Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "azotek krzemu" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Właściwości mechaniczne azotku krzemu (Si3N4) spiekanego w warunkach ciśnienia izostatycznego oraz spiekanego swobodnie – analiza porównawcza
    Mechanical properties of silicon nitride (Si3N4) submitted to Hot Isostatic Pressing and pressureless sintering process – comparative analysis
    Autorzy:
    Oziębło, A.
    Perkowski, K.
    Witosławska, I.
    Gizowska, M.
    Osuchowski, M.
    Witek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/169001.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Tematy:
    azotek krzemu
    spiekanie izostatyczne na gorąco
    odporność na pękanie
    silicon nitride
    hot isostatic pressing
    fracture toughness
    Opis:
    W pracy zbadano wybrane właściwości fizyczne i mechaniczne materiałów otrzymanych z komercyjnie dostępnego azotku krzemu (Si3N4). Próbki azotkowe formowane metodą prasowania izostatycznego spiekano swobodnie w atmosferze azotu, następnie część próbek została poddana spiekaniu w warunkach ciśnienia izostatycznego (HIP). Dla obu serii próbek, różniących się procesem spiekania określono: gęstość pozorną, wytrzymałość na zginanie, twardość oraz krytyczny współczynnik intensywności naprężeń. Na podstawie otrzymanych wyników badań przeprowadzono analizę porównawczą materiałów uzyskanych w różnych procesach technologicznych i określono wpływ rodzaju spiekania na właściwości materiału.
    In the presented paper mechanical properties of silicon nitride (Si3N4) material were studied. Silicon nitride samples were obtained from commercially available powder. Two paths of ceramic manufacturing were applied to obtain fully densified bodies. All of the samples were sintered in nitrogen in atmospheric pressure. Part of the samples were additionally subjected to Hot Isostatic Pressing (HIP). Apparent density, bending strength, Vickers hardness and fracture toughness were measured for the two set of samples, which differed in preparation path. The results were analyzed in order to estimate the influence of pressure assisted post-sintering (HIP process) on the microstructure and mechanical properties of silicon nitride material.
    Źródło:
    Szkło i Ceramika; 2014, R. 65, nr 1, 1; 13-16
    0039-8144
    Pojawia się w:
    Szkło i Ceramika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wielowarstwowe wkłady ceramiczne w konstrukcji pancerzy kompozytowych
    Multi-Layered Ceramic Inserts in Composite Armour Design
    Autorzy:
    Zbies, Piotr
    Liguz, Piotr
    Zgliński, Piotr
    Lipiński, Tomasz
    Nowacki, Krzysztof
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/chapters/28328122.pdf
    Data publikacji:
    2023-12-14
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
    Tematy:
    azotek krzemu
    ochrona balistyczna
    pancerz ceramiczny
    tlenek glinu
    węglik boru
    węglik krzemu
    alumina
    ballistic protection
    boron carbide
    ceramic armor
    silicon carbide
    silicon nitride
    Opis:
    Częstym efektem prac nad antybalistycznymi osłonami kompozytowymi są rozwiązania wielowarstwowe. Problemem samodzielnych prac badawczych w tym kierunku jest ograniczona liczba publikacji zajmujących się tematem osłon ceramicznych, które składają się z więcej niż trzech warstw. Uzupełnieniem luk literaturowych, jako kontynuacja projektu EGIDA AGH, będą prace prowadzone przez Koło Naukowe Konstrukcji Militarnych „Adamantium” w ramach projektu EGIDA AGH 2.0. Zakres badań będzie obejmował konstrukcje i właściwości aplikacyjne nowych, wielowarstwowych układów pancerzy oraz ich wpływ na obniżenie masy powierzchniowej docelowych paneli osłonowych pojazdów pancernych. Niniejszy rozdział jest wprowadzeniem teoretycznym do założeń nowego projektu koła naukowego. Omawia on teoretyczne podstawy stosowania ceramiki w pancerzach kompozytowych oraz problem doboru ceramiki w układach pięciowarstwowych i grubszych.
    One of common results of the research and development of composite armor are multi-layered solutions. The problem with independent research in this direction is the limited number of publications dealing with ceramic armors com- posed of more than three layers. In order to fill the gaps in the literature, as a con- tinuation of the EGIDA AGH project, the research will be conducted by the Scien- tific Circle of Military Constructions “Adamantium” as a part of the EGIDA AGH 2.0 project. The scope of the research will include the design and application prop- erties of new multi-layer armor systems and their impact on reducing the surface density of target panels of armored vehicles. This is a theoretical introduction to the assumptions of the new scientific circle project. The presentation discusses the theoretical foundations of using ceramics in composite armor, as well as the problem of selecting ceramics in five-layer and thicker systems.
    Źródło:
    Potencjał innowacyjny w inżynierii materiałowej i zarządzaniu produkcją; 97-105
    9788371939457
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Sintering Time on Wear Resistance of Silicon Nitride
    Autorzy:
    Gábrišová, Zuzana
    Brusilová, Alena
    Švec, Pavol
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/102803.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    silicon nitride
    microstructure
    mechanical properties
    wear resistance
    azotek krzemu
    mikrostruktura
    właściwości mechaniczne
    odporność na ścieranie
    Opis:
    The effect of sintering time on the chosen mechanical and tribological properties of silicon nitride (Si3N4) with 5 wt.% of yttrium aluminium garnet (Y3Al5O12) ceramics was investigated. The Si3N4 ceramics sintered for shorter time contained a larger portion of untransformed a-Si3N4 phase which has higher hardness compared to the tougher β-Si3N4 phase. The fracture toughness of Si3N4 ceramics increased with the prolongation of its sintering time. The microcutting wear mechanisms predominated during the grinding of the Si3N4 ceramics with the Al2O3 abrasives. The hardness of ceramic material had a great effect on its wear resistance. The wear of ceramics at friction with 18Cr-8Ni type of austenitic stainless steels was several times higher compared to friction with 14Cr type of ferritic stainless steel. Under these conditions, the microcracking wear mechanisms predominated.
    Źródło:
    Advances in Science and Technology. Research Journal; 2020, 14, 2; 145-154
    2299-8624
    Pojawia się w:
    Advances in Science and Technology. Research Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The analisys of the influence of cooling rate during laser alloying with silicon nitride on surface layer state of cast iron machine parts
    Analiza wpływu prędkości chłodzenia podczas stopowania laserowego azotkiem krzemu na stan warstwy wierzchniej żeliwnych elementów maszyn
    Autorzy:
    Paczkowska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/337361.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
    Tematy:
    laser alloying
    silicon nitride
    cast iron
    surface layer
    stopowanie laserowe
    azotek krzemu
    żeliwo
    warstwa wierzchnia
    Opis:
    The aim of this was to evaluate influence of different heat treatment conditions on microstructure and hardness of surface layer of cast iron elements. The molecular CO2 laser with 2600W output power and TEM01 mode was used to perform surface modification. An optical and scanning microscopes, Auger electron spectroscope, X-ray diffractometer, EDS microanalyser and hardness Vickers tester were used to assess the result of the surface modification. The research showed, that it is possible to modify the surface layer of cast iron by laser alloying with silicon nitride. After laser alloying it is possible to achieve the alloyed zone (containing nitrogen and silicon) with uniform, fine, dendritic microstructure similar to the hardened white cast iron. Microstructure of alloyed zone as well as its size depended on laser heat treatment parameters. In case of alloyed zones formed with higher laser power density and its smaller interaction time (which generate higher cooling rates) it was noted higher amount of undiluted graphite and new-formed phases like Fe1,94C0,055, FeN0,032, FeN0,076, FeSi, Fe2Si. In case of alloyed zone formed with higher cooling rate alloyed zone microstructure was finer and more homogenous. The average hardness of alloyed zone with silicon nitride was 5-times higher than matrix of the bulk material. Improved hardness of surface layer of cast iron by laser alloying with silicon nitride should favor better wear resistance of machine part cast iron treated in this way.
    Celem badań była ocena wpływu różnych warunków laserowej obróbki cieplnej na mikrostrukturę i twardość warstwy wierzchniej elementów żeliwnych. Do modyfikacji powierzchniowej wykorzystano laser molekularny CO2 o pracy ciągłej firmy Trumpf, o maksymalnej mocy 2600W i modzie TEM01. Oceny przeprowadzonej modyfikacji dokonano za pomocą mikroskopu optycznego, skaningowego, spektroskopu elektronów Auger, mikroanalizy rentgenowskie oraz dyfrakcji rentgenowskiej, a także mikrotwardościomierza metodą Vickersa. Badania wykazały, że istnieje możliwość modyfikacji warstwy wierzchniej żeliwa za pomocą stopowania laserowego żeliw azotkiem krzemu. Po stopowaniu laserowym można uzyskać strefę stopowaną (zwierającą azot i krzem) o jednorodnej, drobnej, dendrytycznej mikrostrukturze, o charakterze zbliżonym do zahartowanego żeliwa białego. Mikrostruktura strefy stopowanej, jak i jej rozmiar zależały od zastosowanych parametrów laserowej obróbki cieplnej. W strefach powstałych z zastosowaniem większej gęstości mocy i krótszego czasu oddziaływania, generujących większą prędkość chłodzenia na materiał odnotowano większą zawartość nie rozpuszczonego grafitu, a także większą zawartość nowopowstałych faz jak: Fe1,94C0,055, FeN0,032, FeN0,076, FeSi, Fe2Si. W przypadku stref uzyskanych z większą prędkością chłodzenia odnotowano większe rozdrobnienie i ujednorodnienie mikrostruktury. Średnia twardość stref stopowanych azotkiem krzemu była około 5-krotnie większa od twardości osnowy rdzenia. Zwiększenie twardości warstwy wierzchniej żeliw przez stopowanie laserowe azotkiem krzemu powinno sprzyjać zwiększeniu odporności na zużywanie obrobionych w ten sposób żeliwnych części maszyn.
    Źródło:
    Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering; 2015, 60, 1; 74-79
    1642-686X
    2719-423X
    Pojawia się w:
    Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Silicon nitride/carbon nanotube composites: preparation and characterization
    Autorzy:
    Mikuśkiewicz, Marta
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2086842.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    mechanochemical activation
    sialon
    mechanical properties
    silicon nitride
    carbon nanotubes
    aktywacja mechanochemiczna
    właściwości mechaniczne
    azotek krzemu
    nanorurki węglowe
    Opis:
    This paper investigates the preparation of silicon nitride composites with multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs). Samples containing 1–10 wt% MWCNTs were ultrasonically processed in non-aqueous suspensions, dried, pressed, and then subjected to non-pressure sintering at 1600 °C for 2 h. The preliminary results showed that the mixture of activated silicon nitride and covered MWCNTs could be sintered. The porosity of the obtained samples ranged from 0.27 to 36.94 vol.%. The microstructure was observed by scanning electron microscopy (SEM), and the mechanical properties (hardness and fracture toughness) were also determined. Good hardness values were obtained for samples prepared by sintering the mechanically activated precursor under a flowing nitrogen atmosphere using the lowest fraction of CNTs. Residual activator reduced the densification of the composites.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 5; e138234, 1--5
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Metody instrumentalne w analizie materiałów zawierających węglik krzemu, azotek krzemu oraz tlenoazotki krzemu
    Instrumental methods of chemical analysis of materials containing silicon carbide, silicon nitride and silicon oxynitrides
    Autorzy:
    Gerle, A.
    Stec, K.
    Burdyl, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/392168.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Tematy:
    analiza chemiczna
    analiza instrumentalna
    analiza ilościowa
    węglik krzemu
    azotek krzemu
    tlenko-azotek krzemu
    chemical analysis
    instrumental analysis
    quantitative analysis
    silicon carbide
    silicon nitride
    silicon oxynitride
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki oznaczania zawartości węgla całkowitego oraz węgla wolnego w materiałach zawierających węglik krzemu, azotek krzemu i tlenoazotki krzemu. Otrzymane zawartości C wykorzystywano do oznaczenia zawartości SiC w badanych materiałach. Prezentowana metoda oznaczania SiC jest dużo szybsza od klasycznych metod analitycznych. Otrzymane wartości stężenia SiC porównywano z danymi z certyfikatów oraz z wynikami otrzymanymi metodą klasyczną. Poprawność stosowanej metody oznaczania zawartości SiC została potwierdzona. W celu oznaczenia zawartości pierwiastków cięższych od fluoru zastosowano metodę fluorescencji rentgenowskiej. Przedstawiono wyniki uzyskane dla certyfikowanych materiałów odniesienia.
    The results of total and free carbon determination in materials containing silicon carbide, silicon nitride and silicon oxynitrides have been presented. This method of SiC determination is much faster than the classical analytical method. The obtained C contents were used to determine SiC concentration in the examined materials. These concentrations were compared with certified values and concentrations obtained by the classical analytical method. The correctness of the method used to determine SiC content was proved. To determine the total concentrations of elements heavier than fluorine, X-ray fluorescence was used. The results obtained for certified reference materials have been presented.
    Źródło:
    Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2017, R. 10, nr 28, 28; 29-37
    1899-3230
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Mechanical Properties on Wear Resistance of Si3 N4 – SiC Ceramic Composite
    Autorzy:
    Gábrišová, Zuzana
    Švec, Pavol
    Brusilová, Alena
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/102248.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    silicon nitride
    strengthening phases
    microstructure
    mechanical properties
    wear resistance
    azotek krzemu
    faza wzmacniająca
    mikrostruktura
    właściwości mechaniczne
    odporność na zużycie
    Opis:
    The effect of mechanical properties on wear resistance of Si3 N4 – SiC composite materials with different portions of SiC strengthening phase was investigated. Properties of monolithic silicon nitride were compared to ceramic composites consisting of Si3 N4 matrix with 10 and 20 vol.% SiC. The SiC strengthening phase had a positive effect on the hardness of Si3 N4 – SiC ceramic composite materials. Wear resistance of tested ceramic materials was mainly influenced by their fracture toughness. The highest wear resistance value was achieved for material with the highest fracture toughness. Worn surfaces of all experimental ceramic materials were damaged by both microcutting and microcracking mechanism. Microcracking was the predominant wear mechanism mainly at ceramic composites. The wear resistance of SiC-Si3 N4 ceramic composites can be described by the model W ~ HV/KIC.
    Źródło:
    Advances in Science and Technology. Research Journal; 2020, 14, 4; 156-167
    2299-8624
    Pojawia się w:
    Advances in Science and Technology. Research Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of the mechanochemically processed silicon nitride-based powders
    Właściwości proszków azotku krzemu aktywowanych mechanochemicznie
    Autorzy:
    Pawlik, T.
    Sopicka-Lizer, M.
    Michalik, D.
    Włodek, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352984.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    aglomeracja
    proces mechanochemiczny
    azotek krzemu
    agglomeration
    mechanochemical processing
    silicon nitride
    Opis:
    Nanostructured silicon nitride and aluminium nitride powder mixtures have been successfully produced by high-energy mechanical activation in the planetary mill. The effect of planetary milling parameters (time, ball-to-powder ratio, surfactants addition) and means of deagglomeration by the ultrasound disintegration (type of dispersant, the ultrasonic action) were studied. The resultant powders were examined by XRD, SEM and TEM as well as the specific surface area (BET) was measured and grain size distribution was analyzed. It has been found that significant agglomeration occurred in the samples milled with the highest energy accompanied by the severe destruction of the crystal lattice. The results show the crucial effect of dispersant action for a one-modal distribution of the milled powders.
    Proces mechanochemiczny w młynku planetarnym został z powodzeniem zastosowany do otrzymywania nanostrukturalnych proszków w mieszaninie azotku krzemu i glinu. Badano wpływ parametrów procesu mielenia i deaglomeracji takich jak: czas mielenia, prędkość obrotowa młyna, średnica mielników, stosunek mielników do proszku, rodzaj i ilość dodatków powierzchniowo czynnych, czas i energia dezintegracji ultradźwiękowej na właściwości proszku po procesie. Przeprowadzono badania XRD, SEM, oraz TEM, badania powierzchni właściwej metodą BET oraz rozkład dystrybucji ziarn metodą laserową po procesie mechanochemicznym prowadzonym z różną energią. Stwierdzono, że w wyniku zastosowania najwyższej energii mielenia następowało znaczące zniszczenie sieci krystalicznej w ziarnach proszku, ale towarzyszyło im zjawisko znacznej aglomeracji. W uzyskaniu jednomodalnego rozkładu ziarnowego mieszaniny proszków kluczowa role odgrywa działanie zastosowanego środka dyspergującego.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 4; 1205-1210
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
    Silicon nitride for InP based planar photodiode applications
    Autorzy:
    Zynek, J.
    Hejduk, K.
    Klima, K.
    Możdżonek, M.
    Stonert, A.
    Turos, A.
    Rzodkiewicz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192312.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    azotek krzemu
    PECVD
    fotodioda planarna
    InP
    silicon nitride
    planar photodiode
    Opis:
    Przeprowadzono badania warstw azotku krzemu osadzonych na płytkach z fosforku indu metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Yapor Deposition) z wykorzystaniem do wytwarzania plazmy dwóch generatorów pracujących na różnych częstotliwościach. Celem badań było ustalenie warunków wytwarzania warstw azotku krzemu stosowanych w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP, w których obszarem absorpcyjnym są studnie kwantowe z InxGa1-xAs. Warstwy azotku krzemu były osadzane w temperaturach pomiędzy 250°C i 300°C. Podstawą do oceny wytworzonych warstw były wyniki badań: ich składu chemicznego, struktury, współczynnika załamania, poziomu naprężeń, rezystywności, wytrzymałości dielektrycznej, stałej dielektrycznej i efektywnej gęstości powierzchniowej ładunków elektrycznych. Stwierdzono, że warstwy osadzane w temperaturze 250°C mają najlepszą strukturę, dobrze spełniają rolę maski w procesie selektywnej dyfuzji cynku, a właściwości elektryczne umożliwiają wykorzystanie ich do pasywacji powierzchni bocznych złącz p-n, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego cyklu wygrzewań po procesie osadzania.
    Silicon nitride films, deposited on InP wafers by the PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method, have been investigated in terms of their applicability in the technology of InP based planar photodiodes with the InxGa1-xAs quantum well absorption region. In order to compensate the mechanical stress in the films, the plasma was excited by two radio-frequency sources operating at frequencies of 13,56 MHz and 100 kHz. The films were deposited at different temperatures in the range of 250 - 300°C. The chemical composition of all examined films, determined by the RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) method, is very close to that of stoichiometric Si3N4. The films contain a large amount of hydrogen. The hydrogen content, evaluated by the NRA (Nuclear Reactions Analysis) technique, exceeds 30 %. The silicon nitride films deposited at 300°C have grown much faster on InP wafers than on Si wafers placed beside these and the structure of both films is different. As the films deposited on Si are amorphous with smooth surfaces, the films deposited on InP are heterogeneous with rough surfaces. These last ones exhibit lower Si-N bond concentration, lower refractive index, higher extinction coefficient, lower resistivity and lower dielectric breakdown strength than the films deposited on silicon. Deterioration of the film quality is caused probably by the reaction of phosphorus, released from the InP substrate at the beginning of the deposition process, with deposited SiNx:H. Such films should not be used in the fabrication of InP based planar photodiodes. When the deposition temperature decreases, the properties of silicon nitride films improve. Their structure becomes more homogeneous and the Si-N bond concentration increases. The silicon nitride films deposited on InP at 250°C have the same amorphous structure and the same Si-N bond concentration, determined from FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) absorption characteristics, as the films deposited on silicon. They exhibit the highest refractive index, the lowest extinction coefficient, the highest resistivity and the highest dielectric breakdown strength. These films are continuous, they do not crack during thermal processes and they can be applied as masking layers for the selective Zn diffusion used to form the p-n junctions. Unfortunately the films deposited at 250°C have the highest hydrogen content and the highest effective charge density. These films cannot be applied directly to passivate the p-n junction side surfaces. Measurements of hydrogen depth profiles and of FTIR absorption characteristics have revealed that the amount of hydrogen and of Si-N, Si-H and N-H bonds changed during annealing. An analysis of C-V characteristics of Al/Si3N4:H/InP MIS capacitors containing these films has shown, that annealing of the Si3N4:H films reduced the electronic defect state density at the Si3N4:H/InP interface. It is possible to take advantage of the thermal instability of silicon nitrides deposited by the PECVD method and to reduce the trap state density and the effective charge density by proper annealing processes. These investigations have enabled us to achieve reverse current values as low as 4 - 15 pA at the voltage of - 5 V and 200 - 500 pA at the voltage of -50 V for planar InP diodes with the 320 um diameter p-n junction. A high yield of 90 % is obtained. These results make a good base for development of planar photodiodes with InxGa1-xAs quantum wells inserted into the depletion region of the InP p-n junction.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 95-113
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies