Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "I-V characteristic" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Analysis of noise and non-linearity of I-V characteristics of positive temperature coefficient chip thermistors
Autorzy:
Sita, Z.
Sedlakova, V.
Majzner, J.
Sedlak, P.
Sikula, J.
Grmela, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220721.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
PTC chip sensors
noise spectroscopy
I-V characteristic non-linearity
quality evaluation
Opis:
Noise spectroscopy and I-V characteristic non-linearity measurement were applied as diagnostic tools in order to characterize the volume and contact quality of positive temperature coefficient (PTC) chip sensors and to predict possible contact failure. Correctly made and stable contacts are crucial for proper sensing. I-V characteristics and time dependences of resistance were measured for studied sensors and, besides the samples with stable resistance value, spike type resistance fluctuation was observed for some samples. These spikes often disappear after about 24 hours of voltage application. Linear I-V characteristics were measured for the samples with stable resistance. The resistance fluctuation of burst noise type was observed for some samples showing the I-V characteristic dependent on the electric field orientation. We have found that the thermistors with high quality contacts had a linear I-V characteristic, the noise spectral density is of 1/f type and the third harmonic index is lower than 60 dB. The samples with poor quality contacts show non-linear I-V characteristics and excess noise is given by superposition of g-r and 1/fn type noises, and the third harmonic index is higher than 60 dB.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2013, 20, 4; 635-644
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of a solar cell by varying illumination
Autorzy:
Kołodziej, Andrzej
Kołodziej, Michał
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402388.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Tarnowie
Tematy:
thin films
solar cell measurement
silicon
I–V characteristic
varying illumination
cienkie warstwy
pomiar ogniw słonecznych
krzem
oświetlenie zmienne
Opis:
This work aims to confirm that the single-diode model of a monocrystalline cell can be used successfully also for thin-film solar cells when their basic parameters are calculated using the method of changing illumination. The authors describe the experimental procedure, in which I–V curves of thin-film solar cells are measured when illumination levels are changing. In experiments, a fully reflective 500 W solar simulator is used as an excellent broadband white light source, which provides the range of 0.01–10 Sun settings.
Źródło:
Science, Technology and Innovation; 2020, 10, 3; 8-14
2544-9125
Pojawia się w:
Science, Technology and Innovation
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells
Wpływ warunków zewnętrznych na parametry krzemowych ogniw słonecznych
Autorzy:
Swatowska, B.
Stapiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192322.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
krzemowe ogniwo słoneczne
charakterystyka I-V
model dwudiodowy
sprawność ogniwa słonecznego
silicon solar cell
I-V characteristic
two diod model
efficiency of solar cell
Opis:
Praca skupia się na badaniu wpływu zmian temperatury zewnętrznej oraz stopnia zacienienia powierzchni ogniw słonecznych na ich parametry elektryczne. Charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw słonecznych na bazie krzemu multikrystalicznego były wyznaczone przy oświetleniu AM 1.5 za pomocą urządzenia sterowanego komputerowo I-V Curve Tracer For Solar Cells Qualification. Poprzez zastosowanie elektrycznego modelu dwudiodowego, pomiary charakterystyk I-V ogniw pozwoliły określić sprawność ogniw oraz ich prąd zwarcia i napięcie obwodu otwartego. Pomiary temperaturowe przeprowadzono w zakresie od 5 do 55 °C, przy stałym i równomiernym oświetleniu całej powierzchni ogniw. Zmienny stopień zacienienia powierzchni ogniw miał bardzo istotny wpływ na ich parametry elektryczne. Obniżenie sprawności ogniw słonecznych wraz z temperaturą oraz stopniem zacienienia jest czynnikiem bardzo istotnym przy optymalizacji warunków pracy systemów fotowoltaicznych.
The purpose of the work is the investigation of influence of rapid change of temperature and the shadowing of light on silicon solar cells operation. Current-voltage characteristics for multicrystalline silicon solar cells were measured by the use of computer controlled global spectrum sun simulator under an AM 1.5. The measurements of I-V characteristics allow the determination of basic electrical parameters and efficiency using the double exponential relationship from two-diode solar cells model. Temperature measurements were carried out in the temperature range from 5 to 55 °C under constant irradiance. Under changeable area of illumination of solar cells was also observed the variation of their parameters. The rate of decrease of solar cells efficiency with temperature and shadowing area are important to estimate optimal working conditions of PV systems.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 13-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tunneling throught a barrier under transverse magnetic field and I-V characteristic
Autorzy:
Papadopoulos, George J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1955281.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Gdańska
Tematy:
transmission coefficient
momentum-like quantity
I-V characteristic
Opis:
The case whereby the transmission coefficient through a barrier, sandwiched by semiconductor reservoirs, under bias is provided by a general formula involving the logarith micwave function derivative at the barrier entrance is now extended to include the influence of magnetic field perpendicular to the longitudinal barrier direction. Under the circumstances, theequation governing the logarithmic wave function derivative is appropriately modified via aneffective potential energy which takes account of the magnetic field. Subsequently, the procedurefor obtaining the transmission coefficient is applied to the case involving a smooth double, as wellas quadruple, barrier for which theI-V characteristic is obtained. The results show reduction incurrent with increase in the magnetic field, up to a certain value of bias. Furthermore, increasein temperature exhibits increase in current as well as movement of the current peaks in the I-V curves towards lower bias.
Źródło:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2018, 22, 2; 125-133
1428-6394
Pojawia się w:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies