Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "BN-Al" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    The effect of Ti addition on the microstructure and fracture toughness of BN-Al composite materials synthesized by vacuum infiltration
    Wpływ dodatku Ti na mikrostrukturę i odporność na pękanie kompozytów BN-Al wytworzonych przez infiltrację w próżni
    Autorzy:
    Chao, W
    Xiangxin, X
    Xiaozhou, C
    He, Y
    Gongjin, Ch
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356489.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    BN-Al
    Ti
    ceramic composites
    microstructure
    fracture toughness
    kompozyty ceramiczne
    mikrostruktura
    odporność na pękanie
    Opis:
    In this paper, we studied the effect of Ti addition on the microstructure and fracture toughness of Boron nitride- Aluminum (BN-Al) composite materials that were synthesized by vacuum infiltration. The BN-Al composite materials were fabricated by preheating the [Ti+BN] preforms at 1700º for 1 hour before Al alloys were infiltrated into the preforms in a vacuum atmosphere at 1100º for 2 hours. X-ray diffraction (XRD) patterns showed that the diffraction peaks of titanium diboride (TiB2) appeared when the [Ti+BN] preforms were preheated. It is thought that metal Al protected are visible and this could be achieved by the generation of TiB2 when Al infiltrated into the preform from fractography. The matching fracture toughness of the [Ti+BN] preforms gradually improve when Ti content was increased.
    W niniejszej pracy badano wpływ dodatku Ti na mikrostrukturę i odporność na pękanie kompozytów aluminium-azotek boru (BN-Al), które zostały zsyntetyzowane przez infiltracje w próżni. Kompozyty BN-Al zostały wykonane przez podgrzewanie preform [Ti+BN] w 1700ºC przez 1 godzinę, po czym stopy aluminium infiltrowano do preform w atmosferze próżni w temperaturze 1100ºC przez 2 godziny. Dyfrakcja rentgenowska (XRD) wykazała, że piki dyfrakcyjne diborku tytanu (TiB2) pojawiły się gdy preformy [Ti+BN] zostały podgrzane. Uważa się, że aluminium jest chronione co widoczne jest na przełomach i może to być osiągniete przez wytwarzanie TiB2 gdy Al przeniknęło do preformy. Odporność na pękanie preform [Ti+BN] stopniowo poprawia się, gdy zawartość Ti została zwiększona.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 509-512
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Determination of the thickness of BN layers on the Al2O3 substrate by FT-IR spectroscopy
    Wyznaczanie grubości warstw BN na podłożu Al2O3 za pomocą spektroskopii FT-IR
    Autorzy:
    Możdżonek, Małgorzata
    Caban, Piotr A.
    Gaca, Jarosław
    Wójcik, Marek
    Piątkowska, Anna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1831402.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    h-BN layers
    ATR
    IRR
    XRR
    thickness measurement
    Al2O3
    warstwy h-BN
    pomiar grubości
    Opis:
    Hexagonal boron nitride (h-BN) is an attractive material for applications in electronics. The technology of devices based on BN requires non-destructive and fast methods of controlling the parameters of the produced layers. Boron nitride layers of different thickness were grown on sapphire substrates (Al2O3) using the MOCVD method. The obtained films were characterized by FT-IR spectroscopy using IRR and ATR techniques and by the XRR and SEM methods. We showed that by analyzing the ATR or reflectance spectrum in the range of 600-2500 cm-1 we can measure the thickness of a BN layer on the Al2O3 substrate. Our measuring method allows measuring the layers with a thickness from ~2 nm to approx. 20 nm.
    Heksagonalny azotek boru (h-BN) jest atrakcyjnym materiałem do zastosowań w elektronice. Technologia wytwarzania urządzeń z zastosowaniem warstw h-BN wymaga nieniszczących i szybkich metod kontroli parametrów produkowanych warstw. Warstwy azotku boru o różnej grubości wyhodowano na podłożach szafirowych metodą MOCVD. Otrzymane warstwy scharakteryzowano za pomocą spektroskopii FT-IR z użyciem technik IRR i ATR oraz metodami XRR i SEM. Pokazaliśmy, że analizując widmo ATR lub odbicia w zakresie 600-2500 cm-1 można zmierzyć grubość warstwy BN na podłożu Al2O3. Nasza metoda pomiarowa pozwala na pomiar warstw o grubości od ~2 nm do ok. 20 nm.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2020, T. 48, nr 1-4, 1-4; 15-20
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies