Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "RIE" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The Ketema Ra’isi site near the Tekkeze river in Tigray (Ethiopia): A possible Aksumite site in the context of Ezana’s war against the Nobā
Autorzy:
Gaudiello, Michela
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2033318.pdf
Data publikacji:
2021-12-31
Wydawca:
Uniwersytet Warszawski. Wydawnictwa Uniwersytetu Warszawskiego
Tematy:
Tigray region
Ethiopia
survey
coins
miniature vessels
Tekkeze river
king Ezana
RIÉ 189 inscription
Opis:
The ruins of the Ketema Ra’isi sites in the Ethiopian northern Tigray could prove to be the southwesternmost site of the Aksumite empire at least during the times of king Ezana. The mound of ruins contains a residential complex inside an enclosure wall showing typical Aksumite architectural building techniques. Three Aksumite coins collected from the site yield a terminus ante quem date for settlement in the Middle Aksumite period (mid-4th century AD). Therefore, the potential of the site for future archaeological exploration by the PolART expedition is substantial.
Źródło:
Polish Archaeology in the Mediterranean; 2021, 30(2); 461-476
1234-5415
Pojawia się w:
Polish Archaeology in the Mediterranean
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties
Autorzy:
Schwalke, U.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308978.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
high-k dielectrics
CMOS
Pr2O3
process integration
resist removal
wet chemical cleaning
wet chemical etching
RIE
Opis:
In this work we report on the process integration of crystalline praseodymium oxide (Pr2O3) high-k gate dielectric. Key process steps that are compatible with the high-k material have been developed and were applied for realisation of MOS structures. For the first time Pr2O3 has been integrated successfully in a conventional MOS process with n+ poly-silicon gate electrode. The electrical properties of Pr2O3 MOS capacitors are presented and discussed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 7-10
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies