Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "current handling capability" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Roadmap for SiC power devices
Autorzy:
Bakowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309314.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SiC power devices
roadmap for
status
development trends
unipolar and bipolar SiC devices
super junction devices
applications
system benefits
current handling capability
simulations
Opis:
Silicon carbide (SiC) power devices offer significant benefits of improved efficiency, dynamic performance and reliability of electronic and electric systems. The challenges and prospects of SiC power device development are reviewed considering different device types. A close correlation between an exponential increase of current handling capability during recent five years and improvement in substrate quality is demonstrated. The voltage range of silicon and SiC unipolar and bipolar power devices with respect to the on-state voltage is determined based on device simulation. 4H-SiC unipolar devices are potentially superior to all silicon devices up to 10 kV.4H-SiC unipolar devices are superior to all SiC bipolar devices up to 8÷9 kV. The low end of SiC unipolar devices is determined to be around 200 V provided substrate resistance is reduced by thinning the substrate down to 100 žm. The influence of reduced channel mobility on the specific on-state resistance of 4H-Sic DMOSFETs and UMOSFETs is shown. It has been demonstrated that 6H-SiC DMOSFETs could be a better choice compared to 4H-SiC MOSFETs in the voltage range below 600 V utilising better channel mobility obtainable so far on 6H-SiC polytype. An impact of super junction (SJ) concept on silicon and SiC MOSFET specific on-resistance limits is demonstrated.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 19-30
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies