Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Si" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 377
Tytuł:
On possibility to extend the operation temperature range of SOI sensors with polysilicon piezoresistors
Autorzy:
Druzhinin, A.
Lavitska, E.
Maryamova, I.
Kogut, I.
Khoverko, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/307642.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI
mechanical sensors
poly-Si piezoresistor
ZMR
Opis:
The aim of this work was to study the possibilities of developing mechanical sensors with poly-Si piezoresistors on insulating substrate for operation in different temperature ranges (low, elevated and high temperatures). Laser recrystallization is used as a technological tool to adjust the electrical and piezoresistive parameters of the polysilicon layer. For this purpose a set of studies including numerical simulation and experimental work has been carried out. The main three directions of the studies are considered: problems of thermal stabilization of the pressure sensor performance at elevated and high temperatures; problem of sensor operation at cryogenic temperatures; development of a multifunctional pressure-temperature sensor.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 40-45
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Testing the efficiency of the Si3N4 membranes for charged particles registration
Autorzy:
Polak, W.
Lekki, J.
Gryboś, J.
Hajduk, R.
Cholewa, M.
Kukharenko, O.
Stachura, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148584.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
Si3N4
membrane
detection
secondary electrons
CsI
Opis:
Testing Si3N4 membrane windows is a preliminary research for the single-ion-single-cell irradiating programme prepared at the Cracow nuclear microprobe facility. The present investigation is concerned with finding a method to register every single particle of the microprobe beam when passing through a membrane to the atmosphere. The 200 nm thick membranes covered with different layers were investigated. The alpha particles, after passing the membrane window, were registered by a particle detector. Secondary electrons ejected from the membrane by alpha particles were registered by a channeltron. The channeltron signals were collected in coincidence with the silicon detector signals. The detection efficiency is the ratio of the fast coincident channeltron signal number to the total number of the silicon detector signals. The results of investigation of the membranes with different coverages are reported in the present work.
Źródło:
Nukleonika; 2003, 48, 1; 25-29
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices
Autorzy:
Rzodkiewicz, W.
Kudła, A.
Rawicki, Z.
Przewłocki, H. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308838.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
stress
MOS
Si-SiO2 system
electrical parameters
refractive index
Opis:
In this paper we show the results of a study of the effects of high-temperature stress annealing in nitrogen on the refraction index of SiO2 layers and electrical properties in metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. We have experimentally characterized the dependence of the reduced effective contact potential difference (ECPD), the effective oxide charge density (Neff), and the mid-gap interface trap density (Dit) on the annealing conditions. Subsequently, we have correlated such properties with the dependence of the refraction index and oxide stress on the annealing conditions and silicon dioxide thickness. Also, the dependence of mechanical stress in the Si-SiO2 system on the oxidation and annealing conditions has been experimentally determined. We consider the contributions of the thermal-relaxation and nitrogen incorporation processes in determining changes in the SiO2 layer refractive index and the electrical properties with annealing time. This description is consistent with other annealing studies carried out in argon, where only the thermal relaxation process is present.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 115-119
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System informacji w gospodarstwie rolnym w świetle wymagań informatyki
Informational system in farm determined by computer science demands
Autorzy:
Vogelgesang, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/286547.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
gospodarstwo rolne
pamięć
system informacyjny
SI
farm
memory
information system
IS
Opis:
Przedmiotem opracowania jest teoretyczne uzasadnienie oczekiwań, jakie można wiązać z systemem informacyjnym SI gospodarstwa rolnego, przy czym wzorowano się na produkcji sadowniczej. Zagadnienie rozważano w kontekście zastosowań informatyki, wobec ciągłego wzrostu potencjału wiedzy wnoszonej przez systemy informatyczne otaczające gospodarstwa. Potencjał zostanie efektywnie wykorzystany wtedy, kiedy gospodarstwa będą dysponować środkami integrującymi tę wiedzę z własnymi zróżnicowanymi potrzebami. SI w działalności produkcyjnej powinien opierać się przede wszystkim o dokumentowanie, zapamiętanie wszystkich istotnych zdarzeń, faktów. Podano argumenty, dla których dokumentowanie mogłoby usprawnić kierowanie rolniczymi procesami technologicznym i ustalono związane typy zadań wymagające przetwarzania informacji. Dokumentowanie jest procesem opartym o wiedzę. Dokumentowanie dostosowane do wymagań ekonomiki, nie wystarcza dla decyzji technologicznych. Ręczne dokumentowanie jest nieefektywne i trzeba je minimalizować poprzez automatyzowanie tego procesu. Temat jest obszerny, pominięto wiele zagadnień szczegółowych, a opracowanie jest rozpoznaniem problemu, którego wybrane wątki mogą być jeszcze rozpatrywane z wielu punktów widzenia i stąd po-siadać dyskusyjny charakter.
A farm is mainly a production system, a place where information systems have to get integrated and meet special requirements different from even the best academic programs or internet sites (expert programs, agricultural markets, etc.) A program or a website does not mean much as far as the implementation is concerned, however when their number increases they start to play a fundamental role becoming peculiar streams that fill in the lake of knowledge from which special end user systems will be able to obtain information through the network. This is conditioned upon a farm being based on its own formal SI structure and the documentation of phenomena with the use of computer technologies. Then, various enhancements of technological process management and the development of objects identifying strategies and creation of scenarios of future events in particular will be possible. Traditional documentation has become obsolete and ineffective. Computer and telecommunication technologies will enhance the documentation process and make it possible to connect appropriate concluding processes with knowledge management systems. The subordination of these activities to appropriate technological process management models will benefit farmers.
Źródło:
Inżynieria Rolnicza; 2005, R. 9, nr 14, 14; 375-384
1429-7264
Pojawia się w:
Inżynieria Rolnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Investigation of deep centres in epitaxial GaN:Si by deep level transient spectroscopy (DLTS)
Autorzy:
Kozubal, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192008.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
struktura defektowa półprzewodników
niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa
badanie centrów defektowych
warstwa epitaksjalna GaN:Si
wpływ wysokoenergetycznego promieniowania protonowego
promieniowanie protonowe
Opis:
Niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa (DLTS) została zastosowana do badania centrów defektowych w domieszkowanych krzemem warstwach epitaksjalnych GaN typu n osadzanych na podłożach szafirowych. Koncentracja elektronów w warstwach epitaksjalnych określona na podstawie charakterystyk pojemnościowo-napięciowych wynosiła ~l,0x10[indeks górny]18 cm^-3. Porównano strukturę defektową warstw GaN: Si przed oraz po napromieniowaniu protonami o energii 24 GeV. Zastosowano dwie dawki protonów równe 8,4xl0[indeks górny]13 p/cm^2 i 5,3xl0[indeks górny]14 p/cm^2. W warstwach stwierdzono obecność trzech rodzajów pułapek elektronowych: Tl, T2 i T3 o energiach aktywacji odpowiednio: 0,63 eV, 0,70 eV i 0,83 eV. Koncentracja tych pułapek przed napromieniowaniem wynosiła odpowiednio 3,7xl0~[indeks górny]15 cm^-3, 2xl0[indeks górny]14 cm^-3 i 5,0xl0[indeks górny]14 cm^-3. W wyniku napromieniowania protonami koncentracja pułapek Tl (0,63 eV) nie uległa zmianie, zaś koncentracja pułapek T2 (0,70 eV) i T3 (0,83 eV) wzrosła odpowiednio do I,8xl0[indeks górny]15 cm^-3 i 2,0xl0[indeks górny]15 cm^-3.
Deep Level Transient Spectroscopy has been applied for deep levels investigation in n-type, Si doped gallium nitride epitaxial layers grown on sapphire substrates. The electron concentration obtained from capacitance-voltage characteristics was approximately 1.0 x 1018 cm^-3. The defect structure of GaN:Si layers irradiated with 24 GeV protons and non irradiated is compared. Two proton doses of 8.4 x 10[sup]13 p/cm^2 and 5.3 x 10[sup]14 p/cm^2 have been applied. Three electron traps, Tl (0.63 eV), T2 (0.70 eV) and T3 (0.83 eV) with activation energies of 0.63 eV, 0.70 eV, 0.83 eV, respectively, have been detected. Concentrations of these traps were 3.7 x 10[sup]15 cm^-3, 2.0 x 10[sup]14 cm^-3 and 5.0 x 10[sup]14 cm^3, respectively. As a result of the proton irradiation no change in the concentration of the trap Tl was observed while the concentration of the trap T2 and T3 increased with the proton doses to 1.8 x 10[sup]15 cm^-3 and 2.0 x 10[sup]15 cm^-3, respectively.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 104-119
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Duplex type coatings from Ti-Si-N system applied on WC cutting plates
Powłoki typu "duplex" z układu Ti-Si-N zastosowane na płytkach frezarskich z WC
Autorzy:
Mania, R.
Morgiel, J.
Grzonka, J.
Zimowski, S.
Dąbrowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/256735.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
powłoka duplex
warstwa TiN/Si3N4
płytka skrawająca WC
duplex coating
TiN/Si3N4 layer
WC cutting plate
Opis:
The observations of microstructure as well as the results of work test of duplex type coated WC cutting plates are presented. The buffer hard TiN layer was deposited using PUSK-83 Arc system, while the ultra-hard composite TiN/Si3N4 layer was deposited using WM-50 planar magnetron system equipped with the TiSi4% at. target. The transmission electron microscopy observations indicated that the buffer layer is a columnar, relatively coarse crystalline, while the top layer is characterised also by columnar microstructure but of much finer crystallites. It was confirmed that buffer layer is filling up WC cracks and other surface roughness presenting much better deposition condition for the ultra-hard top layer. The work test showed that duplex coating extends the plates life by 60%. Additionally, the cutting plates' lifetime was correlated with their hardness.
W pracy przedstawiono wyniki badań eksploatacyjnych płytek frezarskich TPKN 1603PPR SM 25T/P25 wykonanych z węglików spiekanych pokrytych powłoką typu "duplex" złożoną z twardej warstwy buforowej TiN oraz ultratwardej krystaliczno-amorficznej TiN/Si3N4. Warstwa buforowa TiN nanoszona była metodą łukową na stanowisku PUSK-83, a warstwę wierzchnią TiN/Si3N4 naniesiono z użyciem magnetronu planarnego WM-50 ze specjalnym targetem wykonanym ze spieku TiSi4% at. Badania mikrostruktury powłok z użyciem mikroskopu transmisyjnego wykazały, że warstwa buforowa ma znacznie bardziej grubokrystaliczną budowę w stosunku do kompozytowej warstwy wierzchniej. Równocześnie zastosowanie warstwy buforowej TiN prowadzi do wypełnienia pęknięć i zagłębień na powierzchni płytek oraz wygładzenia powierzchni pod warstwę TiN/Si3N4. Płytki z powłoką "duplex" porównywano z takimi samymi pokrytymi jedynie tzw. warstwą buforową TiN, jak też z płytkami bez pokrycia. Potwierdzono istnienie korelacji pomiędzy trwałością ostrzy badanych płytek a twardością naniesionej warstwy oraz możliwość wydłużenia czasu pracy płytek z powłokami typu "duplex" o 60%.
Źródło:
Problemy Eksploatacji; 2006, 4; 81-90
1232-9312
Pojawia się w:
Problemy Eksploatacji
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Elaboration of magnetron deposition conditions of TiN/Si3N4 nanocomposite coatings
Opracowanie warunków otrzymywania warstw nano-kompozytowych z wykorzystaniem techniki magnetronowej
Autorzy:
Morgiel, J.
Major, Ł.
Grzonka, J.
Mania, R.
Rakowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/258107.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
nanokrystality
nanokompozyty
TiN/Si3N4
rozpylanie magnetronowe
nanocrystallites
nanocomposites
magnetron sputtering
Opis:
The TiN/Si3N4 coatings were deposited by reactive single target magnetron sputtering. The TiSi10 and TiSi6 targets were prepared from titanium and silicon elemental powders. The transmission electron microscopy helped to confirm the nanocomposite nanocrystalline TIN/ amorphous Si3N4 microstructure of coatings. The experiments helped to determine the critical coatings thickness at close to 1 žm. The micro-hardness of such coatings deposited on high speed steel was estimated at 11.9 - 13 GPa and characterized by critical loading in the range of 13 - 14 N. The measurements of chemical compositions of coatings showed that the ratio of silicon to titanium was at least twice as high as those in the targets, what might have lowered the coatings mechanical properties.
Powłoki TiN/Si3N4 naniesiono techniką rozpylania magnetronowego przy użyciu targetu o składzie TiSi10 lub TiSi6 (% at.). Targety te zostały przygotowane na drodze spiekania na gorąco proszków krzemu i tytanu. Analizę mikrostruktury nanokompozytowych nanokrystalicznych powłok TiN/Si3N4 o krytycznej grubości delaminacji zbliżonej do l žm, przeprowadzono przy użyciu mikroskopu transmisyjnego. Mikrotwardość powłok na podłożu ze stali szybkotnącej określono na poziomie 11.9 - 13 GPa. Analiza składu chemicznego powłok wykonana techniką EDS wykazała, że stosunek zawartości krzemu do tytanu jest dwa razy większy niż w targetach, co może stanowić przyczynę ich niższej od oczekiwań twardości.
Źródło:
Problemy Eksploatacji; 2006, 2; 33-42
1232-9312
Pojawia się w:
Problemy Eksploatacji
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of a developed setup to β-rays to improve the β energy spectrum
Autorzy:
Celiktas, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146566.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
β-rays
pulse shape discrimination method
Si semiconductor detector
energy and timing spectroscopy
Opis:
In this work, a spectrometric method is described to obtain a clear β energy spectrum of radiocarbon (14C). The spectrometer is simple and uses a pulse shape discrimination timing technique with a Si semiconductor detector. The experimental result showed that the method in the present work was successful for obtaining the clear beta energy spectrum.
Źródło:
Nukleonika; 2007, 52, 2; 47-49
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of aluminum alloys for combustion engine bearings
Autorzy:
Krzymień, A.
Krzymień, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/244331.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
Tematy:
combustion engine
slide bearing
aluminium alloys
properties
new Al-Sn-Si alloys
Opis:
In most cases the choice of proper alloy for combustion engine crank mechanism bearings means a compromise between various requirements. In order to increase the fatigue strength and to enhance the wear resistance the research on new materials, including the aluminium alloys, is being carried out. This paper deals with properties of aluminium bearing materials, requirements relative to their operation as well as tendencies of their future development as the bearing alloys for heavy duty diesels. Interdependences affecting bearing properties, comparison of tested bearing materials fatigue strength, controlled distribution of Si particle size in analysed bearing alloys, comparison of fatigue strength of bearing materials subjected to tests, the wear of analysed bearing alloys after engine tests are illustrated in the paper. The paper concentrates on the problems of properties of aluminium based bearing alloys, tendencies in development of aluminium alloys for highly loaded crank bearings of IC engines. Bearing of Al-Sn-Si alloy operates satisfactorily on an engine and have high fatigue strength (particularly on diesels) and posses high wear resistance, especially for a case of frequently started and stopped engine (gasoline engine) which causes difficulties in formation of continuous oil film at low crankshaft speeds.
Źródło:
Journal of KONES; 2007, 14, 4; 233-238
1231-4005
2354-0133
Pojawia się w:
Journal of KONES
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
Autorzy:
Głuszko, G.
Łukasiak, L.
Kilchytska, V.
Chung, T. M.
Olbrechts, B.
Flandrie, D.
Raskin, J. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308669.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI
water bonding
Si layer transfer
Opis:
The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 61-66
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 377

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies