Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "charge pump" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł:
A 800 µW 1 GHz Charge Pump Based Phase-Locked Loop in Submicron CMOS Process
Autorzy:
Zaziabl, A. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226693.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
charge pump phase-locked loop
CPPLL
phase-locked loop
PLL
frequency multiplication
VCO
CCO
charge pump
PFD
V-I converter
Opis:
Demand of modern measurement systems in submicron CMOS process introduced new challenges in design of low power high frequency clock generation systems. Technical possibilities for clock generation using classical oscillator based on a quartz filter is limited to tens of megahertz. Thus, 1 GHz clock generation is not possible without a frequency multiplier system. It is difficult to achieve, because in submicron process, where the integration of analog and digital blocks poses serious challenges. The proposed solution is a low power charge pump phase-locked loop (CPPLL) with the center frequency of 1 GHz. It combines various modern circuit techniques, whose main aim is to lower power consumption, which is below 800µW for the whole PLL, while maintaining good noise properties, where the jitter rms is 8.87 ps. The proposed phase-locked loop is designed in 0.18 µm CMOS process.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 4; 411-416
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A cost-effective resonant switched-capacitor DC-DC boost converter – experimental results and feasibility model
Autorzy:
Waradzyn, Z.
Stala, R.
Skała, A.
Mondzik, A.
Penczek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1193543.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
DC-DC converter
switched-capacitor
voltage multiplier
charge pump
ZCS
Opis:
This paper presents the results of experimental research of a resonant switched capacitor voltage multiplier in a cost-effective topology (CESCVM) with a limited number of active switches. In the charging mode of the switched capacitors, the converter utilizes only one active switch and a required number of diodes. Therefore, the cost of the converter is decreased as compared with that of a classical SCVM converter, owing to a lower number of switches and gate driver circuits, as well as a smaller PCB area. Moreover, the CESCVM has simpler control circuits and higher reliability. This paper presents the original experimental results of the operation of the CESCVM converter. A concept of the bootstrap supply of gate drivers of the flying switches is also examined.
Źródło:
Power Electronics and Drives; 2018, 3, 38; 75-83
2451-0262
2543-4292
Pojawia się w:
Power Electronics and Drives
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low Power PLL for Communication System
Autorzy:
Tyagi, Mohit
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1075551.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
True single phase clock (TSPC)
charge-pump (CP)
low - power
low-jitters
phase frequency detector (PFD)
phase locked loop (PLL)
Opis:
This paper presents the design aspects of low power digital PLL. The performance determining parameters of a digital PLL are lock range, capture range, jitter in generated output signal and power consumption. Its performance is mainly governed by two building blocks namely the voltage controlled oscillator (VCO) and phase detector. We have performed the complete analysis of phase noise and power consumption of current starved VCO, a novel D flip-flop based phase detector and transmission gate based charge pump. We have introduced a charge pump which is giving a remarkable reduction in reference spur. As PLL is used for many applications like as a frequency synthesizer, for clock deskewing, for jitter reduction, in FM radios so everyone demands a low cost low power highly integrated PLL design. Best efforts have been made to design a MOSFET based low power, low cost GHz range digital PLL. The main objective of this paper is to design a low power digital PLL which produces a very stable clock signal having jitter less than 1ps, power consumption less than 805uw ,output frequency ranged from 0 to380MHz at a supply voltage of 1.8V.
Źródło:
World Scientific News; 2019, 121; 26-34
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design of high-performance PFD-CP for 403MHz CMOS fractional-N frequency synthesizer
Autorzy:
Saleh, S.
Hamdy, G.
Elsemary, H.
Zaki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397720.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
N-PLL
charge pump
current matching
PFD/CP
pompa zasilająca
dokładność prądowa
Opis:
This brief discusses the challenges and employs a novel charge-pump and a PFD/CP linearization technique to improve the performance of a 403MHz fractional-N PLL. Techniques are proposed to improve the linearity of the PLL by forcing the PFD/CP to operate in a linear part of its transfer characteristics, while the charge-pump minimizes the current mismatch between the up and down currents by using feedback. The circuit is designed in 0.13jim CMOS process and consumes a total power of 2.6mW. The simulation results show that the synthesizer has a phase noise of-128dBc/Hz at 1MHz offset.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 3; 97-100
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design of low power analog front-end for 13.56MHz RFID transponder
Autorzy:
Saleh, S.
Osman, M.
Hamdy, G.
Zaki, A.
Elsemary, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397985.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
analog front frond
RFID
charge pump
OOK
pompa zasilająca
Opis:
This paper presents the design of 13.56MHz RF Front-end circuit for low-power medical applications. It converts RF power into DC and then extracts the clock and the data. The design includes rectifier, voltage multiplier, voltage regulator, data demodulator, ring oscillator, RF voltage limiter and LC matching network. It provides an excellent trade-off between high performance, simplicity of architecture, and low power consumption. It is designed to be fully integrated on chip. Simulation is done using 0.35-μm CMOS technology and the results are compared with other reported RFID systems. The total power consumption is adjusted to be around 4 μW at the minimum input power.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 4; 146-149
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stosowane metody zasilania i izolacji galwanicznej sterowników bramkowych tranzystorów mocy w mostkowych stopniach końcowych wzmacniaczy klas D i falowników
Applied methods of power supply and galvanic isolation of gate drivers of power transistors in bridging end stages of Class D amplifiers and inverters
Autorzy:
Jasielski, J.
Kuta, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/93168.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Tarnowie
Tematy:
układ Bootstrap
pompa ładunkowa
sterownik bramkowy
technika izolacji sygnałów cyfrowych
wzmacniacz klasy D
PWM
PSCPWM
sterownik DC-AC
bootstrap power supply
charge pump
gate driver
galvanic isolation of the control signals
class D amplifier
DC-DC converter
Opis:
W pracy dokonano przeglądu i oceny różnych technik zasilania i izolacji galwanicznej sterowników bramkowych tranzystorów mocy w stopniach końcowych wzmacniaczy klasy D oraz różnego rodzaju konwerterów DC-AC lub DC-DC. Opisano i porównano techniki wytwarzania pływających napięć zasilających sterowniki bramkowe tranzystorów górnej części mostka w konfiguracji typu bootstrap oraz w konfiguracji typu samo-doładowującej się pompy ładunkowej, a także przedstawiono techniki izolacji galwanicznej sygnałów cyfrowych: optyczną i pojemnościową, które mogą być wykorzystane do sterowania tranzystorów w górnej części mostka. Przedstawiony w pracy oryginalny mostkowy wzmacniacza klasy BD z dwubrzegową modulacją PWM z przesuwaniem fazy sygnału modulowanego PSC PWM i zerowym sygnałem wspólnym na wyjściu pokazuje, że w układach budowanych w oparciu o wielopoziomowe metody modulacji PWM, prawie wszystkie sterowniki tranzystorów stopnia końcowego wymagają pływających napięć zasilających i izolacji galwanicznej. W takich układach najpewniejszą i niezawodną metodą zasilania i izolacji galwanicznej sterowników bramkowych tranzystorów mocy w stopniach końcowych są układy samodoładowujących się pomp ładunkowych z izolacją galwaniczną sygnałów cyfrowych ze sprzężeniem pojemnościowym. Poprawność działania stopnia końcowego tego wzmacniacza, wraz ze wszystkimi układami sterującymi, zweryfikowano za pomocą symulacji komputerowych w programie PSpice.
Various methods used for a floating high-side gate drive power supply and galvanic isolation of the Class-D amplifiers and different DC-AC or DC-DC converters have been reviewed and evaluated in the paper. On the basis of the literature, the bootstrap floating supply and self-boost charge pump topology for a gate drive high-side power supply, as well as control signal isolated systems with optically-isolated signals or with capacitive signal isolation have been described and compared. New topologies of the Class-BD amplifiers with Common-Mode (CM) free outputs using PSC PWM - Phase Shifted Carrier Pulse Width presented in the paper, shows that almost all gate drivers of the output stage transistors require floating power supply and galvanic isolation of the control signals. In the case of such circuits with multi-level PWM output, the most reliable and robust method for the floating gate drive power supply and galvanic isolation is self-boost charge pump topology with capacitive control signal isolation. Correct operation of the output stage of the proposed Class-BD amplifiers as well as the PWM modulator and self-boost charge pump topologies with capacitive control signal isolation have been verified using intensive Pspice simulation.
Źródło:
Science, Technology and Innovation; 2018, 2, 1; 31-41
2544-9125
Pojawia się w:
Science, Technology and Innovation
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A CTS pump with a crossed-coupled output for higher conversion efficiency
Autorzy:
Hsieh, Z. H.
Huang, N. X.
Shiau, M. S.
Wu, H. C.
Yang, S.-Y.
Liu, D.-G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397847.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
DC-DC przetwornice
CTS ładunek pompy
sprzężenie skrośne ładunku pompy
DC-DC converter
CTS charge pump
cross coupled charge pump
Opis:
In this paper, a novel switching-capacitor DC-DC voltage converter with higher efficiency will be presented. This circuit was designed by modifying the output stage of the conventional static charge-transfer-switch (CTS) charge pump in a cross-coupled configuration. In this design, a control scheme to overcome both the reverse charge sharing and the threshold drops in the CTS pump was also employed. In this study, the capacitances for all the pumping capacitors were selected the same as 0.1 μF. With this design, our circuit can operate with a clock rate up to 1 MHz. The performance of this circuit was first evaluated by simulation by HSPICE with the 0.35-μm technology of TSMC. The results showed that this circuit can pump the low input of 1.5V nearly 5 times at the output. The conversion gain can be around 95%. The performance of the real chip manufactured by TSMC was measured and will be compared with the simulation results.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 9-14
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low ripple current mode charge pumps with parasitics precharge
Autorzy:
Grodzicki, Andrzej
Pleskacz, Witold A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398126.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
charge pump
low ripple
voltage doubler
pompa zasilająca
podwajacz napięcia
Opis:
In this paper a novel current mode charge pump architecture is shown and discussed. The presented DC-DC voltage converter uses extremely low filtering capacitance while still maintaining a low ripple amplitude of the output voltage. The proposed architecture is silicon proven in CMOS 130 nm technology. The power efficiency and layout area trade-offs of the proposed architecture are considered also.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 3; 101-108
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low voltage integrated converter for waste heat thermoelectric harvesters
Autorzy:
Dziurdzia, P.
Mysiura, M.
Gołda, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221706.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
charge pump
DC-DC conversion
thermoelectric conversion
energy harvesting
Opis:
The paper deals with an application-specific integrated circuit (ASIC) facilitating voltage conversion in thermoelectric energy harvesters. The chip is intended to be used to boost up the voltage coming from a thermoelectric module to a level that is required by electronic circuits constituting wireless sensor nodes. The designed charge pump does not need any external parts for its proper operation because all the capacitors, switches and oscillator are integrated on the common silicon die. The topography of the main functional blocks and post-layout simulations of the designed integrated circuit are shown in the article.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2012, 19, 1; 159-168
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies