Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bragg mirror" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs
    Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/ GaAs Bragg mirrors
    Autorzy:
    Możdżonek, M.
    Gaca, J.
    Wesołowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192386.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    zwierciadło Bragga
    GaAs/AlAs
    widmo odbicia
    daleka podczerwień
    DBR
    Bragg mirror
    far-infrared
    Opis:
    Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.
    We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 11-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Voltage-tunable dual-colour quantum Bragg mirror detector (QBMD)
    Autorzy:
    Penello, Germano M.
    Pereira, Pedro H.
    Sousa, Vitor B.
    Kawabata, Rudy M. S.
    Pires, Mauricio P.
    Souza, Patricia L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2204218.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    bound states in the continuum
    intersubband transition
    infrared detector
    quantum Bragg mirror and dual-colour detection
    Opis:
    The electronic quasi-bound state in the continuum concept is explored in an InGaAs/InAlAs heterostructure to create a voltage-tunable dual-colour quantum Bragg mirror detector. This heterostructure is based on one main quantum well embedded between two different superlattices. By bandgap engineering, each superlattice gives rise to quasi-bound states in the continuum with a preferential direction for electron extraction. Due to these states, the photovoltaic photocurrent presents a dual-colour response, one in a positive direction at 340 meV (3.6 µm), and one in a negative direction at 430 meV (2.9 µm). The simultaneous dual-colour detection can be switched to a single-colour detection (340 meV or 430 meV) by applying a bias voltage. At 77 K, the specific detectivity for simultaneous dual-colour is 2.5·10⁸ Jones, while the single-colour detectivities are 2.6·10⁹ Jones at +2.0 V and 7.7·10⁸ Jones at -1.6 V for 340 meV and 430 meV, respectively.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144559
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of a back side dielectric mirror on thin film silicon solar cells performance
    Autorzy:
    Cieslak, Krystian
    Fave, Alain
    Lemiti, Mustapha
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174381.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    thin film silicon solar cells
    back side emitter
    back side mirror
    vapor phase epitaxy
    Bragg mirror
    IMD optical properties simulation
    Opis:
    Back side p+ emitter thin silicon solar cells have been constructed using vapor phase epitaxy. Double porous structure on a c-Si substrate was used as a seed substrate in order to enable active layer separation after vapor phase epitaxy growth. Structure of the back side emitter solar cell was obtained in situ during the epitaxy process. In order to enhance solar cell response to light from a range of 700–1200 nm wavelength, the back side dielectric mirror was developed and optimized by means of a computer simulation and deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. At the same time, a reference sample was fabricated. Comparison of solar cells performance with or without the back side mirror was performed and clearly shows that the quality of solar light conversion into the electricity by means of solar cells, can be improved by using the structure proposed in this article.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2019, 49, 1; 151-159
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies