Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Nitrogen Doping" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The Oxygen Reduction Activity of Nitrogen-doped Graphene
Autorzy:
Jian-feng, Liu
Ge, Sun
Ting, Wang
Kai, Ning
Bin-xia, Yuan
Wei-guo, Pan
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2174819.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
Nitrogen Doping
Graphene
Oxygen Reduction Activity
Molecular Simulation
Opis:
Graphite nitrogen, pyridine nitrogen and pyrrole nitrogen are the main nitrogen types in nitrogen-doped graphene materials. In order to investigate the mechanism of the oxygen reduction activity of nitrogen-doped graphene, several models of nitrogen-doped graphene with different nitrogen contents and different nitrogen types are developed. The nitrogen content is varied from 1.3 at% to 7.8 at%, and the adsorption energy is calculated according to the established models, then the band gaps are analyzed through the optimization results, so as to compare the mag-nitude of the conductivity. Finally, the oxygen reduction activity of graphite nitrogen-doped graphene (GNG) is found to be better than pyridine nitrogen-doped graphene (PDNG) and pyrrole nitrogen-doped graphene (PLNG) when the nitrogen content is lower than 2.6 at%, and the oxygen reduction activity of PDNG is the best when the nitrogen content was higher than 2.6 at%.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2022, 24, 3; 29--34
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
Autorzy:
Kamiński, P.
Kwestarz, M.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
wysokorezystywne monokryształy krzemu
FZ
domieszkowanie azotem
high-resistivity silicon single crystals
nitrogen doping
Opis:
W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies