Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "area defect" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Rectangular polygons and its shape parameters
Wielokąty prostokątne i parametry ich kształtu
Autorzy:
Koźniewski, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118969.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Geometrii i Grafiki Inżynierskiej
Tematy:
polygon
perimeter defect
area defect
span of rectangular polygon
roof skeleton
wielokąt
defekt obwodu
defekt pola
rozpiętość defektu obwodu
szkielet dachu
Opis:
The author's interest in rectangular polygon shapes resulted from the observation of plans of detached houses. It is also a consequence of the author's research into roofs. This paper summarizes the basic properties of rectangular polygons and formulates three parameters characterizing the shape of a rectangular polygon: perimeter defect, area defect and span.
Zainteresowanie wielokątami prostokątnymi wynikło z obserwacji kształtu planów domów jednorodzinnych. Jest też konsekwencją badań autora dotyczących dachów. W pracy podano podstawowe własności wielokątów prostokątnych i sformułowano trzy parametry charakteryzujące kształt wielokąta prostokątnego: defekt obwodu, defekt pola i rozpiętość.
Źródło:
Journal Biuletyn of Polish Society for Geometry and Engineering Graphics; 2015, 27; 9-15
1644-9363
Pojawia się w:
Journal Biuletyn of Polish Society for Geometry and Engineering Graphics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of yield model parameters on the probability of defect occurrence
Autorzy:
Rakowski, M.
Pleskacz, W. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308643.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
yield model parameters
spot defect
probability of defect occurrence
critical area
Opis:
This paper describes the analysis of the influence of yield loss model parameters on the calculation of the probability of arising shorts between conducting paths in IC's. The characterization of the standard cell in AMS 0.8 žm CMOS technology is presented as well as obtained probability results and estimations of yield loss by changing values of model parameters.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 101-104
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies