- Tytuł:
-
Pomiary naprężeń w strukturach MOS metod interferencyjną i za pomocą elipsometrii spektroskopowej
Stress determination of MOS structures by interference and spectroscopic ellipsometry method - Autorzy:
-
Borowicz, L. K.
Borowicz, P.
Rzodkiewicz, W.
Piskorski, K. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/157406.pdf
- Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
- Tematy:
-
struktury MOS
naprężenie
interferometria
elipsometria
parametry elektryczne
Metal Oxide Semiconductor
MOS structures
stress
interferometry
ellipsometry
electrical parameters - Opis:
-
Zmierzone parametry elektryczne struktur MOS wskazują na obecność naprężeń mechanicznych panujących w tlenku pod powierzchnią bramki metalowej. Przyjęto do badań dwie metody optyczne: elipsometrii i mikro-interferometrii. Do oceny ugięcia prążków interferencyjnych spowodowanego zmianami drogi optycznej w warstwie dielektryka pod wpływem naprężeń stworzono oprogramowanie komputerowe oparte na regresji nieliniowej. Inny sposób oceny tej wielkości wykorzystuje ekwidensytometrię. Pomiary optyczne pozwoliły wyznaczyć niektóre składowe tensora naprężeń w warstwie dielektryka sąsiadującej z krawędzią bramki.
Observed changes in some electrical parameters of MOS structures indicate existence of stresses in SiO2 layer under aluminum gate. In order to find out why these parameters were changed, we have studied optical properties of the dielectric in the vicinity of metal and poly-silicon gate. - Źródło:
-
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 325-328
0032-4140 - Pojawia się w:
- Pomiary Automatyka Kontrola
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł