Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ps 49" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Oczekiwanie nieśmiertelności w Starym Testamencie
Autorzy:
Filipiak, Marian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1165509.pdf
Data publikacji:
1978
Wydawca:
Katolicki Uniwersytet Lubelski Jana Pawła II
Tematy:
nieśmiertelność
Ps 16
Ps 49
Ps 73
immortality
Opis:
Nous pouvons distinguer dans l’Ancien Testament trois groupes principaux de textes qui préparent à 1’enseignement sur la vie posthume et qui ne seront entièrement développès que dans le Nouveau Testament. Ce sont d’abord des textes qu i parlent des retrouvailles du mourant et de ses ancêtres, ensuite des textes qui expriment la conviction que Dieu possède un pouvoir sur la vie et sur la mort et, enfin, les Psaumes 16; 49; 73. II résulte de l’analyse de ces textes que la foi en la vie posthume — qui, dans la pensée de l’Ancien Testament, n’est point liée avec l’espoir du salut ou d’une récompense — prend ses racines dans les plus anciennes assises de la pensée religieuse d’Israel.
Źródło:
The Biblical Annals; 1978, 25, 1; 15-22
2083-2222
2451-2168
Pojawia się w:
The Biblical Annals
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Nitrogen Plasma Afterglow on Amorphous Carbon Nitride Thin Films Deposited by Laser Ablation
Autorzy:
Alkhawwam, A.
Abdallah, B.
Kayed, K.
Alshoufi, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493712.pdf
Data publikacji:
2011-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
82.33.Xj
81.15.Fg
78.30.Jw
68.49.Uv
68.37.Ps
68.37.Hk
Opis:
By employing pulsed laser deposition, amorphous carbon nitride $(a-CN_{x})$ thin films, were prepared on unheated Si (100). Investigation of compositional and structural modifications induced by microwave nitrogen plasma afterglow on amorphous carbon nitride thin films, has been carried out in the range of nitrogen pressure 10-1000 Pa. The role of nitrogen plasma afterglow on the physicochemical and structural characteristics of a-$CN_{x}$ was explored using the diagnostic techniques: Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy. Upon analyzing the Raman and X-ray photoelectron spectra, it is concluded that employing nitrogen plasma afterglow during the films deposition favors, in general, the increase in nitrogen content and the formation of $sp^2$ bonding in the a-$CN_{x}$ films. The analysis of scanning electron and atomic force microscopy images demonstrated that the films had a granular structure formed from particles coalesced together into cauliflower-like clusters and the particles size increased by increasing nitrogen pressure. A 2D atomic force microscopy line profile measurements provide evidence to a decrease in size of clusters using nitrogen plasma afterglow which could be due to the annihilation of excess vacancies and/or the elimination of grain boundaries. These analyses were found to be quite reliable to help understand the effects of microwave nitrogen plasma afterglow on amorphous carbon nitride thin films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 3; 545-551
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO Thin Films Deposited on Sapphire by High Vacuum High Temperature Sputtering
Autorzy:
Borysiewicz, M. A.
Pasternak, I.
Dynowska, E.
Jakieła, R.
Kolkovski, V.
Dużyńska, A.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048109.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.15.Cd
61.05.cp
68.37.Hk
68.37.Ps
68.49.Sf
78.55.Et
Opis:
ZnO (0001) layers on sapphire (0001) substrates were fabricated by means of high temperature high vacuum magnetron sputtering. The layers were deposited onto a thin MgO buffer and a low temperature ZnO nucleation layer, which is a technology commonly used in MBE ZnO growth. This paper reports on using this technology in the sputtering regime.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 686-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies