Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "AlP semiconductor" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Mechanical Behavior of Aluminum Phosphide under Pressure
Autorzy:
Daoud, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1029815.pdf
Data publikacji:
2018-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
AlP semiconductor
equation of state
mechanical behavior
piezoelectric coefficient
Opis:
With the help of structural parameters and elastic constants obtained previously in our work (S. Daoud, N. Boiud, N. Lebga, J. Optoelectron. Adv. Mater. 16, 207 (2014)), different empirical formulae were successfully used to investigate: equation of state, the isotropic shear modulus, the Young modulus, the Cauchy ratio, the Born ratio, the Poisson ratio, the Pugh ratio, the Kleinman parameter, and the converse piezoelectric coefficient of the aggregate AlP material with cubic zinc-blende structure under pressure up to experimental pressure of phase transition (9.5 GPa). In addition, the Debye temperature at equilibrium volume was predicted, the result obtained is in excellent agreement compared to the experimental ones, the deviation is less than 1.4%.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 1; 23-27
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies