Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "TAS" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Od mikroelektroniki do mikrosystemów, czyli o roli i znaczeniu krzemu
    Autorzy:
    Gniazdowski, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/91465.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Warszawska Wyższa Szkoła Informatyki
    Tematy:
    mikroelektronika
    mikrosystemy
    technologia krzemowa
    microsystem technology
    MST
    Technology of Micro Total Analysis System
    μTAS
    microTAS
    silicon technology
    Opis:
    W artykule zwrócono uwagę na znaczenie krzemu i technologii krzemowej zarówno w rozwoju mikroelektroniki – a co za tym idzie – także informatyki, a także w rozwoju mikrosystemów (ang.: MEMS – Micro- Electromechanical System), gdzie łączy się elektronikę z mikromechaniką, oraz w rozwoju zminiaturyzowanych systemów do całkowitych analiz chemicznych (ang.: μTas – Micro Total Analysis System).
    In this paper, the role of silicon for development of computer technology is emphasized. It is noticed that Micro-System Technology (MST) as well as Technology of Micro Total Analysis System (μTAS) are also derived from silicon technology. Hence, the importance of silicon in many modern human activities is concluded.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki; 2006, 1, 1; 125-137
    1896-396X
    2082-8349
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rozwiązania projektowo-techniczne 1. etapu realizacji Kampusu LPP Fashion Lab
    Technical design solutions of the executed I-st stage Campus LPP Fashion Lab building
    Autorzy:
    Pachowski, Piotr
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/128872.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    PWB MEDIA Zdziebłowski
    Tematy:
    przesłona przeciwfiltracyjna
    iniekcja ciśnieniowa
    ściana szczelinowa
    posadowienie głębokie
    beton architektoniczny
    strop aktywowany termicznie
    BKT
    waterproof diaphragm
    jet grouting
    slurry wall
    deep foundation
    architectural concrete
    thermally activated slab
    TAS
    Opis:
    W artykule omówiono rozwiązania techniczne związane z projektem i budową budynku biurowego w Gdańsku. Przedstawiono problemy związane z głębokim posadowieniem na terenie zagrożonym podtopieniami, wymagającym wykonania poziomej przesłony przeciwfiltracyjnej połączonej z obudową ścianami szczelinowymi. Opisano sposób modularnego kształtowania konstrukcji z betonu architektonicznego i dochodzenia do efektu metodą prób na budynku wzorcowym (mock-up). W rozwiązaniach projektowych znalazły się nietypowe stropy monolityczne z zatopionym układem chłodzącym BKT i wbudowanymi profilami stalowymi dla podwieszenia oświetlenia oraz dach szedowy, indywidualizujący charakter budynku.
    In this paper, technical solutions, connected with the project and construction of the office building in Gdansk, have been discussed. Solutions and problems of waterproof barrier (horizontal jet-grouting diaphragm connected with slurry walls), required due to the deep foundation in the flood danger area, have been presented. Modular shaping of the RC structure of architectural concrete and testing the final effects on mock-up, have been described. In the design solutions there have been developed: non typical floor slabs with embedded cooling system BKT and build in steel profiles (due to suspended lighting) as well as the roof folded plate structure, which distinguishes the building form.
    Źródło:
    Builder; 2020, 24, 2; 30-34
    1896-0642
    Pojawia się w:
    Builder
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Assessment of the effect of inflammatory changes and allergic reaction on TAS2R38 receptor expression in patients with chronic sinusitis (CRS)
    Autorzy:
    Piskadło-Zborowska, Karolina
    Stachowiak, Małgorzata
    Sarnowska, Elżbieta
    Jowik, Rafał
    Dżaman, Karolina
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1397310.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Index Copernicus International
    Tematy:
    bitter taste receptor
    chronic rhinosinusitis
    TAS2R38 gene
    TAS2R38 receptor
    Opis:
    Background: Chronic rhinosinusitis (CRS) is one of the most common health complaints affecting 15% of the world’s population. Recent reports confirm the participation of sensory organs in the defense process against pathogenic microorganisms. The bitter taste receptor TAS2R38 is described to play a role in the upper airway defense system. Purpose: The purpose of this study was to assess the function of the bitter taste receptor in correlation with the severity of CRS, sensory organ disorders and allergic reaction. Material and method: The study contained 100 patients undergoing nasal surgery, divided into two groups: CRS with and without nasal polyps. The control group consisted of patients undergoing septoplasty after excluding rhinosinusitis. Sinus mucosa samples obtained during surgery were used to assess TAS2R38 expression using immunohistochemistry. The IgE level was indicated from blood samples collected from patients. The Sniffin’ Sticks Test was performed. Results: CRS patients had higher expression of TAS2R38 receptor compared to controls (p = 0.0175). A statistically significantly higher TAS2R38 H-score in nasal mucosa was found among patients with a higher inflammation process in CT scan (p = 0.001), higher IgE level (p = 0,04) and an abnormal result of the Sniffin’ Sticks Test. Conclusions: Patients with CRS had significant TAS2R38 receptor overexpression correlating with the severity of inflammatory changes in CT scans, abnormal perception of smells and higher IgE level. A cumulative impact was found between the inflammatory changes, smell disfunction and the severity of subjective symptoms of CRS (according to EPOS) and the intensity of cell staining (index H-score).
    Źródło:
    Polish Journal of Otolaryngology; 2020, 74, 5; 17-23
    0030-6657
    2300-8423
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Otolaryngology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Evaluation of current density on the surface of the left atrium during TAS
    Autorzy:
    Prochaczek, F.
    Galecka, J.
    Sikora, M.
    Glasek, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/333257.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Uniwersytet Śląski. Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach. Instytut Informatyki. Zakład Systemów Komputerowych
    Tematy:
    transesophageal atrial stimulation
    TAS
    current density
    atrial pacing threshold
    selective electrodes
    omnidirectional electrodes
    przezprzełykowa stymulacja przedsionków
    wartość progowa stymulacji przedsionkowej
    elektrody selektywne
    elektrody dookólne
    Opis:
    Conditions for the indirect transesophageal atrial stimulation (TAS), useful for cardiac diagnosis and treatment, are optimized both by way of clinical experiment and a computer modelling. The paper demonstrates the results of comparison of electric current density, obtained on the surface of the left atrium during computer modelling, with the results of our own experiments. An evaluation was made with the use of spiral CT scanning of the distance between the esophagus and the posterior wall of the left atrium. The average distance in the tested group of 27 subjects was 4.7 ±σ = 1.1 mm. During transesophageal stimulation, we have determined the average excitation threshold of the left atrium, obtaining the value 5.5 ±σ = 1.8 mA in the examined group of 27 patients. The calculated average current density on the surface of left atrium for the selective electrode with point poles used in the experiment amounted to 39.6 μA/mm2. Electric current densities obtained by other researchers by means of computer modelling for omnidirectional and selective ring electrodes turned out to be much lower after adjustment to similar conditions, which was the result of electrically active larger sizes surfaces of the poles of electrodes used in the modelling.
    Źródło:
    Journal of Medical Informatics & Technologies; 2013, 22; 243-249
    1642-6037
    Pojawia się w:
    Journal of Medical Informatics & Technologies
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermal assisted switching magnetic tunnel junctions as FPGA memory elements
    Autorzy:
    Silva, V.
    Fernandes, J. R.
    Oliveira, L. B.
    Neto, H. C.
    Ferreira, R.
    Freitas, S.
    Freitas, P. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397855.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    MRAM (oporność magnetyczna pamięci o dostępie swobodnym)
    MTJ (magnetyczny tunel połączeń)
    pisanie projektów (programów)
    FIMS (pole indukowane magnetycznym przełącznikiem)
    MRAM (magnetoresistive random access memory)
    MTJ (magnetic tunnel junction)
    writing schemes
    FIMS (field induced magnetic switching)
    TAS (thermal assisted switching)
    STT
    Opis:
    This paper presents our research and development work on new circuits and topologies based on Magnetic RAM for use as configuration memory elements of reconfigurable arrays. MRAM provides non volatility with cell areas and with access speeds comparable to those of SRAM and with lower process complexity than FLASH memories. The new memory cells take advantage of the Thermal Assisted Switching (TAS) writing technique to solve the drawbacks of the more common Field Induced Magnetic Switching writing technique. The CMOS circuit structures to implement the main components for reading and writing the MTJ cells have been developed, characterized and evaluated. A scaled down prototype of a coarse grain reconfigurable array that employs the TAS-MRAM elements as configuration memory has been designed and electrically simulated pre- and post- layout. The results obtained for all the circuit elements, namely the storage cells and the current generators, indicate that the new configuration memory cells can provide a very promising technological solution for run-time reconfigurable hardware devices. The prototype has been manufactured using a standard process 0.35μm 4-Metal CMOS process technology and should be under test in the foreseeable future.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 31-36
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies