Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "High Power converters" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Analiza stanów zwarciowych w przekształtnikach dużej mocy
Analysis of short circuit conditions in high power devices
Autorzy:
Zymmer, K.
Maścibrodzki, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159857.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przekształtniki dużej mocy
stany zwarciowe
przyrządy energoelektroniczne
High Power converters
short circuit conditions
semiconductor power devices
Opis:
W artykule przedstawiono metodę określania zagrożeń uszkodzeniem przyrządów energoelektronicznych oraz eksplozją tych elementów w warunkach zwarć zewnętrznych i wewnętrznych w przekształtnikach dużej mocy. Metoda oparta jest na analizie porównawczej prądów przeciążeniowych deklarowanych przez wytwórców przyrządów półprzewodnikowych jako dopuszczalne z odpowiednimi wartościami prądów występujących w tych przyrządach w warunkach zwarciowych w zespole przekształtnikowym. W związku z różnymi przebiegami prądu deklarowanego jako dopuszczalny w stosunku do przebiegów występujących w rzeczywistości, jako kryterium porównawcze przyjęto odpowiadające tym prądom wartości całek i2t. Jako kryterium zagrożenia eksplozją przyrządu energoelektronicznego przyjęto wartości całki i2t, powodującej eksplozję tego przyrządu, wyznaczoną w trakcie badań eksperymentalnych prowadzonych w zwarciowni prądu przemiennego. Analizy obliczeniowe prowadzono na przykładzie trakcyjnego zespołu prostownikowego o prądzie 1700 A i napięciu wyprostowanym 3,3 kV. Analizy prowadzone były metodą symulacyjną przy wykorzystaniu programu PSIM.
Method of protection against failure or explosion hazard of semiconductor power devices, which can occur in high power converters, is discussed. This method base on a comparing of the permissible over current declared by manufactures, with the short-circuit current that can appear in case of failure. Different case of failure was analyzed and new criterion for protection of the semiconductor power devices is proposed. Taking the declared current, and the calculated integral i2t as function of time, of the short circuit current, one is able to select circuit breaker operating time that should be applied in substation. This criterion assumed was verified with gut accuracy during experimental investigation in high current conditions. Tests were made at traction DC current unit of 3,3 kV and 1700 A.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 258; 99-121
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A family of high-power multilevel switched capacitor-based resonant DC-DC converters – operational parameters and novel concepts of topologies
Autorzy:
Stala, R.
Piróg, S.
Penczek, A.
Kawa, A.
Waradzyn, Z.
Mondzik, A.
Skała, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/953065.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
DC-DC converter
high power converters
resonant converter
high voltage gain
zero current switching
przetwornica DC/DC
konwerter
moc
wysokie napięcie
Opis:
This paper presents the concept of topologies and investigation results of switched-capacitor voltage multipliers designed for application in high power systems. The analyzed family of multilevel converters includes established topologies as well as novel concepts. The application of thyristors as well as the invention of novel concepts of multiplier topologies and appropriate control make it possible to achieve high efficiency, high voltage gain, reliable and simple DC-DC converters for high power systems. Based on analytical models of the SCVMs, the paper presents a discussion of the selection of components and the efficiency of the converters as a function of converted power as well as the voltage range on the input and the output side. The results are supported by computer simulations and demonstrative experimental tests.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2017, 65, 5; 639-651
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Capabilities selected rules, recommendations and problems for the design of power electronics equipment installed on ships
Autorzy:
Muc, A.
Mysiak, P.
Kasprowicz, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/27315856.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
STE GROUP
Tematy:
power electronics
electric drive
engine room
high power converters
electricity conditioning
energoelektronika
napęd elektryczny
maszynownia
przetwornice dużej mocy
energia elektryczna
kondycjonowanie
Opis:
The paper presents an analysis of the state and possibilities of using power electronics and electric drives on ships, and in particular, in ship engine room. Problems related to the operation of power electronics in the soft network are presented. The issues related to the design of multi-pulse high power rectifiers are discussed, which is one of the most popular power electronics devices used on vessels. Then a simulation study of selected rectifier circuits was carried out. The purpose of this study was to show the effect of selecting a power electronics design on the waveforms of the voltages and currents in a soft network on the rectifier example. Also discussed are main electromagnetic device problems and issues related to regulations and recommendations for their design and operation. Proper selection of the type of the power supply design and observance of the rules and regulations ensures the efficiency of the equipment and the quality of the energy being processed and reduces their negative impact on the remaining equipment and network.
Źródło:
New Trends in Production Engineering; 2018, 1, 1; 711-720
2545-2843
Pojawia się w:
New Trends in Production Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Review and comparison of high efficiency high power boost DC/DC converters for photovoltaic applications
Autorzy:
Dawidziuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200077.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
boost DC/DC converters
high efficiency
high power
photovoltaic systems
renewable energy
Opis:
Recent environmental issues have accelerated the use of more efficient and energy saving technologies in renewable energy systems. High power high efficiency boost DC/DC converters for the use in photovoltaic, fuel cell systems are discussed in this paper from the viewpoint of power losses and efficiency. State of the art converters with switching frequency within the range of 25 kHz with IGBTs to 100 kHz with power MOSFETs and the highest efficiency close to 98%, depending on the load conditions, is considered. A comparison and discussion of the highest efficiency high power DC/DC boost converters is also presented in this paper.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 4; 499-506
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Review of solutions used in high speed induction motor drives operating in household appliances
Autorzy:
Sobczyński, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1193147.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
high speed induction motor drives
household appliance drives
power electronic converters
Opis:
The paper presents the high-speed induction motor drive as a alternative for household appliances. Short comparison was made between standard and high-speed motors. The solutions that use three-phase induction motors were given in consideration with different types of rotors: solid or squirrel cage. The assumed power of drive was up to 1 kW. As the power source, single-phase voltage source has been adopted, which was indirectly converted to a three-phase output voltages with the fundamental frequency up to 667 Hz.
Źródło:
Power Electronics and Drives; 2016, 1, 36/1; 27-39
2451-0262
2543-4292
Pojawia się w:
Power Electronics and Drives
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design, Analysis and Comparison of Si- and GaN-Based DC-DC Wide-Input-Voltage-Range Buck-Boost Converters
Autorzy:
Koszel, Mikołaj
Grzejszczak, Piotr
Nowatkiewicz, Bartosz
Wolski, Kornel
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1844528.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
buck-boost
synchronous dc-dc converters
GaN
high efficiency
ultracapacitor
power losses
SEPIC
Ćuk
Opis:
The purpose of the article is a comparison between DC/DC topologies with a wide input voltage range. The research also explains how the implementation of GaN E-HEMT transistors influences the overall efficiency of the converter. The article presents a process of selection of the most efficient topology for stabilization of the battery storage voltage (9 V – 36 V) at the level of 24 V, which enables the usage of ultracapacitor energy storage in a wide range of applications, e.g., in automated electric vehicles. In order to choose the most suitable topology, simulation and laboratory research were conducted. The two most promising topologies were selected for verification in the experimental model. Each of the converters was constructed in two versions: with Si and with GaN E-HEMT transistors. The paper presents experimental research results that consist of precise power loss measurements and thermal analysis. The performance with an increased switching frequency of converters was also examined.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 3; 337-343
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
Autorzy:
Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/269112.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses
Opis:
Tematem artykułu są badania wysokonapięciowego tranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnika obniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótką charakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych, a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażu powierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problem chłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanie porównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, że zaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niż zalecany przez producenta. W głównej części opracowania zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika. Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającego o częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzono możliwość budowania wysokosprawnych przekształtników z tranzystorami GaN.
In this paper a brief description of wide-bandgap semiconductors is given. Particularly, advantages of a 650 V GaN EHEMT transistor GS66508P-E03 are shown. This power switch is experimentally evaluated in a synchronous buck with two transistors in a half bridge configuration. The experimental results show that GaN transistors have very low total losses even when operating at high frequencies. The efficiency over 92% is achieved at the frequency of 200 kHz with 5 A output current and output power at a rate of 310 W. Additionally, in this work two different cooling systems for surface mounted transistor are compared. In a prototype for thermal evaluation one transistor has the cooling system with thermal vias through the PCB and alternatively the second one has the cooling system with the copper stud. The proposed cooling system with the copper stud is proven to have the twice smaller thermal resistance than the system with thermal vias. Another advantage is that in the same conditions the transistor is cooler and has lower on-resistance, what decreases the power losses.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 31-34
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies