Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "In2O3" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Synthesis of an optical catalyst for cracking contaminating dyes in the wastewater of factories using indium oxide in nanometer and usage in agriculture
Autorzy:
Ahmed, Ishaq F. E.
El-Shenawy, Ahmed I.
Refat, Moamen S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778735.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
Photocatalyst
In2O3
precursors
Crystal Violet
Congo Red
NPs
Opis:
Herein, the photocatalytic degradation of the Congo Red (CR) and Crystal Violet (CV) dyes in an aqueous solution were discussed in the presence of an indium(III) oxide (In2O3) as optical catalyst efficiency. The caproate bidentate indium(III) precursor complex has been synthesized and well interpreted by elemental analysis, molar conductivity, Fourier transform infrared (FT-IR), UV-Vis, and thermogravimetric (TGA) with its differential thermogravimetric (DTG) studies. The microanalytical and spectroscopic assignments suggested that the associated of mononuclear complex with 1:3 molar ratio (M3+:ligand). Octahedral structure is speculated for this parent complex of the caproate anion, CH3(CH2)4COO ligand. The In2O3  NPs with nanoscale range within 10–20 nm was synthesized by a simple, low cost and eco-friendly method using indium(III) caproate complex. Indium oxide nanoparticles were formed after calcination of precursor in static air at 600°C for 3 hrs. The structural, grain size, morphological and decolorization efficiency of the synthesized NPs were characterized using the FT-IR, X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray analysis (EDX) and transmission electron microscopy (TEM) analyses. It was worthy mentioned that the prepared In2O3  NPs showed a good photodegradation properties against CR and CV organic dyes during 90 min.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2019, 21, 4; 98-105
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optimised magnetron sputtering method for the deposition of indium tin oxide layers
Autorzy:
Musztyfaga-Staszuk, Małgorzata
Pudiš, Dušan
Socha, Robert
Gawlińska-Nęcek, Katarzyna
Panek, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2090684.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
In2O3
Sn2O
ITO
magnetron sputtering method
metoda rozpylania magnetronowego
Opis:
The article presents the method of magnetron sputtering for the deposition of conductive emitter coatings in semiconductor structures. The layers were applied to a silicon substrate. For optical investigations, borosilicate glasses were used. The obtained layers were subjected to both optical and electrical characterisation, as well as structural investigations. The layers on silicon substrates were tested with the four-point probe to find the dependence of resistivity on the layer thickness. The analysis of the elemental composition of the layer was conducted using a scanning electron microscope equipped with an EDS system. The morphology of the layers was examined with the atomic force microscope (AFM) of the scanning electron microscope (SEM) and the structures with the use of X-ray diffraction (XRD). The thickness of the manufactured layers was estimated by ellipsometry. The composition was controlled by selecting the target and the conditions of the application, i.e. the composition of the plasma atmosphere and the power of the magnetrons. Based on the obtained results, this article aims to investigate the influence of the manufacturing method and the selected process parameter on the optical properties of thin films, which should be characterised by the highest possible value of the transmission coefficient (>85–90%) and high electrical conductivity.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 6; e139005, 1--6
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microstructural characterization of the reaction product region formed due to the high temperature interaction of ZnO[0001] single crystal with liquid aluminum
Charakterystyka mikrostrukturalna strefy produktów reakcji utworzonych w wyniku wysokotemperaturowego oddziaływania monokrystalicznego Zn[0001] z ciekłym aluminium
Autorzy:
Wojewoda-Budka, J.
Sobczak, N.
Stan, K.
Nowak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353598.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reakcja redoks
Al/ZnO interface
in situ composites
redox reaction
α-Al2O3
δ-Al2O3
γ-Al2O3
kompozyty in situ
Al/ZnO
alfa-Al2O3
gamma-Al2O3
delta-Al2O3
Opis:
The study was focused on the microstructure characterization at the micro- and nano scale of the reaction product region (RPR) formed due to the interaction between the liquid aluminum and ZnOSC [0001] single crystalline substrate at 1000ºC. The research was carried out on the Al/ZnO couple produced by the sessile drop method under vacuum within two different procedures: 1) classical contact heating and cooling; 2) pushing drop procedure allowing opening the Al/ZnO interface at the test temperature and, therefore, prevent influence of cooling with Al drop on interface structure. The microstructure observations of the sample after using classical contact heating procedure revealed the formation of the RPR of ~50 μm in thickness extending into the ZnOSC single crystal substrate. It was composed of the ceramic α-Al2O3 and metallic Al(Zn) mutually interpenetrating lattices, typical for the C4 type structure. Additionally, at the ZnO/RPR interface, the presence of a thin (~250 nm) layer of the metastable δ-Al2O3was detected. The obtained results were compared with experimental data found for the sample after pushing drop procedure resulting in the formation of two layers of ZnAl2O4 spinel and alumina, exhibiting strong epitaxial growth. The selected area diffraction patterns clearly evidenced that the crystal structure of formed Al2O3 corresponds to the tetragonal δ-phase.
W pracy scharakteryzowano mikrostrukturę w skali mikro i nano strefy produktów reakcji (SPR) powstałych w wyniku oddziaływania pomiędzy ciekłym aluminium i monokrystalicznym podłożem ZnOSC o orientacji [0001] w 1000ºC. Badania przeprowadzono dla pary Al/ZnO wytworzonej w próżni metoda kropli leżącej przy zastosowaniu dwóch procedur: 1) klasycznej, wspólnego nagrzewania i chłodzenia, 2) przepychania kropli, umożliwiającej otwarcie granicy rozdziału Al/ZnO w temperaturze badania, a tym samym uniknięcia wpływu chłodzenia kropli Al na jej strukturę. Obserwacje mikrostruktury próbki po zastosowaniu klasycznej procedury wspólnego wygrzewania wykazały powstanie SPR o grubości około 50 μm wewnątrz podłoża ZnO. Składała się ona z dwóch wzajemnie przenikających się sieci ceramicznej α-Al2O3 i metalicznej Al (Zn), typowych dla struktury C4. Dodatkowo, na granicy ZnO/RPR wykryto obecność cienkiej (~250 nm) warstwy metastabilnej odmiany δ-Al2O3. Uzyskane wyniki porównano z danymi doświadczalnymi znalezionymi dla próbki po procedurze przepychania kropli, która skutkowała w tworzeniu sie dwóch warstw wykazujących silnie epitaksjalny wzrost: spinelu ZnAl2O4 oraz tlenku aluminium. Dyfrakcje elektronowe pokazały, ze struktura krystaliczna utworzonej Al2O3 odpowiada tetragonalnej fazie delta.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 351-355
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies