- Tytuł:
-
Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu
Measurements and calculations of capacitances of BJT and SJT transistors made of silicon carbide - Autorzy:
-
Szelągowska, J.
Zarębski, J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/376685.pdf
- Data publikacji:
- 2018
- Wydawca:
- Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
- Tematy:
-
BJT
modelowanie
pojemności
SJT - Opis:
-
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych
prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego
systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano
z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu
Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki
pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych
przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych
charakterystyk pojemności.
In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated. - Źródło:
-
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 9-18
1897-0737 - Pojawia się w:
- Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł