Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Cu films" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Cu thin films deposited by DC Magnetron sputtering for contact surfaces on electronic components
    Otrzymywanie cienkich powłok Cu dla elektroniki metodą stałoprądowego rozpylania magnetronowego
    Autorzy:
    Mech, K.
    Kowalik, R.
    Żabiński, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352685.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    powłoki
    rozpylanie magnetronowe
    kontakt elektroniczny
    DC magnetron sputtering
    Cu films
    electronic contact
    Opis:
    The results of the DC magnetron sputtering of copper thin films with different parameters of deposition are presented. The main aim of studies was to determine the influence of current value, time of deposition and target-substrate distance on morphology and grain size of obtained copper thin films. The effects of film's thickness on the resistivity of copper thin films were investigated. The influence of parameters on the rate of deposition was also determined. The possibility of application of resulting films for contact surface in electronic components was discussed. The morphology was characterized by AFM method, the size of Cu deposited grains was calculated using Scherrer's method. The WDXRF method was used for estimate of thickness of sputtered films. The resistivity of obtained films was measured using four probe method.
    W pracy przedstawiono wyniki badan nad wpływem parametrów napylania magnetronowego cienkich warstw Cu na ich własnosci. Głównym celem przeprowadzonych badan było okreslenie wpływu natezenia pradu, czasu osadzania, odległosci pomiedzy targetem a napylana powierzchnia na wielkosc ziarna oraz morfologie cienkich warstw. Przeprowadzono równiez badania nad wpływem grubosci warstwy na jej opór własciwy. Omówiona została mozliwosc stosowania warstw nanoszonych ta metoda w przemysle elektronicznym. Morfologie otrzymanych warstw charakteryzowano przy uzyciu mikroskopu AFM. Wielkosc ziarna oszacowana została na podstawie wzoru Scherrera. Grubosc warstw wyznaczono technika WDXRF. Do pomiarów oporu własciwego wykorzystano metode pomiaru czteropunktowego.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 4; 903-908
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Structural Properties of Cu2O thin Film as Active Layer in Solar Cells Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering
    Autorzy:
    Sawicka-Chudy, P.
    Wisz, G.
    Sibiński, M.
    Cholewa, M.
    Potera, P.
    Głowa, Ł.
    Pawełek, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352619.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Cu2O thin films
    optical properties
    surface properties
    compositional properties
    energy band gap
    Opis:
    A series of copper oxide thin films were synthesized through direct current magnetron sputtering on glass and silicon substrates with various process parameters. Initially, optical microscopy images and their histograms were analyzed to determine the optical quality of the obtained layers and then histograms were created using Image Histogram Generator software. Next, the morphology, and cross-section and layer composition of the samples were evaluated. Finally, the transmission spectra of the thin films were recorded. Transmittance and reflection spectra of the UV–vis analysis were utilized to calculate the optical band gap, the extinction coefficient, and the absorption coefficient of the oxidized layers. Samples showed low transmittance (up to 40%) in the region of 400 to 1000 nm. The mean absorption coefficient varied from ~3 · 105 to ~6 · 105 1/cm and from ~2 · 105 to ~4 · 105 1/cm in the region of 2 eV to 3.5 eV. The extinction coefficient ranged from 0 to 0.11 in the region from 300 to 3000 nm. Reflectance of the samples was ~20% in the region of 1000 to 2500 nm and ranged from 20%-50% in the region of 1000 to 3000 nm. We verified the process parameters of the Cu2O structure to improve the quality as a buffer layer. On the basis of this preliminary analysis, we propose the most promising and future-oriented solutions in photovoltaic applications.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2019, 64, 1; 243-250
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The effect of Co and Cu co-doping ZnO thin films on structural and optical properties
    Autorzy:
    Saoud, Tayeb
    Benramache, Said
    Diha, Abdallah
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/31342694.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    ZnO
    thin films
    Co
    Cu
    co-doping
    TCO
    spray pneumatic method
    cienkie warstwy
    współdomieszkowanie
    Opis:
    Using a spray pneumatic technique, cobalt (Co) and copper (Cu) co-doped zinc oxide thin films were effectively deposited on a glass substrate. The goal of this work was to create a semiconductor with good optical and electrical properties by co-doping ZnO thin films with Cu and Co. The ZnO thin films obtained from the Co and Cu co-doping exhibit patterns of x-ray diffraction spectra that suggest they are hexagonal ZnO (wurtzite, JCPDS 36-1451). The thin film elaborated with 2 % Co and 7 % Cu has the lowest value of crystallite size (D = 14.67 nm). The transmission spectra demonstrate that all films have good optical transparency in the visible spectrum, with 7 % Cu achieving the highest transmission. Increasing Cu contents raised the band gap energy. The value at the minimum was 3.31 eV. The optical band gap’s broadening is a significant characteristic of advanced materials and may be useful in applications involving metal oxide nanostructures for visible light gas sensing.
    Źródło:
    Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology; 2023, 28, 1-2; 171-178
    2084-4506
    Pojawia się w:
    Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies