Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "InGaN" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
    HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Strupiński, W.
    Rudziński, M.
    Gaca, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192140.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    heterostruktura
    interfejs
    GaN
    InGaN
    heterostructure
    interface
    Opis:
    Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków AIIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
    A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for AIIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 48-57
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelowanie zjawiska spadku sprawności dla dużych gęstości prądów w diodach elektroluminescencyjnych z azotków
    Modeling of efficiency droop effect in GaN leds
    Autorzy:
    Cegielski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/160001.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    oświetlenie
    elektroliminescencja
    LED
    GaN
    InGaN
    wewnetrzna sprawność kwantowa
    studnia kwantowa
    rekombinacja
    spadek sprawności
    solid state lighting
    internal quantum efficiency
    quantum well
    recombination
    efficiency droop
    Opis:
    Pomimo rozwoju, który nastąpił w technologii wytwarzania białych elektroluminescencyjnych źródeł światła, w urządzeniach tych ciągle istotną ograniczającą rolę pełni zjawisko spadku sprawności generacji światła dla dużych gęstości prądu. Ponadto wciąż nierozpoznane dostatecznie są jego fizyczne podstawy. W referacie przedstawiono możliwe modele opisujące ten efekt, opierając się na dyskutowanych w literaturze hipotetycznych przyczynach: różnych rodzajach rekombinacji Augera, efektach termicznych, występowaniu silnych pól elektrycznych i asymetrii występowania nośników, itp. Poznanie potencjalnych powodów zjawiska spadku efektywności pozwoli na dalszy rozwój źródeł światła opartych na elektroluminescencji. Przełoży to się na niższy koszt uzyskania zamienników tradycyjnych źródeł światła i większe ich rozpowszechnienie, co w istotny sposób może ograniczyć wzrost światowego zużycia energii.
    Despite the development that occurred in the technology of white Light-Emitting Diodes, this devices are still limited by the phenomenon of the efficiency droop that occurs in light generation for large current densities. Moreover, its physical basis is still not sufficiently recognized. The paper presents possible models describing this effect, based on the hypothetical reasons discussed in the literature: different types of Auger recombination, thermal effects, the presence of strong electric fields and the occurrence of the asymmetry of carriers, etc. Knowing the potential reasons for the droop phenomenon will allow the further development of Solid State Light sources. This leads to lower cost retrofits or replacements of traditional light sources and greater their market penetration, which may significantly reduce global energy consumption increase.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 255; 7-18
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
    Autorzy:
    Kuc, M.
    Sokół, A. K.
    Piskorski, Ł.
    Dems, M.
    Wasiak, M.
    Sarzała, R. P.
    Czyszanowski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200863.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    edge-emitting lasers
    InGaN/GaN
    computer simulation
    ITO
    optical confinement
    Opis:
    This paper presents the results of a numerical analysis of nitride-based edge-emitting lasers with an InGaN/GaN active region designed for continuous wave room temperature emission of green and blue light. The main goal was to investigate whether the indium thin oxide (ITO) layer can serve as an effective optical confinement improving operation of these devices. Simulations were performed with the aid of a self-consistent thermal-electrical-optical model. Results obtained for green- and blue-emitting lasers were compared. The ITO layer in the p-type cladding was found to effectively help confine the laser mode in the active regions of the devices and to decrease the threshold current density.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 147-154
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of InGaN waveguide on injection efficiency in III-nitride laser diodes
    Autorzy:
    Hajdel, Mateusz
    Muzioł, Grzegorz
    Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
    Siekacz, Marcin
    Wolny, Paweł
    Skierbiszewski, Czesław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173219.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    InGaN
    laser diode
    waveguide
    injection efficiency
    Opis:
    The influence of using InGaN waveguides on blue laser diodes was theoretically studied using 1D drift diffusion model and 2D optical mode calculation. Despite of the known effect of increased confinement of an optical mode, especially for long wavelengths, an unexpected influence on the efficiency of carrier injection into the active region is discussed. It is found that InGaN-AlGaN interface is crucial to achieving high injection efficiency. A numerical model is created, which describes the influence of InGaN waveguide and Mg doping of electron blocking layer on basic properties of laser diodes. It is found that an increase of injection efficiency allows to reduce the doping level in an electron blocking layer and take advantage of decreased optical losses.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 2; 311-321
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
    Autorzy:
    Veleschuk, V
    Vlasenko, A
    Kisselyuk, M
    Vlasenko, Z
    Khmil, D
    Borshch, V
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174776.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    electroluminescence at reverse bias
    InGaN/GaN heterostructures
    defect
    Opis:
    The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer). The temperature narrowing the half-width and the shift of electroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2015, 45, 4; 535-543
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies