Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "MIS transistor" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film
Autorzy:
Szmidt, J.
Werbowy, A.
Dusiński, E.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308421.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MIS transistor
reliability
Al2O3 films
RPP method
Opis:
The paper presents the parameters of MIS transistors with plasma deposited thin film aluminum oxide gate insulator. Al2O3 films were synthesized by means of the low-energy, low-temperature reactive pulse plasma (RPP) method. Investigated transistors, with channel width to length (W/L) ratios of 200/10 [žm/žm] and 200/20 [žm/žm] were manufactured in a standard microelectronic technological laboratory. In order to determine the most important parameters of produced devices there were measured their electrical characteristics. The distribution of the threshold voltage values was studied on a representative set of over two hundred structures.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies