Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tl1−xIn1−xGexSe2 single crystal" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Transport Phenomena In Single Crystals Tl1−XIn1−XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
Zjawiska transportu w monokryształach Tl1-XIn1-XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
Autorzy:
Zamurueva, O. V.
Myronchuk, G. I.
Oźga, K.
Szota, M.
El-Naggar, A. M.
Albassam, A. A.
Parasyuk, O. V.
Piskach, L. V.
Kityk, I. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/357004.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Tl1−xIn1−xGexSe2 single crystal
chalcogenide crystals
transport features
photoinduced birefringence
electroconductivity mechanisms
Urbach rule
monokryształy TL1-xIn1-xGax Se2
zdelokalizowane nośniki
stany zlokalizowane
funkcje komunikacyjne w monokryształach
fotoindukowanie
przewodzenie elektryczne
zasada Urbacha
Opis:
Temperature dependences of electroconductivity for single crystals Tl1−xIn1−xGexSe2 were analyzed. It was established an occurrence of thermoactivated states within the temperature range 100-300 K. The conductivity is formed by delocalized carriers within the conductivity band and the jumping conductivity over the localized states which are situated in the narrow localized states near the Fermi level. Following the performed data the activation energy was evaluated with accuracy up to 0.02 eV. The density of the localized states as well as the distribution of the energy over the mentioned states was evaluated. Additionally the average distance between the localized states is evaluated at different temperatures.
Analizowano zależności temperaturowe przewodności elektrycznej dla monokryształów Tl1−xIn1−xGexSe2. Ustalono pojawienie się stanów termo-aktywnych w zakresie temperatur 100-300 K. Przewodnictwo tworzone jest przez zdelokalizowane nośniki w paśmie przewodnictwa i skoki przewodnictwa po stanach zlokalizowanych, znajdujących się w wąskich zlokalizowanych stanach w pobliżu poziomu energii Fermiego. Wartość energii aktywacji oszacowano z dokładnością do 0,02 eV. Wyznaczono wartości gęstości stanów zlokalizowanych, jak i rozkład energii na wymienionych stanach. Dodatkowo w różnych temperaturach oszacowano średnią odległość pomiędzy stanami zlokalizowanymi.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 2025-2028
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies