Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "IR source" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Półprzewodnikowe źródło promieniowania IR z przestrajaną emisyjnością
Semiconductor IR source with controlled emissivity
Autorzy:
Piątkowski, T.
Polakowski, H.
Trzaskawka, P.
Piotrowski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157674.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
promiennik podczerwieni
emisyjność
termowizja
IR source
emissivity
thermography
Opis:
W pracy dokonano analizy wpływu parametrów geometrycznych i optycznych planarnej diody krzemowej na jej właściwości emisyjne. Przeprowadzono analizy teoretyczne oraz dokonano pomiarów emisyjności różnicowej, weryfikujących obliczenia. Wykonano badania wpływu parametrów impulsów sterujących oraz właściwości promiennych testowanego źródła. Zbadano rozkład promieniowania w obszarze optycznie czynnym. Promienniki podczerwieni takiego typu można użyć zarówno do tworzenia sceny termalnej sterowanej elektrycznie jak do pomiarów parametrów dynamicznych kamer termowizyjnych.
The paper presents the influence of geometrical and optical parameters of a planar silicon diode on its emissive properties, especially the maximal value of differential emissivity that can be achieved at 100°C operating temperature. The theoretical analysis was performed (Figs. 1, 2) and was verified by emissivity measurements for two silicon structures, 0.3 and 0.5 mm thick, with and without an aluminum reflective layer. The pulse mode for carrier injection into p-n junction was applied. The pulse parameters as well as radiative properties of silicon structure were optimized and verified experimentally. The pulse amplitude, duration and repetition frequency were determined to obtain optimal source characteristics. The apparent temperature distribution across the active surface with and without carrier injection was measured with use of a thermal camera (Fig. 7). Due to generally promising results for a single diode, the next stage of research concerning a 4-element source (2x2 matrix) is planned. The mutual influence of adjacent diodes will be investigated and the designed control electronics will be tested.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 11, 11; 886-889
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anna Wojciuk, Hanna Scheiber (red.), Stosunki Międzynarodowe. Antologia tekstów źródłowych. Tom 2: Współczesne oblicza dziedziny - po 1989 roku, Wydawnictwa UW, Warszawa 2022
Anna Wojciuk, Hanna Scheiber (red.), International Relations. The Anthology of Written Sources. Volume 2: The Modern Discipline After 1989, Wydawnictwa UW, Warszawa 2022
Autorzy:
Dranicki, Tomasz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/32443989.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Fundacja PSC
Tematy:
IR
source text
anthology
Źródło:
Alcumena. Pismo Interdyscyplinarne; 2022, 1(9); 33-36
2719-9851
Pojawia się w:
Alcumena. Pismo Interdyscyplinarne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A new design of scanning IR detectors
Autorzy:
Dvoretsky, Sergey A.
Kovchavtsev, Anatoly P.
Lee, Irlam I.
Polovinkin, Vladimir G.
Sidorov, Georgiy Yu.
Yakushev, Maxim V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818248.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
scanning IR detector
photosensitive element
Monte Carlo method
local quantum efficiency
point radiation source
Opis:
Photoelectrical characteristics of scanning IR detectors with implemented time delay and integration mode are analyzed. A new “shifted cellular” layout of photosensitive elements in the FPA structure is proposed. Advantages of the new FPA configuration in terms of threshold sensitivity for small-size/point objects are demonstrated. The analysis is based on the Monte Carlo simulation of the diffusion process of photogenerated minority charge carriers in the photosensitive layer photodiode arrays. The analysis is performed taking into account the main photoelectric parameters of FPA elements: photosensitive layer thickness, diffusion length of charge carriers, optical absorption length, their design parameters: geometric sizes of FPA elements, diameters of p-n junctions, and design parameters of the optical system: optical-spot diameter.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 2; 93--98
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies