Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "current-voltage" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów

Dostawca treści

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 123
Tytuł:
Current-voltage characteristic and electroluminescence of UV LEDs 365 nm at liquid nitrogen temperature
Autorzy:
Veleschuk, Vitaly
Vlasenko, Alexander
Vlasenko, Zoya
Petrenko, Ihor
Malyi, Yevhen
Borshch, Vladimir
Borshch, Olena
Shefer, Alexander
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174330.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
S-shaped current-voltage characteristic
UV LED
Opis:
For InGaN/AlGaN/GaN ultraviolet (λ = 365 nm) light emitting diodes, the S-shaped current-voltage characteristic was observed at liquid nitrogen temperature due to the transition from single injection (electrons) to double (electrons and holes) injection. Initially only electron injection into the active region takes place and as the current is increased, the injection of holes starts. It has been found that at the voltage of the minimum of the negative differential resistance region, oscillations of the current, accompanied by increasing electroluminescence intensity arise, and the repetition rate of the oscillations increases with the direct current rise. The intensity of the main ultraviolet and yellow electroluminescence bands sharply increases with increasing current at negative differential resistance region due to the rise of holes injection.
Źródło:
Optica Applicata; 2019, 49, 1; 125-133
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dynamic Charge Carrier Transport Behaviors in Zirconium Oxide for Nuclear Cladding Materials
Autorzy:
Park, Il-Kyu
Lee, Sang-Seok
Mok, Yong Kyoon
Jeon, Chan-Woo
Kim, Hyun-Gil
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351043.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
zirconium
nuclear cladding
Zr oxide
capacitance-voltage
current-voltage
Opis:
Dynamic charge carrier transport behavior in the zirconium (Zr) oxide was investigated based on the frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) and temperature-dependent current-voltage (I-V) measurements. The Zr oxide was formed on the ZIRLO and newly developed zirconium-based alloy (NDZ) by corrosion in the PWR-simulated loop at 360°C. The corrosion test for 90 days showed that the NDZ exhibits better corrosion resistance than ZIRLO alloy. Based on the C-V measurement, dielectric constant values for the Zr oxide was estimated to be 11.28 and 11.52 for the ZIRLO and NDZ. The capacitance difference between low and high frequency was larger in the ZIRLO than in the NDZ, which was attributed to more mobile electrical charge carriers in the oxide layer on the ZIRLO alloy. The current through the oxide layers on the ZIRLO increased more drastically with increasing temperature than on the NDZ, which indicating that more charge trap sites exist in the ZIRLO than in NDZ. Based on the dynamiccharge carrier transport behavior, it was concluded that the electrical charge carrier transport within the oxide layers was closely related with the corrosion behavior of the Zr alloys.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 3; 1063-1067
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308057.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching
Opis:
This study describes a novel technique to form good quality low temperature oxide (< 350 C degree). Low temperature oxide was formed by N2O + SiH4:N2 plasma in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on the silicon surface reactively etched in CF4 plasma (RIE - reactive ion etching). The fabricated oxide demonstrated excellent (for low temperature dielectric formation process) currentvoltage (I-V) characteristics, such as: low leakage current, high breakdown voltage and good reliability. Experimental results indicate that the proposed method of fluorine incorporation into the SiO2/Si inteface improves electrical parameters of MOS structures.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 20-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The power electronics controlled current source utilized in the reference current generator
Autorzy:
Gwóźdź, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377579.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
power electronics
current controlled voltage source
current generator
Opis:
The paper considers wide-band voltage controlled power electronics current source. The current source has been designed as a part of 1-channel reference current generator designed for current meters testing. The control module of the generator utilizes specialized Analog Devices Inc. DSPs based microcomputer module for power electronics applications. Used solutions have allowed obtain high quality referencing of the output current within reference signal. The paper presents the structure and selected aspects of the control algorithm of the current source. Also selected investigations results of laboratory prototype of generator with utilization of controlled current source are presented.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 76; 9-14
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Survey Addressing on High Performance On-Chip VLSI Interconnect
Autorzy:
Mohamed Yousuff, C.
Mohamed Yousuf Hasan, V.
Khan Galib, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226784.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
current-mode signaling
hybrid current/voltage mode circuits
on-chip interconnects delay and power
voltage mode signaling
Opis:
With the rapid increase in transmission speeds of communication systems, the demand for very high-speed lowpower VLSI circuits is on the rise. Although the performance of CMOS technologies improves notably with scaling, conventional CMOS circuits cannot simultaneously satisfy the speed and power requirements of these applications. In this paper we survey the state of the art of on-chip interconnect techniques for improving performance, power and delay optimization and also comparative analysis of various techniques for high speed design have been discussed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2013, 59, 3; 307-312
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ modyfikacji warystorów do ograniczników przepięć typu SPD na rozkład konduktywności i na charakterystyki przewodzenia
Influence of modification of varistors for the SPD type arresters on the conductivity distribution and conductance characteristics
Autorzy:
Bandel, J.
Mielcarek, W.
Sibilski, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159339.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
ograniczniki przepięć
warystory
konduktywność
charakterystyka prądowo napięciowa
arresters
varistors
conductivity
current-voltage characteristics
Opis:
Zapotrzebowanie na warystory do ograniczników przepięć jest bardzo duże, zarówno do ograniczników typu SPD jak i stosowanych na wyższe napięcia znamionowe. Głównym celem jest opracowanie nowej generacji nanostruktur, która zapewni jednorodny rozkład konduktywności na całej płaszczyźnie warystora. To umożliwi zmniejszenie wymiarów warystorów, przy równoczesnej poprawie jakości użytego materiału. Równocześnie możliwe będzie modelowanie charakterystyk prądowo-napięciowych przy większej gęstości prądu przewodzenia.
The required demand of varistors for the arresters, not only for the SPD type, but also for these used at high voltage systems, is very high. The idea of this paper was to develop a new generation of nanostructures of the material which assure a uniform distribution of the conductivity. These enable to reduce the size of the voltage limiting elements and therefore quantity of material used. Also it will be possible to modulate current voltage characteristic with simultaneous great density of current.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 153-167
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of a microcontroller in simulation of the photovoltaic generators
Zastosowanie mikrokontrolera do symulacji generatorow fotowoltaicznych
Autorzy:
Kapica, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/792476.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Komisja Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Tematy:
solar energy
photovoltaic generator
simulation
MOSFET technology
microcontroller
mathematical model
current-voltage curve
Źródło:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa; 2011, 11
1641-7739
Pojawia się w:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308059.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Opis:
This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures. Application of fluorination and high temperature annealing during oxide layer fabrication significantly improved the properties of the interface (Ditmb decreased), as well as those of the bulk of the oxide layer (Qeff decreased). The integrity of the oxide (higher Vbd ) and its uniformity (Vbd distribution) are also improved.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 25-28
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of the properties and impact of the shape of a flexible photovoltaic roof tile on the effectiveness of its performance
Autorzy:
Dobrzycki, A.
Kurz, D.
Laska, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97279.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
photovoltaic roof tile
BIPV
amorphous cells
energy yield
current–voltage characteristics
photovoltaic module exposure
Opis:
This paper concerns building integrated photovoltaics (BIPV), and in particular, potential advantages resulting from the use of this technology. The possibilities of integration of the BIPV elements in the building structure were presented, with particular consideration of photovoltaic roof covering. In order to demonstrate the legitimacy of using solutions of this type in real conditions, the subject of the analysis was the thin–film photovoltaic module, which constitutes an integral part of the photovoltaic roof tile. During the tests, particular attention was paid to changes in parameters of the tested object, depending on the way it is shaped in relation to the solar radiation, demonstrating in this way, the necessity to strive for the optimal exposure of the BIPV elements in relation to the sun.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2016, 14; 432-443
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A study on the effect of harmonie components of the current supplying an induction motor with reactive power compensation with the use of capacitors on the power loss and voltage variations
Autorzy:
Nawrowski, R.
Stein, Z.
Zieliński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97224.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
induction motor
current and voltage harmonics
power loss compensation
Opis:
The paper presents an analysis of the effect of voltage harmonics on the power loss in an LV line supplying an induction motor with reactive power compensation, with the use of capacitors, and analysis of the values of output voltage of an MV/LV transformer depending on the load type and value.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2014, 12; 275-287
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Performance of current-voltage converter with amorphous core
Działanie przetwornika prądowo-napięciowego z rdzeniem amorficznym
Autorzy:
Habrych, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1361018.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
amorphous material
current measurement
current-voltage converter
deformed current waveform
materiały amorficzne
pomiary prądu
przetwornik prądowo-napięciowy
zniekształcone przebiegi prądu
Opis:
The paper presents and discusses investigated results of metrological characteristics of a new generation of current-voltage converters manufactured with the use of the innovative technology of soft magnetic components. Current and angle errors of the converters together with current and frequency ranges of their work have been identified.
W artykule przedstawiono i omówiono wyniki badań charakterystyk metrologicznych nowej generacji przetworników prądowo-napięciowych wyprodukowanych przy użyciu innowacyjnej technologii miękkich części magnetycznych. Określono błędy prądowe i kątowe przetworników wraz z zakresami prądowymi i częstotliwościowymi ich pracy.
Źródło:
Mining – Informatics, Automation and Electrical Engineering; 2016, 54, 1; 15-20
2450-7326
2449-6421
Pojawia się w:
Mining – Informatics, Automation and Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission
Autorzy:
Gronau, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308655.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
carbon layers
diamond-like carbon (DLC)
field emission
RF PACVD
AFM
capacitance-voltage (C-V)
current-voltage (I-V)
Opis:
The aim of this work is to study a possibility of field electron emission from carbon layers produced by radio frequency plasma chemical vapor deposition (RF PCVD) method. A correlation between electric parameters of the layers and the ability to produce electron emission is also studied through material (AFM) and electrical (C-V, I-V) characterization of the obtained layers. It is demonstrated that the layers deposited with the highest self-bias exhibit the highest capacity for electron emission.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 37-38
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Harmonics in the current powering selected low and medium power devices and their impact on power losses
Autorzy:
Nawrowski, R.
Stein, Z.
Zielińska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97608.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
electromagnetic compatibility of electric circuits
harmonics in current and voltage
Opis:
The paper deals with the issues related to currents of higher harmonics occurring in low and medium power circuits, using the Mcad software. Furthermore, it presents the effect of current harmonics on the root–mean–square value of these currents, and thus on the current load of conductors, especially the neutral (zero) conductor. Subject to discussion are also the effects of higher current harmonics on the performance of the power grid.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2016, 14; 101-112
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of the influence of bending strain on the current-voltage characteristics of Htc superconducting tapes
Analiza wpływu odkształcenia powstałego przy zginaniu na charakterystyki prądowo-napięciowe wysokotemperaturowych taśm nadprzewodzących
Autorzy:
Sosnowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159647.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
wysokotemperaturowe taśmy nadprzewodnikowe
odkształcenie przy zginaniu
charakterystyki prądowo-napięciowe
HTc superconducting tapes
bending strain
current-voltage characteristics
Opis:
W artykule zbadano wpływ naprężenia i odkształcenia powstałego podczas zginania wysokotemperaturowych taśm nadprzewodnikowych, szczególnie podczas nawijania elektromagnesów nadprzewodnikowych na ich charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny. Przedstawiono model teoretyczny, który jakościowo opisuje wyniki badań doświadczalnych przeprowadzonych na taśmach nadprzewodnikowych I generacji. Zbadano wpływ funkcji określającej prawdopodobieństwo występowania mikropęknięcia na charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny.
In this paper the influence of the bending strain inherent in superconducting magnet windings on the current-voltage characteristics and the critical current of HTc superconducting tapes is investigated. Theoretical analysis of this effect is presented, which is in qualitative agreement with experimental research carried out on first generation superconducting tapes. The influence of the shape of the rupture probability function, which describes micro-crack formation, on the current-voltage characteristics is also considered.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2017, 276; 39-47
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiary charakterystyki prądowo-napięciowej nanodrutów
Current-voltage measurements of nanowires
Autorzy:
Wawrzyniak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155204.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
nanotechnologia
nanodruty
kwantowanie przewodności
pomiary przewodności
charakterystyki prądowo-napięciowe
nanotechnology
nanowires
conductance quantization
conductance measurements
current-voltage curves
Opis:
W artykule opisano sposób pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów z QPC (ang. Quantum Point Contact). Do pomiarów wykorzystano system pomiarowy umożliwiający formowanie nanodrutów z QPC pomiędzy powierzchnią próbki metalu i wierzchołkiem metalowego ostrza oraz pomiar sygnałów analogowych, na podstawie których wyznaczana jest charakterystyka prądowo-napięciowa. W artykule przedstawiono schemat blokowy systemu pomiarowego i opisano sposób jego działania. Zaproponowano metodę wyznaczania charakterystyki prądowo-napięciowej dla zadanej wartości przewodności nanodrutu. System pomiarowy jest sterowany z komputera osobistego za pomocą interfejsu GPIB. Umożliwia to automatyzacje procesu formowania nanodrutów, pomiaru i rejestracji sygnałów napięciowych. Ponadto w artykule przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów.
We present a method of current-voltage measurements of nanowires with quantum point contact (QPC). The used experimental setup allows fabrication of nanowires with QPC between the surface of a metal sample and a metal tip, and measurements of analog signals that provide the basis for tracing the current-voltage curve. The experimental setup is shown in a block diagram, and its operation discussed. In the proposed method current-voltage measurements are preformed at a fixed value of nanowire conductance. The setup is controlled from a PC through the GPIB interface, which allows automation of nanowire fabrication, voltage signal measurements and data storage. Sample measurement results are presented as well.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 89-92
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 123

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies