Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "GaSb" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 16
Tytuł:
Status of multi-wafer production MBE capabilities for extended SWIR III-V epi materials for IR detection
Autorzy:
Fraser, Everett D.
Shao, Jiayi
Frensley, Paul W.
Barnes, Beau D.
Clark, Kevin P.
Kao, Yung-Chung
Pinsukanjana, Paul R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204203.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
extended shortwave
GaSb
InP
detector
pn-CBIRD
Opis:
The authors report two approaches, the first based on growth of lattice matched InGaAs/GaAsSb superlattice on InP substrate with tunable bandgap in the 2 to 3 μm range. The second approach is based on bulk random alloy InGaAsSb, which is tunable from 1.7 μm to 4.5 μm and lattice matched to the GaSb lattice constant. In each case, detector structures were fabricated and characterised. The authors have assessed the performance of these materials relative to commercially available extended short wave infrared devices through comparison to IGA-Rule 17 dark current performance level. A complementary barrier structure used in the InGaAsSb design showed improved quantum efficiency. The materials compare favourably to commercial technology and present additional options to address the challenging extended short wave infrared spectral band.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144571
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface treatment of GaSb and related materials for the processing of mid-infrared semiconductor devices
Autorzy:
Papis-Polakowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378417.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
semiconductor devices
mid-infrared wavelenth range
GaSb
Opis:
Various chemical treatments of GaSb and related compounds has been studied with the aim to develop procedures of polishing of GaSb substrates, preparation of their surfaces for deposition of metal and dielectric films, for liquid phase epitaxial growth, and finally fabrication of passivating coatings on surfaces of GaSb and its alloys. A broad spectrum of surface characterisation techniques has been used to analyse morphology of the surface and its chemical composition after each of the treatments applied. This allowed us to elaborate a complete set of technological procedures necessary for the fabrication of the efficient GaSb- based photo- and light emitting diodes operating in the midi-infrared wavelength range.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 4; 1-34
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
Growth of gallium antimonide single crystals in and directions by Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Bańkowska, A.
Hruban, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192038.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
monokrystalizacja
domieszkowanie
własności elektryczne
crystal growth
doping electrical properties
Opis:
Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 3-15
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Four-point probe resistivity noise measurements of GaSb layers
Autorzy:
Ciura, L.
Kolek, A.
Smoczyński, D.
Jasik, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201503.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low frequency noise
GaSb noise
noise measurements
resistance noise calculation
Opis:
This paper concerns measurements and calculations of low frequency noise for semiconductor layers with four-probe electrodes. The measurements setup for the voltage noise cross-correlation method is described. The gain calculations for local resistance noise are performed to evaluate the contribution to total noise from different areas of the layer. It was shown, through numerical calculations and noise measurements, that in four-point probe specimens, with separated current and voltage terminals, the non-resistance noise of the contact and the resistance noise of the layer can be identified. The four-point probe method is used to find the low frequency resistance noise of the GaSb layer with a different doping type. For n-type and p-type GaSb layers with low carrier concentrations, the measured noise is dominated by the non-resistance noise contributions from contacts. Low frequency resistance noise was identified in high-doped GaSb layers (both types). At room temperature, such resistance noise in an n-type GaSb layer is significantly larger than for p-type GaSb with comparable doping concentration.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 135-140
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the mid-infrared lasers
Autorzy:
Piskorski, Ł.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/175109.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
material parameters
computer simulation
mid-infrared devices
GaSb-based lasers
Opis:
The proper modelling of semiconductor device operation with full complexity of many interrelated physical phenomena taking place within its volume is possible only when the material parameters which appear in each part of the self-consistent model are known. Therefore, it is necessary to include in calculations the material composition, temperature, carrier concentration, and wavelength dependences in electrical, thermal, recombination and optical models. In this work we present a complete set of material parameters which we obtained basing mostly on the experimental data found in several dozen publications. To refine the number of equations, we restrict the material list to those which are typically used in edge-emitting lasers and vertical-cavity surface-emitting lasers designed for mid-infrared emission.
Źródło:
Optica Applicata; 2016, 46, 2; 227-240
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High performance type-II InAs/GaSb superlattice infrared photodetectors with a short cut-off wavelength
Autorzy:
Delmas, Marie
Ramos, David
Ivanov, Ruslan
Žurauskaitė, Laura
Evans, Dean
Rihtnesberg, David
Almqvist, Susanne
Becanovic, Smilja
Costard, Eric
Höglund, Linda
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204225.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
infrared detectors
short-wavelength infrared
InAs/GaSb superlattice
type-II superlattice
Opis:
This work investigates the potential of InAs/GaSb superlattice detectors for the shortwavelength infrared spectral band. A barrier detector structure was grown by molecular beam epitaxy and devices were fabricated using standard photolithography techniques. Optical and electrical characterisations were carried out and the current limitations were identified. The authors found that the short diffusion length of ~1.8 µm is currently limiting the quantum efficiency (double-pass, no anti-reflection coating) to 43% at 2.8 µm and 200 K. The dark current density is limited by the surface leakage current which shows generation-recombination and diffusion characters below and above 195 K, respectively. By fitting the size dependence of the dark current, the bulk values have been estimated to be 6.57·10ˉ⁶ A/cm² at 200 K and 2.31·10ˉ⁶ A/cm² at 250 K, which is only a factor of 4 and 2, respectively, above the Rule07.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144555
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
Autorzy:
Gomółka, E.
Markowska, O.
Kopytko, M.
Kowalewski, A.
Martyniuk, P.
Rogalski, A.
Rutkowski, J.
Motyka, M.
Krishna, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201992.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
InAs/GaSb type-II superlattices
infrared detectors
barrier detectors
nBn detector
p-i-n detector
InAs
GaSb
detektory podczerwieni
detektor bariery
detektor nBn
detektory p-i-n
Opis:
We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 317-323
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Performance analysis of an InAs/GaSb superlattice barrier photodetector covering the full LWIR spectral domain
Autorzy:
Alchaar, Rodolphe
Rodriguez, Jean-Baptiste
Höglund, L.
Naureen, Shagufta
Costard, Eric
Christol, Philippe
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818240.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
barrier photodetector
InAs/GaSb type-2 superlattice
long wavelength infrared
performance analysis
Opis:
In this paper, we present the electrical and electro-optical characterizations of an InAs/GaSb type-2 superlattice barrier photodetector operating in the full longwave infrared spectral domain. The fabricated detectors exhibited a 50% cut-off wavelength around 14 μm at 80 K and a quantum efficiency slightly above 20%. The dark current density was of 4.6×10⁻² A/cm² at 80 K and a minority carrier lateral diffusion was evaluated through dark current measurements on different detector sizes. In addition, detector spectral response, its dark current-voltage characteristics and capacitance-voltage curve accompanied by electric field simulations were analyzed in order to determine the operating bias and the dark current regimes at different biases. Finally, dark current simulations were also performed to estimate a minority carrier lifetime by comparing experimental curves with simulated ones.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 3; 164--170
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Performance analysis of an InAs/GaSb superlattice barrier photodetector covering the full LWIR spectral domain
Autorzy:
Alchaar, R.
Rodriguez, J.-B.
Höglund, L.
Naureen, S.
Costard, E.
Christol, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818247.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
barrier photodetector
InAs/GaSb type-2 superlattice
long wavelength infrared
performance analysis
Opis:
In this paper, we present the electrical and electro-optical characterizations of an InAs/GaSb type-2 superlattice barrier photodetector operating in the full longwave infrared spectral domain. The fabricated detectors exhibited a 50% cut-off wavelength around 14 μm at 80 K and a quantum efficiency slightly above 20%. The dark current density was of 4.6×10⁻² A/cm² at 80 K and a minority carrier lateral diffusion was evaluated through dark current measurements on different detector sizes. In addition, detector spectral response, its dark current-voltage characteristics and capacitance-voltage curve accompanied by electric field simulations were analyzed in order to determine the operating bias and the dark current regimes at different biases. Finally, dark current simulations were also performed to estimate a minority carrier lifetime by comparing experimental curves with simulated ones.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 3; 164--170
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem
Homogeneity of electrical parameters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Piersa, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192114.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Czochralskiego
segregacja
własności elektryczne
Czochralski method
segregation
electrical parameters
homogeneity
Opis:
Monokryształy antymonku galu (GaSb) domieszkowane tellurem prezentowane w tej pracy otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Uzyskano płytki monokrystaliczne GaSb:Te o przewodnictwie zarówno typu n jak i typu p. Płytki GaSb:Te typu n charakteryzowały się standardową koncentracją nośników ładunku (od 2 x 1017 do 2 x 1018 cm-3) oraz poniżej 2 x 1017 cm-3. Dla płytek monokrystalicznych GaSb:Te typu p koncentracja dziur wynosiła od 2 x 1016do 4 x 1016 cm-3. Zbadano zarówno osiowe, jak i radialne rozkłady własności elektrycznych otrzymanych kryształów GaSb:Te. W oparciu o pomiary hallowskie w funkcji temperatury porównano własności niedomieszkowanych monokryształów otrzymanych z antymonu pochodzącego z różnych źródeł oraz kryształów domieszkowanych tellurem o typie przewodnictwa p oraz typie n.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals undoped and doped with tellurium with n-type or p-type conductivity were grown by a modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with standard carrier concentration from 2 x 1017 to 2 x 1018 cm-3 as well as below 2 x 1017 cm-3 for low Te-doped single crystals. Hole concentration in the cas of tellurium doped p-type GaSb wafers varied between 4 x 1016 and 2 x 1016 cm-3. Axial and radial distribution of electrical parameters were investigated for the obtained Te-doped GaSb single crystals. A great contribution of compensation and self-compensation mechanisms was confirmed especially for low Te-doped GaSb single crystals. Temperature dependent Hall measurements were used to compare undoped GaSb crystals obtained from Sb of different purity tellurium doped GaSb with n-type or p-type conductivity.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 3-21
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji
Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates
Autorzy:
Smoczyński, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192242.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
obróbka mechaniczno-chemiczna
chropowatość
utlenianie
epitaksja
mechanical - chemical treatment
roughness
oxidation
epitaxy
Opis:
Celem pracy była modyfikacja technologii obróbki mechaniczno – chemicznej powierzchni płytek antymonku galu (GaSb), oferowanych przez Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych w celu uzyskania powierzchni o jakości epi-ready, spełniającej wymagania stawiane płytkom podłożowym stosowanym w procesie epitaksji. Zbadano wpływ sposobu trawienia płytek na stopień zanieczyszczenia powierzchni. Stwierdzono, że trawienie w kwasie nieorganicznym ma wpływ na czystość powierzchni. Wymieniono wosk polerski rozpuszczalny w trójchloroetylenie na wosk rozpuszczalny w alkoholu. Wyeliminowano etap mycia płytek w parach wrzącego alkoholu mogących pozostawiać smugi. Wprowadzenie powyższych modyfikacji zmniejszyło gęstość zanieczyszczeń oraz grubość powłoki tlenkowej. Znacząco zmniejszono też chropowatość powierzchni, która dyskwalifikowała podłoża jako epi-ready.
The purpose of this study was to modify the mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates produced at the Institute of Electronic Materials Technology. Another aim was to minimize and eliminate the sources of oxidation and contamination generated on the surface of wafers at the washing stage. The effect of substrate etching on the amount of residual contaminants remaining on the surface was investigated. It was found that etching in an inorganic acid has an influence on the purity of the surface. Polishing wax soluble in trichloroethylene was replaced by wax soluble in alcohol. The stage of substrate washing in boiling alcohol was skipped, because it was likely to leave streaks on the surface. As a result of these modifications the thickness of oxide films, which substantially increased the surface roughness and disqualified the use of wafers as epi-ready substrates, was succesfully reduced.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 2, 2; 5-12
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Evaluation of growth conditions for 3 gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192136.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Czochralskiego
domieszkowanie
segregacja
defekty
in situ synthesis
Czochralski method
doping
segregation
defects
Opis:
Zbadano możliwość zwiększenia (do 3 cali) średnicy monokryształów antymonku galu (GaSb) w układzie termicznym niskociśnieniowego urządzenia wykorzystywanego do otrzymywania kryształów o średnicy 2 cale. Zmodyfikowano technologiczne warunki procesu krystalizacji umożliwiając otrzymanie kryształów o ciężarze ~ 1,9 kg i stabilnej średnicy. Opracowano warunki otrzymywania monokryształów antymonku galu o średnicy 3 cale zmodyfikowaną metodą Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na przebieg procesu monokrystalizacji oraz własności otrzymywanych kryształów. Przeprowadzono procesy krystalizacji zmodyfikowaną metodą Czochralskiego, jak też proces zintegrowany (synteza in-situ połączona z monokrystalizacją) uzyskując kryształy GaSb domieszkowane tellurem o koncentracji elektronów w zakresie od 2 x 1017cm-3 do 2 x 1018cm-3 . Zbadano koncentrację domieszki (metodą GDMS - Glow Discharge Mass Spectroscopy) rozkłady własności elektrycznych (pomiary hallowskie) i strukturalnych (pomiary EPD - Etch Pit Density) otrzymanych kryształów.
The possibility of growing gallium antimonide (GaSb) single crystals measuring 3 inches in diameter in a thermal system previously used for growing 2 - inch crystals was checked. Technological parameters modified for bigger crystals allowed obtaining GaSb crystals weighting ~ 1,9 kg and having a stable diameter ~ 80 mm. An integrated process of in-situ synthesis, modified Czochralski crystal growth as well as recrystallization process were performed. The influence of technological parameters on crystal growth was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals with the carrier concentration ranging between 2 x 1017cm-3 and 2 x1018cm-3 - were obtained. Electrical parameters were determined by Hall measurements, whereas the dopant concentration was estimated by carrying out the GDMS analysis and the structural quality by measuring the etch pit density (dislocation density).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 58-73
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192328.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Cz
Te
Si
Zn
koncentracja domieszek
GDMS
Cz method
doping
dopant concentration
Opis:
Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The growth and characterisation of type I GaSb/AlSb superlattice with a thin GaSb layer
Autorzy:
Fokt, Maciej
Jasik, Agata
Sankowska, Iwona
Mączko, Herbert S.
Paradowska, Karolina M.
Czuba, Krzysztof
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/27315692.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
type I AlSb/GaSb superlattice
8-band k·p perturbation theory
nextnano simulations
AlSb layer degradation
Opis:
This paper presents results of the characterisation of type I GaSb/AlSb superlattices (SLs) with a thin GaSb layer and varying thicknesses of an AlSb layer. Nextnano software was utilized to obtain spectral dependence of absorption and energy band structure. A superlattice (SL) with an energy bandgap of ~ 1.0 eV and reduced mismatch value was selected for experimental investigation. SLs with single (sample A) and double (sample B) AlSb barriers and a single AlSb layer (sample C) were fabricated using molecular beam epitaxy (MBE). Optical microscopy, high-resolution X-ray diffractometry, and photoluminescence were utilized for structural and optical characterisation. The presence of satellite and interference peaks in diffraction curves confirms the high crystal quality of superlattices. Photoluminescence signal associated with the superlattice was observed only for sample B and contained three low-intensity peaks: 1.03, 1.18, and 1.25 eV. The first peak was identified as the value of the energy bandgap of the SL. Other two peaks are related to optical transitions between defect states located at the interface between the SL and the top AlSb barrier. The time-dependent changes observed in the spectral characteristics are due to a modification of the SL/AlSb interface caused by the oxidation and hydroxylation of the AlSb layer.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, 4; art. no. e147912
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design and performance of dual-band MWIR/LWIR focal plane arrays based on a type-II superlattice nBn structure
Autorzy:
Lee, Hyun-Jin
Eom, Jun Ho
Jung, Hyun Chul
Kang, Ko-Ku
Ryu, Seong Min
Jang, Ahreum
Kim, Jong Gi
Kim, Young Ho
Jung, Han
Kim, Sun Ho
Choi, Jong Hwa
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204217.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
InAs/GaSb type-II superlattice
dualband detector
dark current
spectral quantum efficiency
noise equivalent temperature difference
Opis:
Dual-band infrared detector, which acquires more image information than single-band detectors, has excellent detection, recognition, and identification capabilities. The dual-band detector can have two bumps to connect with each absorber layer, but it is difficult to implement small pitch focal plane arrays and its fabrication process is complicated. Therefore, the most effective way for a dual-band detector is to acquire each band by biasselectable with one bump. To aim this, a dual-band MWIR/LWIR detector based on an InAs/GaSb type-II superlattice nBn structure was designed and its performance was evaluated in this work. Since two absorber layers were separated by the barrier layer, each band can be detected by bias-selectable with one bump. The fabricated dual-band device exhibited the dark current and spectral response characteristics of MWIR and LWIR bands under negative and positive bias, respectively. Spectral crosstalk that is a major issue in dualband detectors was also improved. Finally, a 20 µm pitch 640 x 512 dual-band detector was fabricated, and both MWIR and LWIR images exhibited an average noise equivalent temperature difference of 30 mK or less at 80 K.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144560
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 16

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies