Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "FinFET" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Capacitance/Resistance Modeling and Analog Performance Evaluation of 3-D SOI FinFET Structure for Circuit Perspective Applications
    Autorzy:
    Jain, Neeraj
    Raj, Balwinder
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1159723.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    CMOS
    Integrated Circuits
    Parasitic Capacitance
    Parasitic Resistance
    SOI FinFET
    Opis:
    This paper explores the capacitance and resistance modeling of 3-D (dimensional) SOI FinFET structure and circuit implementation approach is done for the utility of SOI FinFET structure. The scaling of the FinFET structure is continuously ongoing and increased parasitic and resistance affects the circuit level performance of SOI FinFET in ICs (Integrated Circuits) below 20 nm technology node. A geometrical-based analysis is done to get the optimized parasitic capacitance and resistance model and validity of the model is verified by three-dimensional (3-D) field solver Synopsys Raphael software. For utility of the developed model, some circuit implementation is done in h-spice simulation environment.
    Źródło:
    World Scientific News; 2018, 113; 194-209
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultra-low Power FinFET SRAM Cell with Improved Stability Suitable for Low Power Applications
    Autorzy:
    Birla, Shilpi
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226772.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    FinFET
    RSNM
    WSNM
    hold margin
    subthreshold
    leakage power
    Opis:
    In this paper, a new 11T SRAM cell using FinFET technology has been proposed, the basic component of the cell is the 6T SRAM cell with 4 NMOS access transistors to improve the stability and also makes it a dual port memory cell. The proposed cell uses a header scheme in which one extra PMOS transistor is used which is biased at different voltages to improve the read and write stability thus, helps in reducing the leakage power and active power. The cell shows improvement in RSNM (Read Static Noise Margin) with LP8T by 2.39x at sub-threshold voltage 2.68x with D6T SRAM cell, 5.5x with TG8T. The WSNM (Write Static Noise Margin) and HM (Hold Margin) of the SRAM cell at 0.9V is 306mV and 384mV. At sub-threshold operation also it shows improvement. The Leakage power reduced by 0.125x with LP8T, 0.022x with D6T SRAM cell, TG8T and SE8T. Also, impact of process variation on cell stability is discussed.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2019, 65, 4; 603-609
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Semiconductor cleaning technology for next generation material systems
    Autorzy:
    Ruzyllo, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308761.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    III-V compounds
    FinFET
    IC manufacturing
    MEMS
    MOS gate stack
    semiconductor cleaning
    Opis:
    This paper gives a brief overview of the challenges wafer cleaning technology is facing in the light of advanced silicon technology moving in the direction of non-planar device structures and the need for modified cleans for semiconductors other than silicon. In the former case, the key issue is related to cleaning and conditioning of vertical surfaces in next generation CMOS gate structure as well as deep 3D geometries in MEMS devices. In the latter, an accelerated pace at which semiconductors other than silicon are being introduced into the mainstream manufacturing calls for the development of material specific wafer cleaning technologies. Examples of the problems related to each challenge are considered.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 44-48
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices
    Autorzy:
    Malinowski, A.
    Tomaszewski, D.
    Łukasiak, L.
    Jakubowski, A.
    Sekine, M.
    Hori, M.
    Korwin-Pawlowski, M. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308253.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    FinFET
    line edge roughness
    parameter variability
    plasma etching
    technology computer aided design (TCAD)
    Opis:
    Extensive numerical simulations of FinFET structures have been carried out using commercial TCAD tools. A series of plasma etching steps has been simulated for different process conditions in order to evaluate the influence of plasma pressure, composition and powering on the FinFET topography. Next, the most important geometric parameters of the FinFETs have been varied and the electrical characteristics have been calculated in order to evaluate the sensitivity of the FinFET electrical parameters on possible FinFET structure variability.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 45-50
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of temperature distribution in nanosized transistors using modern heat transfer thermal model
    Porównanie rozkładów temperatury w nanotranzystorach przy użyciu nowoczesnego modelu termicznego
    Autorzy:
    Raszkowski, Tomasz
    Raszkowska, Agnieszka
    Zubert, Mariusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1837636.pdf
    Data publikacji:
    2021-08-12
    Wydawca:
    Łódzkie Towarzystwo Naukowe
    Tematy:
    Dual-Phase-Lag model
    nanosized structures
    FinFETs
    temperaturę distribution
    Fourier-Kirchhoff model
    model Dual-Phase-Lag
    struktury nanometryczne
    tranzystor FinFET
    rozkład temperatury
    model Fouriera-Kirchhoffa
    Opis:
    In this paper two modern electronic structures have been presented. The structures are prototypical Fin Field Effect Transistors. One of them is design in 5 nm technology node while the second one is manufactured by the 12 nm technology node. The temperaturę distribution in these nanosized structures has been determined and compared between each other. Furthermore, to obtain the temperature distribution in considered electronic structures, the Dual-Phase-Lag model has been applied. This methodology is appropriate for electronic structures produced in nanometric. Apart from that, the comparison to the Fourier-Kirchhoff model has also been prepared. All results have been described and final conclusions have also been presented
    W pracy przedstawiono porównanie rozkładów temperatur w dwóch nanometrycznych strukturach elektronicznych. Pierwszą z nich jest prototypowy tranzystor FinFET zaprojektowany w procesie technologicznym 5nm. Drugą rozważaną strukturą jest tranzystor FinFET wykonany w procesie technologicznym 12 nm. W celu wyznaczenia rozkładu temperatury w analizowanych strukturach wykorzystano nowoczesny model termiczny Dual-Phase-Lag. Dodatkowo, wszystkie otrzymane wyniki porównane zostały z temperaturami uzyskanymi przy użyciu klasycznego modelu Fouriera-Kirchhoffa. Zaprezentowane wyniki zostały szczegółowo opisane w artykule. Przedstawiono ponadto najważniejsze wnioski w formie krótkiego podsumowania
    Źródło:
    Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations; 2020, 70, 1; 115-127
    1895-7838
    2450-9329
    Pojawia się w:
    Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies