Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "SIMS" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    Surface characterization of different particles arising as a result of coal combustion process in selected power plants from Central Poland using ToF-SIMS
    Autorzy:
    Grams, J.
    Bawolak, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/778599.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    ToF-SIMS
    cząstka
    spalanie węgla
    elektrownia
    TOF-SIMS
    particle
    coal combustion
    power plant
    Opis:
    The aim of this work was the ToF-SIMS investigations of different particles arising as a result of a coal combustion process in selected power plants from Central Poland. The chemical composition and distribution of particular compounds on the studied surfaces were determined. Moreover, the ratio of the quantity of aromatic and aliphatic hydrocarbons adsorbed on the surface of the particles was estimated. A qualitative analysis of the studied samples demonstrated the presence of a big number of various compounds, including heavy metals such as Pb, Cd and As on the investigated surfaces. In the prevailing number sample components were distributed non-homogenously on the surface and the larger areas richer in a certain type of ions were observed.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2007, 9, 4; 77-80
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ToF-SIMS studies of the surface of Pd/ZrO2-TiO2 catalyst used in the hydrodechlorination process
    Autorzy:
    Grams, J.
    Góralski, J.
    KLeczewska, J.
    Szczepaniak, B.
    Paryjczak, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/777893.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    ToF-SIMS
    pallad
    kataliza
    wodoroodchlorowanie
    ZrO2
    TiO2
    TOF-SIMS
    palladium
    catalysis
    hydrodechlorination
    Opis:
    Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToF-SIMS) was used in order to obtain the information about the surface composition of Pd/ZrO2-TiO2 catalyst and to estimate the changes in the concentration of particular components on its surface during the hydrodechlorination of CCl4. The results demonstrated that the hydrodechlorination process led to the increase in the concentration of chlorine and the drop in the amount of surface accessible palladium, while the quantity of Pd-Cl bounds did not change considerably. It suggested that the presence of ZrO2 protected the surface of the studied catalyst against the formation of PdCI2.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2007, 9, 3; 81-85
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of the TOF-SIMS and SEM-EDS methods to assess the influence of dusting from a phosphate waste deposal place based on hair analysis
    Autorzy:
    Szynkowska, M.I.
    Leśniewska, E.
    Pawlaczyk, A.
    Rogowski, J.
    Paryjczak, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/778695.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    fosfogips
    analiza powierzchni
    włos
    SEM-EDS
    ToF-SIMS
    phosphogypsum
    surface analysis
    hair
    TOF-SIMS
    Opis:
    In this work, scanning electron microscopy with energy dispersive X-ray spectrometry (SEM-EDS) and the time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) were used to study the particles present on the hair surface of the inhabitants of Wislinka (people environmentally exposed due to the closeness of a dump) in order to obtain the information about the possible influence of dusting from a phosphate waste deposal place. Additionally, the morphology and the composition of fresh phosphogypsum were analyzed. Waste phosphogypsum is formed in the process of a wet phosphoric acid production and there is still a problem with its storage. A thorough understanding of the composition and chemistry of phosphogypsum seems to be necessary to evaluate its environmental impact comprehensively. The results obtained from these two techniques turned out to be complementary and revealed the information expected.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2007, 9, 4; 85-90
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization Of Oxide Layers Produced On The AISI 321 Stainless Steel After Annealing
    Charakterystyka warstw tlenkowych powstałych na stali nierdzewnej AISI 321 po wyżarzaniu
    Autorzy:
    Bochnowski, W.
    Dziedzic, A.
    Adamiak, S.
    Berchenko, M.
    Trzyna, M.
    Cebulski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356285.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    depth profile
    oxide layer
    stainless steel
    TEM
    TOF-SIMS
    warstwa tlenkowa
    stal nierdzewna
    TOF SIMS
    Opis:
    In this study, the structure, chemical composition and topography of oxide layers produced on the surface of the AISI 321 austenitic steel in the annealing process were analyzed. Heat treatment was done at 980°C temperature for 1 hour time in different conditions. The annealing was done in a ceramic furnace in oxidation atmosphere and in vacuum furnaces with cylindrical molybdenum and graphite chambers. The analysis was carried out using the following methods: a scanning electron microscope (SEM) equipped with an energy-dispersive X-ray spectrometer (EDX), a transmission electron microscope (TEM) equipped with an energy-dispersive X-ray spectrometer (EDX), an X-ray diffractometer (XRD), a secondary ion mass spectrometer with time-of-flight mass analyzer (TOF SIMS) and an atomic force microscope (AFM). The oxide layer formed during annealing of the AISI 321 steel at 980°C consisted of sub-layers, diversified in the chemical composition. The thickness of the oxidized layer is depended on the annealing conditions. In a ceramic furnace in oxidation atmosphere, the thickness of the oxide layer was of 300-500 nm, in a vacuum furnace with molybdenum and graphite heating chambers, it ranged from 40 to 300 nm and from a few to 50 nm, respectively. TOF SIMS method allows to get average (for the surface of 100 μm × 100 μm) depth profiles of concentration of particular elements and elements combined with oxygen. In oxide layers formed in vacuum furnaces there are no iron oxides. Titanium, apart from being bounded with carbon in carbides, is a component of the oxide layer formed on the surface of the AISI 321 steel.
    W pracy analizowano strukturę, skład chemiczny oraz topografię warstwy tlenków powstałych na powierzchni stali austenitycznej AISI 321 w procesie wyżarzania. Obróbkę cieplną prowadzono w temperaturze 980°C w czasie 1 godziny w zróżnicowanych warunkach. Wyżarzanie prowadzono w piecu ceramicznym w atmosferze powietrza oraz w piecach próżniowych z cylindryczną komorą molibdenową i grafitową. W prowadzonej analizie wykorzystano skaningowy mikroskop elektronowy (SEM) wyposażony w spektrometr promieniowania X (EDX), transmisyjny mikroskop elektronowy (TEM) wyposażony w spektrometr promieniowania X (EDX), dyfraktometr rentgenowski (XRD X-Ray Diffraction), spektrometr mas jonów wtórnych z analizatorem czasu przelotu (TOF SIMS) oraz mikroskop sił atomowych (AFM). Warstwa tlenków powstała w wyniku wyżarzania stali AISI 321 w temperaturze 980°C składała się z podwarstw różniących się składem chemicznym. O grubości warstwy utlenionej w decydowały warunki wyżarzania. W piecu ceramicznym z atmosferą powietrza grubość warstwy tlenków wynosiła 300-500 μm, w piecu próżniowym z grafitową i molibdenową komorą grzejną grubości wynosiły odpowiednio od 40 nm do 300 nm oraz kilka nm do 50 nm. Badania TOF SIMS pozwalają otrzymać uśrednione profile koncentracji pierwiastków metalicznych oraz profile koncentracji pierwiastków metalicznych będących w kontakcie z tlenem. W warstwach tlenków powstałych w piecach próżniowych nie obserwowano tlenków żelaza. Tytan oprócz roli związania węgla w węglikach, wchodzi w skład warstwy tlenków tworzonych w piecu próżniowym na powierzchni stali AISI 321.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2327-2334
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation
    Autorzy:
    Mroczyński, R.
    Bieniek, T.
    Beck, R. B.
    Ćwil, M.
    Konarski, P.
    Hoffman, P.
    Schmeißer, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308687.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    ultra-thin dielectrics
    oxynitride
    SIMS
    XPS
    PECVD
    Opis:
    In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The spectroscopic ellipsometry was used to determine both the thickness and refractive index of the obtained layers. The XPS measurements show considerable differences between the composition of the fabricated layers using each of the above mentioned methods. The SIMS analysis confirms XPS results and indicates differences in nitrogen distribution.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 20-24
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    DFT and TOF-SIMS study of the interaction between hydrogen sulfide ion and malachite (–201) surface
    Autorzy:
    Mao, Yingbo
    Wu, Dandan
    Huang, Lingyun
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1447053.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    malachite
    hydrogen sulfide ions
    sulfidation
    DFT
    TOF-SIMS
    Opis:
    In this paper, the mechanism of interaction between hydrogen sulfide ions and malachite was investigated using density functional theory (DFT) calculations and time of flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS). The DFT calculations showed that HS− adsorption on the malachite (−201) surface was stronger than that of S adsorption resulting from the higher number of electron transfers in the solution which accelerated the sulfidation reaction rate. Density of states (DOS) analysis showed that the near Fermi level was jointly contributed to by the Cu 3d, O 2p, O 2S, and S 3P orbits after adsorption of HS− on the malachite (–201)surface. It was found that the 2p orbital of O and the 3p orbital of S overlapped, indicating that S not only reacted with Cu, but also with O. The TOF-SIMS detected S− and CuS2− fragment ion peaks in the 0−150 m/z negative segment of mass spectra. TOF-SIMS also showed that copper sulfide films of certain thicknesses were formed, demonstrating the effectiveness of hydrogen sulfide sulfidation in flotation processes.
    Źródło:
    Physicochemical Problems of Mineral Processing; 2021, 57, 5; 71-79
    1643-1049
    2084-4735
    Pojawia się w:
    Physicochemical Problems of Mineral Processing
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structural, morphological and photoluminescent properties of Nd-coated silicon nanostructures
    Autorzy:
    Mefoued, Amine
    Mahmoudi, Bedra
    Benrekaa, Nasser
    Tiour, Faiza
    Menari, Hamid
    Naitbouda, Abdelyamine
    Manseri, Amar
    Brik, Afaf
    Mezghiche, Salah
    Debbab, Moustafa
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2204154.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    silicon nanostructures
    silicon nitride
    neodymium
    SEM/EDS
    SIMS
    Raman spectroscopy
    photoluminescence
    Opis:
    The structural, morphological and photoluminescent properties of thermally evaporated neodymium oxide (Nd₂O₃) thin films deposited onto nanostructured silicon (Si-ns) are reported. Si-ns embedded in silicon nitride (SiN) thin films are prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD). SiN and Nd₂O₃ thin films uniformity and Si-ns formation are confirmed by atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM). The presence of neodymium (Nd), silicon (Si), oxygen (O), and phosphorus (P) is investigated by energy-dispersive spectroscopy (EDS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). Post-annealing SIMS profile indicates an improvement of the homogeneity of activated P distribution in Si bulk. The X-ray diffraction (XRD) combined with Raman spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR) have been employed to determine amorphous silicon (a-Si), crystalline silicon (c-Si), Nd₂O₃ and SiN phases present in the Nd₂O₃-SiN bilayers with their corresponding chemical bonds. After annealing, a Raman shift toward lower wavenumbers is recorded for the Si peak. XPS data reveal the formation of Nd₂O₃ thin films with Nd-O bonding incorporating trivalent Nd ions (Nd3+). Strong room-temperature photoluminescence is recorded in the visible light range from the Si-ns. Nd-related photoluminescent emission in the near infrared (NIR) range is observed at wavelengths of 1025-1031 nm and 1083 nm, and hence is expected to improve light harvesting of Si-based photovoltaic devices.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, 1; art. no. e145096
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Production of Zinc oxide nanoparticles using extracts of Passiflora edulis Sims. f. flavicarpa Deg.
    Autorzy:
    Manokari, M.
    Shekhawat, Mahipal S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1192673.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    Passiflora edulis Sims. f. flavicarpa Deg.
    UV-Visible double beam spectrophotometry
    aqueous extracts
    ZnO nanoparticles
    Opis:
    The synthesis of zinc oxide nanoparticles (ZnO) using herbal extract is always environmentally benign. The present investigation focuses on the synthesis of ZnO nanoparticles using aqueous extracts of various parts of Passiflora edulis Sims. f. flavicarpa Deg. (Passion fruit). The plant is rich in alkaloids, glycosides, flavonoids and triterpenes. UV-Visible double beam spectrophotometric analysis was used for characterization of ZnO nanoparticles with different time intervals which were synthesized by plant extracts. The bio-reduction completes in two hr incubation of reaction mixtures with strong broad peaks at 332 nm from leaves, 296 nm from stem and 326 nm from flower extracts. Hence the biosynthesis of ZnO nanoparticles using aqueous extracts of P. edulis could be an alternative to chemical methods and exploited in various biofields.
    Źródło:
    World Scientific News; 2016, 47, 2; 267-278
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania izotopów siarki w minerałach siarczkowych ze złóż rud polimetalicznych w Sudetach za pomocą mikrosondy jonowej SHRIMP IIe/MC
    Sulphur isotope measurements of sulphide minerals from the polymetallic ore deposits in the Sudetes, using the SHRIMP IIe/MC ion microprobe
    Autorzy:
    Mikulski, S. Z.
    Krzemińska, E.
    Czupyt, Z.
    Williams, I. S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2061832.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Państwowy Instytut Geologiczny – Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    izotopy siarki
    piryt
    rudy siarczkowe
    SIMS
    Sudety
    sulphur isotopes
    pyrite
    sulphide ores
    Secondary Ion Mass Spectrometry
    Sudetes
    Opis:
    W artykule opisano wyniki analiz izotopowych siarki siarczkowej przeprowadzonych po raz pierwszy w PIG-PIB za pomocą nowoczesnej mikrosondy jonowej SHRIMP IIe/MC. Rezultaty wskazują na dużą precyzję i szybkość analiz metodą SIMS oraz na wysoką powtarzalność wyników. W porównaniu z analizą stosunków izotopowych siarki konwencjonalną metodą spektrometrii gazowej IRMS stwierdzono zdecydowaną przewagę na korzyść techniki SIMS. W metodzie tej możliwa jest obserwacja analizowanej powierzchni w skali mikronów i precyzyjne wybranie miejsca analizy (ok. 20 μm), w tym uniknięcie inkluzji lub stref spękań w badanych kryształach siarczków. W przypadku analiz izotopowych siarki metodą konwencjonalną IRMS efekt homogenizacji próbek znacznie wpływa na końcowy wynik. Technika mikrosondy jonowej SIMS, dzięki wysokiej rozdzielczości przestrzennej, dostarcza bardziej szczegółowych wyników. Skład izotopowy siarki wyznaczony w wyniku badań próbek pirytów z rejonu zarzuconego złoża Au–Cu–As w Radzimowicach w nieznacznym stopniu odbiega od δ[sup]34[/sup]S = 0‰ (średnia ważona δ34S dla próbki 10B = +0,84 ±0,24‰ , n = 60, dla próbki M20 = +0,37 ±0,13‰, n = 35, a dla próbki M21 = –0,03 ±0,32‰, n = 26), co wskazuje na źródło siarki związane z magmą odpowiadającą stopom płaszczowym lub dolnoskorupowym. Z kolei w przypadku pirytu z wyrobiska w rejonie Leszczyńca uzyskano ujemne wartości δ34S poniżej –1‰ (zakres od –3,24 ±0,08‰ do –1,19 ±0,09‰), co świadczy o udziale procesu kontaminacji i o niewielkim wpływie osadowego protolitu podczas generacji stopu.
    Results of sulphur isotope analyses in sulphides by use of modern ion microprobe equipment – SHRIMP IIe/MC – are described in the paper. Measurements with an application of the SIMS method indicate high precision, fast procedure as well as high repeatability of results. Considering the sulphur isotopic ratio measured by the IRMS (the conventional method of gas spectrometry), advantage of the SIMS method is clearly visible. It allows for observation of the analysed surface at the micron-scale and for very precise selection of the area of analysis (about 20 μm in diameter), including the avoiding of other mineral microinclusions or microfractures in sulphide crystals, which are common features. In the case of the IRMS sulphur isotope analyses sample homogenization strongly influenced obtained results. The SIMS ion microprobe technique provides high spatial resolution which enables more reliable results. In the case of pyrites analysed from the abandoned Au–Cu–As Radzimowice deposit results of isotopic sulphur are close to δ34S = 0‰ (weighted average of δ34S for sample 10B is +0.84 ±0.24‰, n = 60, for sample M20 +0.37 ±0.13‰, n = 35, and for sample M21 –0.03 ±0.32‰, n = 26), which indicates the source of sulphur from processes related to magmas probably of mantle or lower crust origins. On the other hand pyrites from the old mining prospect in Leszczyniec have negative δ[sup]34[/sup]S values below –1‰ (ranging from –3.24 ±0.08‰ to –1.19 ±0.09‰), which suggest a contaminationprocess and possible minor input of sedimentary protolith during the magma generation.
    Źródło:
    Biuletyn Państwowego Instytutu Geologicznego; 2015, 464; 61--77
    0867-6143
    Pojawia się w:
    Biuletyn Państwowego Instytutu Geologicznego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
    SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
    Autorzy:
    Stańczyk, B.
    Jagoda, A.
    Dobrzański, L.
    Caban, P.
    Możdżonek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiCN
    sputtering
    widmo podczerwieni
    widmo optycznej absorpcji
    dyfrakcja rentgenowska
    SIMS
    rf sputtering
    absorption spectrum
    IR spectrum
    X-ray diffraction
    Opis:
    Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
    Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies