Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "SIC" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 107
Tytuł:
Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
Autorzy:
Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308627.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas
Opis:
A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 93-95
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals
Autorzy:
Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208341.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC
Opis:
Określono wpływ energii fotonów na jakość obrazu prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V. Badania przeprowadzono dla centrów związanych z atomami Al, dla których termiczna emisja nośników ładunku obserwowana jest w zakresie temperatur 100-250 K. Zaproponowano mechanizm wyjaśniający znacznie lepszą jakość obrazu otrzymanego dla impulsu UV o energii fotonów 3,31 eV niż dla impulsu UV o energii fotonów 3,82 eV.
Effect of the photon energy on the quality of the spectral fringes image obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals have been determined. The studies were carried out for the centres related to Al atoms for which the thermal emission of charge carriers occurs in the temperatures range of 100-250 K. A mechanism explaining much better image quality when using UV pulse with the photon energy of 3.31 eV than that when using UV pulse with the photon energy of 3.82 eV has been proposed.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 351-360
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range
Metoda i system pomiarowy do pomiaru charakterystyk stałoprądowych diod w bardzo szerokim zakresie prądów
Autorzy:
Cichosz, J.
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268771.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
diody SiC
pomiary
charakterystyka stałoprądowa
SiC power diode
measurement
DC characteristic
Opis:
The new measurement set-up of DC characteristics of power diodes measurements was presented. Authors proposed to organize measurements in a pulse manner, because in typical method junction temperature of power diodes under test during measurements increase. The system elaborated on the base of method for measuring DC in a very wide current range which utilizes modified R-2R resistor ladder (short-circuit keys instead of switching keys) was constructed. The measurement system is controlled by the computer with LabView application that allows to apply measurement procedure in a very short time.
W artykule przedstawiono nowy układ pomiarowy do pomiarów stałoprądowych charakterystyk diod. Autorzy zaproponowali układ do pomiarów impulsowych w celu zachowania niezależności wyników od zmian temperatury diody. Do wytworzenia odpowiednio dużej liczby punktów pomiarowych wartości prądu wykorzystano układ zmodyfikowanej drabinki R-2R) z pojedynczymi kluczami sterującymi. Do sterowania system pomiarowym wykorzystano specjalnie opracowaną aplikację w środowisku LabView.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2012, 31; 41-44
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ nierówności powierzchni na właściwości tribologiczne elementów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym SiC–42CrMo4
The effect of surface roughness on the tribological properties of sliding elements in material assembly SiC–42CrMo4
Autorzy:
Bulikowska, B.
Gałda, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/189668.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
chropowatość powierzchni
twardość
ceramika SiC
surface roughness
hardness
SiC ceramics
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań tribologicznych węzłów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym ceramika SiC–stal 42CrMo4. Powierzchnia stali została przygotowana w trzech wariantach wykończenia charakteryzowanych parametrem Ra. Analizie poddano także wpływ twardości materiału stalowych próbek w zakresie 22–42 HRC na wartość współczynnika tarcia. Badania realizowano z wykorzystaniem testera T-11 z węzłem ślizgowym typu kulka–tarcza w styku skoncentrowanym. W pracy porównano otrzymane wartości współczynnika tarcia w odniesieniu do współpracujących ślizgowo elementów. Statystyczną analizę wyników badań przeprowadzono z wykorzystaniem planu statycznego zdeterminowanego kompletnego z dwoma czynnikami wejściowymi na trzech poziomach zmienności. Wykazano, że chropowatość powierzchni oraz twardość materiału w sposób istotny wpływają na charakterystyki tribologiczne pracy węzłów ślizgowych SiC-42CrMo4.
The results of the investigations of sliding pairs of SiC ceramics and 42CrMo4 steel are presented in the article. The steel surface was prepared with three different technological methods of finishing. The surface roughness was defined by the Ra parameter. The effect of the material hardness of steel in the range of 22-42 HRC on the friction coefficient values was also examined. The examinations were realized with utilization of the T-11 tribotester with the sliding pair of the ball-on-disc type. The obtained friction coefficient values were compared in reference to cooperating elements of differential roughness and hardness. Tests were realized according to statistical 3-level completed plan PS/DC 32. It was demonstrated that both the surface roughness and the material hardness significantly influenced the tribological characteristics of the sliding assemblies SiC-42CrMo4.
Źródło:
Tribologia; 2015, 4; 21-31
0208-7774
Pojawia się w:
Tribologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:
Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
SiC technology enters the market
Autorzy:
Kozłowska, Małgorzata
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/254085.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
SiC technology
silicon carbide
railway track
technologia SiC
węglik krzemu
tory kolejowe
Opis:
Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 9EN; 20-21
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Technologia SiC wkracza na rynek
SiC technology enters the market
Autorzy:
Kozłowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/250082.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
przetwornica SiC
pojazdy szynowe
autobusy elektryczne
SiC converter
rolling stock
electric buses
Opis:
Węglik krzemu to jedna z najbardziej perspektywicznych technologii w obszarze energoelektroniki dużych mocy, która ma dać impuls do rozwoju nowoczesnego taboru szynowego i autobusów elektrycznych. Zapowiadana od kilku lat rewolucja technologiczna staje się faktem – firma MEDCOM wprowadziła produkty SiC do seryjnej produkcji, a pierwsze pojazdy wyposażone w przetwornice bazujące na węgliku krzemu już wyjechały na kolejowe tory.
Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 9; 38-39
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC
Application of electron spin resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals
Autorzy:
Pawłowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192058.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
elektronowy rezonans spinowy
polityp kryształów SiC
określanie politypu kryształów
kryształ SiC
Opis:
W pracy przedstawiono widma elektronowego rezonansu spinowego (ESR) dla atomów azotu występujących w różnych politypach monokryształów SiC. Określono wartości czynnika rozszczepienia spektroskopowego g oraz wartości parametru A, charakteryzującego wielkość rozszczepienia wywołanego oddziaływaniem nadsubtelnym. Przeprowadzono identyfikację politypu oraz oszacowano zawartość azotu. Stwierdzono możliwość określania politypu monokryształów SiC na podstawie pomiaru linii ESR dla atomów azotu.
This work presents ESR spectra for nitrogen atoms in various polytypes of SiC crystals. The values of the spectroscopy splitting factor g, as well as of the parameter A describing the amount of splitting induced by hyperfine interaction were determined. The polytype identification was done and nitrogen content was estimated. The possibility of the SiC polytype identification on the grounds of nitrogen related ESR lines measurement was shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 1, 1; 70-86
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
SiC die-substrate connections for high temperature applications
Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych
Autorzy:
Szczepański, Z.
Kisiel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192096.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
montaż struktur
die bonding
Opis:
Silicon carbide (SiC) became very attractive material for high temperature and high power electronics applications due to its physical properties, which are not attainable in conventional Si semiconductor. However, the reliability of SiC devices is limited by assembly processes comprising die attachment and interconnections technology as well as the stability of ohmic contacts at high temperatures. The investigations of a die to substrate connection methods which can fulfill high temperature and high power requirements are the main focuses of the paper. In our researches following die attach technologies were applied: adhesive bonding with the use of organic and inorganic conductive compositions, solder bonding by means of gold germanium alloys, die bonding with the use of thermal conductive adhesive foil and joining technology based on low temperature sintering of silver nanoparticles. The applied bonding technologies are described and obtained results are presented.
Z pośród półprzewodników szerokopasmowych węglik krzemu (SiC) stał się najbardziej obiecującym materiałem dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Jest on obiektem szczególnego zastosowania wszędzie tam, gdzie wymaganiom wysokotemperaturowym nie może sprostać Si. Niezawodność przyrządów z SiC w wysokich temperaturach jest ograniczona przez procesy montażu obejmujące montaż struktur do podłoża, wykonywanie połączeń elektrycznych oraz przez brak stabilności wysokotemperaturowej kontaktów omowych. Główna uwaga w tym artykule została zwrócona na problemy związane z montażem nieobudowanych struktur SiC do podłoża. Dokonano przeglądu różnych technologii montażu struktur SiC do podłoża z ceramiki alundowej, które mogą spełniać wymagania pracy w wysokich temperaturach. W badaniach wykorzystano następujące techniki montażu: klejenie kompozycjami organicznymi lub nieorganicznymi, lutowanie lutami Au-Ge, klejenie przy zastosowaniu adhezyjnej folii ceramicznej oraz spiekanie niskotemperaturowe za pomocą pasty utworzonej z nanocząsteczek srebra. We wnioskach dokonano oceny analizowanych technik montażu w oparciu o wyniki uzyskane w badaniach własnych.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 99-106
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of modern semiconductor devices from silicon carbide for the construction of the synchronous rectifiers
Autorzy:
Krupa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/115528.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Fundacja na Rzecz Młodych Naukowców
Tematy:
SiC devices
synchronous rectifier
transformer
Opis:
In low-voltage isolated DC-DC converters, power losses due to the conduction of rectifying devices are significant. Using synchronous rectifiers instead of the conventional fast recovery diodes is an effective solution to this problem in most topologies. This paper provides results of computer simulation in PSpice of implementation SiC (silicon-carbide) diode in synchronous rectifier topology and shows advantages of this solution.
Źródło:
Challenges of Modern Technology; 2011, 2, 2; 13-15
2082-2863
2353-4419
Pojawia się w:
Challenges of Modern Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of the application of SIC ceramics as a tool material in the slide burnishing process
Analiza zastosowania ceramiki SIC jako materiału narzędziowego w procesie nagniatania ślizgowego
Autorzy:
Gałda, Lidia
Pająk, Dariusz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31232983.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
slide burnishing
surface texture
SiC ceramics
nagniatanie ślizgowe
struktura geometryczna powierzchni
ceramika SiC
Opis:
The paper presents results obtained by SiC ceramic implementation for slide burnishing. Analyzes of the effect of the burnishing force and feed on selected surface texture parameters were conducted. The influence of technological parameters was assessed according to the analysis of variance. The burnishing force and feed affected most of the examined surface texture parameters in the analyzed ranges. Optimal values were found for the technological parameters. In most cases, the minimum of height parameters were achieved for 80 N of burnishing force and 0,063 mm/rev of feed. Limitations in the increase in the burnishing force were also found.
W artykule przedstawiono wyniki uzyskane w badaniach nagniatania ślizgowego z zastosowaniem ceramiki SiC. Przeprowadzono analizy wpływu siły nagniatania i posuwu na wybrane parametry struktury geometrycznej powierzchni. Wpływ parametrów technologicznych oceniono na podstawie analizy wariancji. Siła nagniatania i posuw wpłynęły na większość badanych parametrów struktury geometrycznej powierzchni. Wyznaczono optymalne wartości parametrów technologicznych. W większości przypadków minimalne wartości parametrów wysokościowych osiągano dla siły nagniatania równej 80 N i przy posuwie równym 0,063 mm/obr. Zidentyfikowano również ograniczenia dotyczące maksymalnej siły nagniatania.
Źródło:
Technologia i Automatyzacja Montażu; 2022, 1; 45-57
2450-8217
Pojawia się w:
Technologia i Automatyzacja Montażu
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photochemical Conversion of CO₂ into Methyl Alcohol Using SiC Micropowder under UV Light
Autorzy:
Azzouz, F.
Kaci, S.
Bozetine, I.
Keffous, A.
Trari, M.
Belhousse, S.
Aissiou-Bouanik, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1031493.pdf
Data publikacji:
2017-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
SiC micropowder
CO₂ photoreduction
methanol
Opis:
In our study, microparticles SiC powder was investigated as a catalyst for CO₂ photoreduction into methanol under UV light. The photochemical conversion of methanol was studied as function of time of exposition, the concentration and the grain size of the catalyst. The selectivity of the used catalyst to promote methanol formation was noticed. It was noticed also that the grain size and concentration have a great impact on the photochemical conversion of CO₂ to methanol. The best yield of methanol was achieved when a concentration of 0.75 M of SiC powder of 17 μm grain size and an exposure time to UV light of 2 h where assured. Maximum molar concentration of methanol achieved was under UV irradiation of 365 nm. Therefore, the catalytic property of silicon carbide has proved its efficiency in the photochemical conversion of CO₂ into alcohol thus far under UV light.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 3; 479-483
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of friction stir processing (FSP) on microstructure and hardness of AlMg10/SiC composite
Autorzy:
Iwaszko, J.
Kudła, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200735.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
friction stir processing
AlMg10/SiC composite
microstructure
kompozyt AlMg10/SiC
mikrostruktura
FSP
Opis:
The AlMg10 aluminum alloy reinforced with SiC particles was subjected to friction stir processing (FSP). The composite was made by mechanical mixing and gravity casting. The mass fraction of SiC particles in the composite was about 10%. Evaluation of the effects of FSP treatment was performed by means of light microscopy, scanning electron microscopy, EDS and hardness measurement. It was found that the inhomogeneous distribution of SiC particles and their agglomeration, which were observable in the cast composite, were completely eliminated after FSP modification. The treatment was also accompanied by homogenisation of the material in the mixing zone as well as fragmentation of both the matrix grain of the composite and SiC particles. In the case of SiC particles, a change in their shape was also observed. In the as-cast composite, particles with dimensions from 30 to 60 μm and a sharp-edged polyhedral shape prevailed, while in the material subjected to friction treatment, particles with dimensions from 20 to 40 μm and a more equiangular shape prevailed. Pores and other material discontinuities occurring frequently in the as-cast composite were completely eliminated after friction modification. The recorded changes in the microstructure of the material were accompanied by an increase in the hardness of the composite by nearly 35%. The conducted investigations have shown that FSP modification of the AlMg10/SiC composite made by the casting method leads to favorable microstructural changes in the surface layer and may be an alternative solution to other methods and technologies used in surface engineering.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 2; 185-192
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dwukierunkowa przetwornica DC/DC z wykorzystaniem elementów SiC
Bidirectional DC/DC converter built with the use of SiC elements
Autorzy:
Matelski, W.
Wolski, L.
Abramik, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408732.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
przekształtniki DC/DC
magazynowanie energii
półprzewodniki SiC
mikrosieci
DC/DC converters
energy storage
SiC semiconductors
microgrids
Opis:
W artykule opisane zostały prace nad rozwojem przetwornicy o wysokiej częstotliwości łączeń z wykorzystaniem półprzewodników z węglika krzemu. Układ przystosowano do współpracy z magazynem energii, będącym częścią mikrosieci prądu stałego zawierającej źródła OZE. Przedstawiona została budowa urządzenia oraz działanie opracowanego algorytmu sterowania. W pracy zawarto wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy o częstotliwości łączeń 500 kHz, współpracującej z superkondensatorowym zasobnikiem energii.
The article presents development process of the high frequency DC/DC converter built on the basis of silicon carbide elements. The device has been designed for energy storage applications, as a part of a DC microgrid with renewable energy sources. The structure and basics of the proposed control algorithm of the converter have been presented. The work contains the results of experimental tests of the converter operating with 500 kHz switching frequency in application with a supercapacitor.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2016, 3; 64-69
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 107

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies