Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "contact potential difference" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the phi MS measurement results
    Autorzy:
    Piskorski, K.
    Kudła, A.
    Rzodkiewicz, W.
    Przewłocki, H. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308846.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    barrier height
    effective contact potential difference
    MOS system
    Opis:
    In this work, we have compared the barrier height measurements carried out using the Powell method with the photoelectric effective contact potential difference (phi MS) measurement results. The photoelectric measurements were performed on the samples that were previously applied in the investigation of the influence of stress on the duration of annealing in nitrogen. This paper shows that the results of barrier height measurement using the Powell method differ significantly from the phi MS measurement results.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 120-123
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
    Autorzy:
    Piskorski, K.
    Przewłocki, H. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308661.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    barrier height
    effective contact potential difference
    MOS system
    Opis:
    Distributions of the gate-dielectric EBG(x, y) and semiconductor-dielectric EBS(x, y) barrier height values have been determined using the photoelectric measurement method. Modified Powell-Berglund method was used to measure barrier height values. Modification of this method consisted in using a focused UV light beam of a small diameter d =0.3 mm. It was found that the EBG(x, y) distribution has a characteristic dome-like shape which corresponds with the independently determined shape of the effective contact potential difference fMS(x, y) distribution. On the other hand, the EBS(x, y) distribution is of a random character. It is shown that the EBG(x, y) distribution determines the shape of the fMS(x, y) distribution. The model of the EBG and EBS barrier height distributions over the gate area has been proposed.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 49-54
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure
    Autorzy:
    Kudła, A.
    Przewłocki, H.
    Brzezińska, D.
    Borowicz, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308842.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    MIS structure
    photoelectrical methods
    internal photoemission
    contact potential difference
    Opis:
    We have shown that using focused UV laser beam in photoelectric methods it is possible to measure local phi MS values over the gate area of a single MOS structure. The phi MS distribution is such that its values are highest far away from the gate edges regions, lower in the vicinity of gate edges and still lower in the vicinity of gate corners. Examples of measurement results and description of the measurement system are presented. The dependence of the phi MS value on the exposure time and the power density of UV light is discussed.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 112-114
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fizyczne parametry powierzchni ciał stałych i ich zależność od warunków zewnętrznych. Cz. 2, Główne metody pomiarów fizycznych parametrów powierzchniowych
    Physical parameters of solid surfaces and their dependence on the outside conditions. Part 2, The main measurement methods of physical surface parameters
    Autorzy:
    Wojas, W.
    Wojas, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/210563.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    kontaktowa różnica potencjałów
    praca wyjścia
    metody pomiarowe
    contact potential difference
    work function
    measurement methods
    Opis:
    Przedstawiono metody pomiarowe parametrów powierzchniowych. Określono kontaktową różnicę potencjałów i pracę wyjścia. Określono zależności między tymi wielkościami. Omówiono metody pomiaru bezwzględnej wartości pracy wyjścia i sposoby jego przeprowadzenia. Podano i omówiono metody pomiaru względnej wartości pracy wyjścia. Pracę zakończono przykładami pomiarów i obliczeń omawianych (dyskutowanych) wielkości fizycznych powierzchni.
    In this paper we present the measurement methods of the surface parameters. We define contact potential difference, work function, and relationship between them. The measurement methods of the absolute value of work function are presented. We also describe the measurement methods of the relative value of work function. The paper contains numerical examples of the measurements of the physical concepts presented in this paper.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 2; 391-405
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fizyczne parametry powierzchni ciał stałych i ich zależność od warunków zewnętrznych. Cz. 1, Podstawy teoretyczne niektórych pojęć (wielkości) powierzchniowych
    Physical parameters of solid surfaces and their dependence on the outside conditions. Part 1, Basic theoretical principles of some surface concepts
    Autorzy:
    Wojas, W.
    Wojas, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/210573.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    potencjał
    napięcie
    powierzchniowa bariera potencjału
    różnica potencjałów kontaktowych
    kondensator sferyczny
    potential
    voltage
    surface potential barrier
    contact potential difference
    spherical capacitor
    Opis:
    W pracy przeprowadzono analizę teorii podstawowych zjawisk fizycznych występujących na powierzchni metali i półprzewodników. Przedyskutowano powstawanie na powierzchni: potencjału elektrycznego, bariery potencjału, kontaktowej różnicy potencjałów (napięcia kontaktowego) i innych parametrów powierzchni. Omówiono spektroskopię fotonapięcia powierzchniowego i jego inwersję. Podano przykładowe wartości różnicy potencjałów kontaktowych na granicy zetknięcia się metali lub między kolektorem a emiterem w próżniowym kondensatorze kulistym służącym do badania fotoemisji elektronów.
    In this paper we analyse the theory of basic physical phenomena on the surface of metals and semiconductors. We discuss a phenomenon of: electrical potential, potential barrier, contact potential difference, and other surface parameters arising on the surface. The spectroscopy of surface voltage and its inversion are described. We present the examples of values of the contact potential difference for metals or between collector and emitter in vacuous spherical capacitor for investigation of electron photoemission.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 2; 377-390
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Digital contact potential probe in studying the deformation of dielectric materials
    Miernik cyfrowy do pomiarów kontaktowej różnicy potencjałów przeznaczony do kontroli deformacji materiałów dielektrycznych
    Autorzy:
    Pantsialeyeu, Konstantsin
    Zharin, Anatoly
    Gusev, Oleg
    Vorobey, Roman
    Tyavlovsky, Andrey
    Tyavlovsky, Konstantin
    Svistun, Aliaksandr
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841341.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    surface charge distribution
    contact potential difference
    Scanning Kelvin Probe
    dielectric material
    rozkład ładunku powierzchniowego
    kontaktowa różnica potencjałów
    skanująca sonda Kelvina
    materiał dielektryczny
    Opis:
    The paper reviews theresults of a study on the surface electrostatic chargesof dielectrics obtained using the contact potential difference (CPD) technique. Initially,the CPD technique was only applied to the study of metal and semiconductor surfaces. The conventional CPD measurement technique requires full compensation of the measured potential that, in thecase of dielectrics, could reach very high values. Such high potentials are hardto compensate. Therefore, the conventional CPD method is rarely applied inthe study of dielectric materials. Some important improvements recently made to the CPD measurementtechnique removedthe need for compensation.The new method, which does not require compensation, has been implementedin the form of a digital Kelvin probe.The paper describes the principlesof the non-compensation CPD measurement technique which was developedfor mapping the electrostatic surface charge space distribution acrossa wide range of potential values. The study was performed on polymers suchas low-density polyethylene (LDPE) and polytetrafluoroethylene (PTFE).
    W artykule przedstawiono wyniki badań rozkładu wymuszonych ładunków na powierzchni dielektryków metodą kontaktowej różnicy potencjałów (angl. CPD). Wcześniej metoda CPD była stosowana jedynie do badań powierzchni metali lub półprzewodników. Trudności stosowania metody CPD w stosunku do dielektryków wynikają z konieczności całkowitej kompensacji potencjału powierzchniowego, wartość którego może być wysoka. W praktyce taka kompensacjamoże być utrudniona. W związku z tym metoda CPD nie jest stosowana do badań dielektryków. Ostatnio do technikipomiarów metodą CPD wprowadzono szereg udoskonaleń, które wyeliminowały konieczność całkowitej kompensacji mierzonych wartości. Nowa metoda, która nie wymaga kompensacji, została zrealizowana w postacicyfrowej sondy Kelvina. W artykule przeanalizowano zasady działania sondy nie wymagającej kompensacji oraz jej zastosowanie do określenia rozkładu ładunku na powierzchni dielektryków w szerokim zakresie wartości potencjału. Badania przeprowadzono na materiałach polimerowych, takich jak polietylen o małej gęstości (LDPE) i politetrafluoroetylen (PTFE).
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 57-60
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Digital contact potential probe in studying the deformation of dielectric materials
    Miernik cyfrowy do pomiarów kontaktowej różnicy potencjałów przeznaczony do kontroli deformacji materiałów dielektrycznych
    Autorzy:
    Pantsialeyeu, Konstantsin
    Zharin, Anatoly
    Gusev, Oleg
    Vorobey, Roman
    Tyavlovsky, Andrey
    Tyavlovsky, Konstantin
    Svistun, Aliaksandr
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841377.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    surface charge distribution
    contact potential difference
    Scanning Kelvin Probe
    dielectric material
    rozkład ładunku powierzchniowego
    kontaktowa różnica potencjałów
    skanująca sonda Kelvina
    materiał dielektryczny
    Opis:
    The paper reviews theresults of a study on the surface electrostatic chargesof dielectrics obtained using the contact potential difference (CPD) technique. Initially,the CPD technique was only applied to the study of metal and semiconductor surfaces. The conventional CPD measurement technique requires full compensation of the measured potential that, in thecase of dielectrics, could reach very high values. Such high potentials are hardto compensate. Therefore, the conventional CPD method is rarely applied inthe study of dielectric materials. Some important improvements recently made to the CPD measurementtechnique removedthe need for compensation.The new method, which does not require compensation, has been implementedin the form of a digital Kelvin probe.The paper describes the principlesof the non-compensation CPD measurement technique which was developedfor mapping the electrostatic surface charge space distribution acrossa wide range of potential values. The study was performed on polymers suchas low-density polyethylene (LDPE) and polytetrafluoroethylene (PTFE).
    W artykule przedstawiono wyniki badań rozkładu wymuszonych ładunków na powierzchni dielektryków metodą kontaktowej różnicy potencjałów (angl. CPD). Wcześniej metoda CPD była stosowana jedynie do badań powierzchni metali lub półprzewodników. Trudności stosowania metody CPD w stosunku do dielektryków wynikają z konieczności całkowitej kompensacji potencjału powierzchniowego, wartość którego może być wysoka. W praktyce taka kompensacjamoże być utrudniona. W związku z tym metoda CPD nie jest stosowana do badań dielektryków. Ostatnio do technikipomiarów metodą CPD wprowadzono szereg udoskonaleń, które wyeliminowały konieczność całkowitej kompensacji mierzonych wartości. Nowa metoda, która nie wymaga kompensacji, została zrealizowana w postacicyfrowej sondy Kelvina. W artykule przeanalizowano zasady działania sondy nie wymagającej kompensacji oraz jej zastosowanie do określenia rozkładu ładunku na powierzchni dielektryków w szerokim zakresie wartości potencjału. Badania przeprowadzono na materiałach polimerowych, takich jak polietylen o małej gęstości (LDPE) i politetrafluoroetylen (PTFE).
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 57-60
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies