Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "GaAs/AlAs" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs
Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/ GaAs Bragg mirrors
Autorzy:
Możdżonek, M.
Gaca, J.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192386.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
zwierciadło Bragga
GaAs/AlAs
widmo odbicia
daleka podczerwień
DBR
Bragg mirror
far-infrared
Opis:
Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.
We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 11-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling of Exciton-Polaritons
Autorzy:
De Silva, L. M. S.
Wijewardena Gamalath, K. A. I. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1166216.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
AlGaAs/AlAs
CdSe/ZnS
Exciton-polaritons
GaAs
distributed Bragg reflectors
microcavity
quantum well
Opis:
To study the generation of exciton polaritons in a quantum well embedded in a semiconductor Fabry-Pérot microcavity with distributed Brag reflectors, a simple semi-classical auxiliary differential equation based model is proposed. The solutions are obtained using FDTD method considering only the excitations from ground to next excited states and one single QW resonance. The simulations are presented for GaAs quantum well in Al0.1Ga0.9As microcavity and a ZnS quantum well embedded in CdSe microcavity with 12 DBR layers on either side. Model is proved to be stable and agrees with properties of polarization associated with polariton dispersion. Results show that GaAs is a better quantum well material to generate polaritons than CdSe.
Źródło:
World Scientific News; 2018, 106; 194-213
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies