Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "I-V electrical characteristics" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Comparison of single-diode models applied to thin film PV module operating under different environmental conditions
Autorzy:
Gulkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1940695.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Gdańska
Tematy:
solar energy
photovoltaics
I-V electrical characteristics
computational modeling
Opis:
The electrical current-voltage (I-V) characteristic a of photovoltaic (PV) module depends on the environmental conditions under which it operates. The shape of the I-V curve depends on the solar cell technology and changes dynamically in time with irradiance and temperature. A simulation model of the PV module can be used to examine the dynamic behavior of the I-V curve as well as to extract the module parameters from the curves. This paper presents the results of comparison of two different models based on a single-diode equivalent circuit applied to a thin film module. The Matlab/Simulink simulation studies of I-V characteristic curves in the function of irradiance and temperature were carried out. The results were compared with the experimental data of the I-V curves obtained from outdoor measurements. Relative errors of the simulation and experimental results were analyzed.
Źródło:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2017, 21, 1; 43-52
1428-6394
Pojawia się w:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical characterization of ISFETs
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Yang, C. M.
Jaroszewicz, B.
Zaborowski, M.
Grabiec, P.
Pijanowska, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308663.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ISFET
CMOS
electrical measurements
I-V characteristics
characterization
parameters extraction
Opis:
Methodology of electrical characterization of ISFETs has been described. It is based on a three-stage approach. First, electrical measurements of ISFET-like MOSFETs and extraction of basic parameters of the MOSFET compact model are performed. Next, mapping of the ISFET channel conductances and a number of other characteristic parameters is carried out using a semi-automatic testing setup. Finally, ISFET sensitivity to solution pH is evaluated. The methodology is applied to characterize ISFETs fabricated in the Institute of Electron Technology (IET).
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 55-60
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies