the band-to-band tunneling effect. Simultaneously it influenced the characteristics related to the Zener effect and carrier transport.
Źródło:: Optica Applicata; 2013, 43, 1; 39-46
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:: Optica Applicata
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: New approach to power semiconductor devices modeling
Autorzy:: Napieralski, A.
Napieralska, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308039.pdf
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: power device modeling
SPICE
circuit simulation
VDMOS
PIN diode
IGBT
web-based simulation
Opis:: The main problems occurring during high power device modeling are discussed in this paper. Unipolar and bipolar device properties are compared and the problems concerning high time-constant values related to the diffusion phenomena in the large base are explained. Traditional and novel concepts of power device simulation are presented. In order to make accurate and modern semiconductor device models widely accessible, a website has been designed and made available to Internet users, allowing them to perform simulations of electronic circuits containing high power semiconductor devices. In this software, a new distributed model of power diode has been included. Together with the existing VDMOS macromodel library, the presented approach can facilitate the design process of power circuits. In the future, distributed models of IGBT, BJT and thyristor will be added.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 80-89
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime
Autorzy:: Osthaug, J.
Fjeldly, T.A.
Iniguez, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308041.pdf
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: sub-100 nm MOSFET
two-dimensional device modeling
conformal mapping
threshold voltage
subthreshold regime
leakage current
Opis:: Closed-form 2D modeling of deep-submicron and sub-100 nm MOSFETs is explored using a conformal mapping technique where the 2D Poisson equation in the depletion regions is separated into a 1D long-channel case and a 2D Laplace equation. The 1D solution defines the boundary potential values for the Laplacian, which in turn provides a 2D correction of the channel potential. The model has been tested for classical MOSFETs with gate lengths in the range 200-250 nm, and for a super-steep retrograde MOSFET with a gate length of 70 nm. With a minimal parameter set, the present modeling reproduces both qualitatively and quantitatively the experimental data obtained for such devices.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 70-79
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:: A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397997.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:: A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 111-118
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:: Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: 2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy
Opis:: In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modeling of circulatory system with coronary circulation and the POLVAD ventricular assist device
Autorzy:: Siewnicka, A.
Fajdek, B.
Janiszowski, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/384942.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:: PExSim
modeling of the circulatory system
modeling of the coronary system
modeling of the ventricular assist device
POLVAD
Opis:: This paper presents an application of a numerical package for modeling and simulation of human circulatory system. The model includes a coronary circulation and the parallel heart assistance. The cases of the simulation of the proper and the pathology circulation conditions, such as left or right heart failure are shown. A description of the coronary circulation system is presented and obtained coronary sinus occlusion simulation results are included. An implementation of the whole package as a part of PExSim application is contained. The identification experiment for the ventricular assist device has been described and different methods of the artificial ventricle modeling are presented. An example of use of a fuzzy logic to presentation the dynamics of the POLVAD device is also included. Advantages of developed simulation platform are discussed.
Źródło:: Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2012, 6, 4; 7-12
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:: Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Verilog-A Compact Semiconductor Device Modelling and Circuit Macromodelling with the QucsStudio-ADMS "Turn-Key" Modelling System
Autorzy:: Brinson, M. E.
Margraf, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/398029.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: QucsStudio
ADMS
Verilog-A
modelowanie turn-key
compact device modelling
turn-key component modeling
Opis:: The Verilog-A "Analogue Device Model Synthesizer" (ADMS) has in recent years become an established modelling tool for GNU General Public License circuit simulator development. Qucs and ngspice are two examples of open source circuit simulators that employ ADMS for compact semiconductor model construction. This paper presents a "turn- key" compact device modelling and circuit macromodelling system based on ADMS and implemented in the QucsStudio circuit design, simulation and manufacturing environment. A core feature of the new system is a modelling procedure which does not require users to manually patch, by hand, circuit simulator C++ code. At the start of QucsStudio simulation the software automatically detects any changes in Verilog-A model code, re-compiling and dynamically linking the modified code to the body of the QucsStudio cod e. The inherent flexibility of the "turn-key" system encourage s rapid experimentation with analogue and RF compact device models and circuit macromodels. In this paper QucsStudio "turn-key" modelling is illustrated by the design of a single stage RF amplifier circuit and the Harmonic Balance large signal AC simulation of a 50 Ω RF diode switch.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 32-40
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Modeling of negative bias temperature instability
Autorzy:: Grasser, T.
Selberherr, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308767.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: reliability
negative bias temperature instability
modeling
simulation
hydrogen
silicon dioxide
defects
interface states
semiconductor device equations
Opis:: Negative bias temperature instability is regarded as one of the most important reliability concerns of highly scaled PMOS transistors. As a consequence of the continuous downscaling of semiconductor devices this issue has become even more important over the last couple of years due to the high electric fields in the oxide and the routine incorporation of nitrogen. During negative bias temperature stress a shift in important parameters of PMOS transistors, such as the threshold voltage, subthreshold slope, and mobility is observed. Modeling efforts date back to the reaction-diffusion model proposed by Jeppson and Svensson thirty years ago which has been continuously refined since then. Although the reaction-diffusion model is able to explain many experimentally observed characteristics, some microscopic details are still not well understood. Recently, various alternative explanations have been put forward, some of them extending, some of them contradicting the standard reaction-diffusion model. We review these explanations with a special focus on modeling issues.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 92-102
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Determination of the functional and service characteristics of the pneumatic system of an agricultural tractor with mechanical brakes using simulation methods
Wyznaczanie metodami symulacyjnymi właściwości funkcjonalnoużytkowych pneumatycznej instalacji ciągnika rolniczego z hamulcami mechanicznymi
Autorzy:: Kamiński, Z.
Kulikowski, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1365946.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
Tematy:: farm tractor
pneumatics
braking system
energy-supplying device
trailer control valve
modeling
simulation
ciągnik rolniczy
pneumatyka
układ hamulcowy
zespół zasilający
zawór sterujący hamulcami przyczepy
modelowanie
symulacja
Opis:: Agricultural tractors are provided with air braking systems to control and operate braking systems of towed agricultural vehicles. Functional and operational characteristics of the tractor pneumatic system have a significant influence on the synchrony and operate speed of tractor-trailer unit braking system. This paper presents a mathematical model to predict the functional and operational characteristics of tractor pneumatic system by using a digital simulation. Modeling of the energy supplying device (compressor, governor, air reservoir) and modeling of the control device with trailer control valve mechanically connected with the tractor brakes is described. Results of statistical Kolmogorov-Smirnov test used to assess the conformity of experimental and simulated pressure transients during testing the compressor capacity and the response time of control circuit of Pronar 320AM tractor confirmed the computer model developed in Matlab-Simulink. The computer model can be used as a tool to assess the functional and operational characteristics of tractor pneumatic system within the designing process and as a subsystem to analyze transient processes in a pneumatic braking systems of the tractor-trailer units by using simulation methods. Mathematical models of selected components can be also used in modeling other pneumatic braking systems of commercial vehicles.
Ciągniki rolnicze są wyposażone w powietrzne instalacje hamulcowe do sterowania i napędu układów hamulcowych pojazdów ciągnionych. Właściwości funkcjonalno-użytkowe instalacji pneumatycznej ciągnika mają istotny wpływ na synchronię i szybkość działania układu hamulcowego zespołu ciągnik-przyczepa. W niniejszej pracy przedstawiono model matematyczny do prognozowania właściwości funkcjonalno-użytkowych układu pneumatycznego ciągnika metodą symulacji cyfrowej. Opisano modelowanie zespołu zasilającego (sprężarka, regulator, zbiornik powietrza) i modelowanie zespołu sterującego z zaworem sterującym hamulcami przyczepy połączonym mechanicznie z hamulcami ciągnika. Wyniki testu statystycznego Kołmogorowa-Smirnowa oceny zgodności doświadczalnych i symulowanych przebiegów czasowych ciśnienia podczas badania wydatku sprężarki i czasu reakcji obwodu sterującego ciągnika Pronar 320AM potwierdziły adekwatność opracowanego w Matlabie-Simulinku modelu komputerowego. Model komputerowy może być wykorzystany jako narzędzie do oceny właściwości eksploatacyjno-użytkowych instalacji pneumatycznej ciągnika w procesie projektowania oraz jako podsystem do analizy metodami symulacyjnymi procesów przejściowych w pneumatycznych układach hamulcowych zespołów ciągnik-przyczepa. Modele matematyczne wybranych komponentów instalacji mogą być również wykorzystane w modelowaniu innych pneumatycznych układów hamulcowych pojazdów użytkowych.
Źródło:: Eksploatacja i Niezawodność; 2015, 17, 3; 355-364
1507-2711
Pojawia się w:: Eksploatacja i Niezawodność
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Autorzy:: Schwarz, Mike
Calvet, Laurie E.
Snyder, John P.
Krauss, Tillmann
Schwalke, Udo
Kloes, Alexander
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397926.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: Poisson equation
device simulation
field emission
modeling
MOSFET
process simulation
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
tunneling current
równanie Poissona
emisja polowa
modelowanie
symulacja procesu
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd tunelowy
Opis:: In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 1; 1-8
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "device modeling" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język