Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "AlGaN/GaN" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Pomiary charakterystyk szumowych jako narzędzie diagnostyczne detektorów UV
    Noise characteristic measurement as a tool for UV detectors diagnostic
    Autorzy:
    Ćwirko, J.
    Ćwirko, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/327504.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Towarzystwo Diagnostyki Technicznej PAN
    Tematy:
    detektor UV
    GaN
    AlGaN
    szumy niskoczęstotliwościowe
    UV detectors
    low-frequency noise
    Opis:
    W artykule przedstawiono zastosowanie analizy niskoczęstotliwościowych charakterystyk szumowych do diagnostyki detektorów UV. Ze względu na zakres widmowy detektory UV są wykonywane z materiałów o szerokiej przerwie zabronionej, głównie z GaN, AlN, SiC. Detektory UV są głównie stosowane w automatyce przemysłowej, robotyce, medycynie, systemach ochrony środowiska i technologiach militarnych. Charakterystyki szumowe detektorów były mierzone w szerokim zakresie temperatury (80 K - 350 K) oraz w funkcji napięcia polaryzacji. Analiza charakterystyk szumowych umożliwia wybranie optymalnego punktu pracy detektora ze względu na stosunek sygnału użytecznego do szumu oraz pozwala prognozować jego niezawodność.
    The work is aimed on analyze the low frequency noise characteristics of UV detectors. UV detectors are manufactured from wide band gap materials as GaN, AlGaN, SiC. The most important fields of UV detectors applications are industrial automation, robotics, space technology, medicine, military technology and solar ultraviolet measurements. The noise characteristics of UV detectors were measurement in wide temperature range (from 80 K to 350 K) and as function of polarization. The investigation results should be allowed to optimize the UV detection system providing maximal value of signal-to-noise ratio, selection of the optimal working point and estimate reliability of detectors UV.
    Źródło:
    Diagnostyka; 2006, 4(40); 199-202
    1641-6414
    2449-5220
    Pojawia się w:
    Diagnostyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures
    Autorzy:
    Macherzynski, W
    Indykiewicz, K
    Paszkiewicz, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174572.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    ohmic contact
    AlGaN/GaN heterostructures
    surface morphology
    Opis:
    Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures, which have low contact resistance and a good surface morphology, are required for the development of high temperature, high power and high frequency electronic devices. The paper presents the investigation of a Ti/Al based Ti/Al/Ni/Au ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructures. Multilayer metallization of Ti/Al/Ni/Au was evaporated by an electron gun (titanium and nickel layers) and a resistance heater (aluminum and gold layers). The contacts were annealed by rapid thermal annealing (RTA) system in a nitrogen ambient atmosphere over the temperature range from 715 to 865 °C. The time of the annealing process was 60 seconds. The chemical analysis, formation and deterioration mechanisms of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures were studied as a function of the annealing process conditions by a scanning electron microscope (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometer (EDS).
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 67-72
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
    Autorzy:
    Wosko, M
    Paszkiewicz, B
    Paszkiewicz, R
    Tlaczala, M
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174100.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    AlGaN/GaN
    heterostructure
    AlN spacer
    MOVPE
    Opis:
    AlGaN/GaN heterostructures attract attention of many research groups over the last decade because of their superior properties (high mobility and saturation velocity of 2DEG) and strong capability in high frequency/power electronics and sensors applications. One of the factors which reduces the mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) is the alloy and interface roughness scattering mechanism occurring at the heterointerface. Mathematical calculations of a wave-function of 2DEG in the channel show that theses two phenomena play an important role, due to the fact that some electrons in 2DEG can migrate into AlGaN barrier and be strongly dissipated. One of the proposed solutions against alloy scattering in the buffer layer is the use of thin AlN spacer at the heterointerface between AlGaN and GaN layers. AlN layer enhances the conduction band offset due to a polarization-induced dipole in the AlN layer, and therefore increases carrier confinement. Several Al0.18GaN0.82/AlN/GaN heterostructures with different AlN spacer layer thickness were grown by MOVPE method for studies of the Hall mobility and sheet carrier concentration of 2DEG. Hall measurements performed using Van der Pauw shown mobility maximum at nominally 1.3 nm AlN spacer thickness and almost linear dependence of sheet carrier concentration with AlN spacer thickness in the range from 0.7 to 2 nm.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 61-66
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures
    Autorzy:
    Gryglewicz, J
    Stafiniak, A
    Wosko, M
    Prazmowska, J
    Paszkiewicz, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174309.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    reactive ione etching
    HEMT
    AlGaN/GaN heterostructure
    Opis:
    In this study, the results of reactive ion etching (RIE) process of diversified Al content AlxGa1–xN/AlN/GaN/sapphire heterostructures were presented. The Al fractions of 22, 25, 31 and 36% were examined. An impact of Al content in the heterostructures on the etch rates and surface morphology was investigated. The influence of used Cl2/BCl3/Ar gas mixture with varying of BCl3 flow on the etch rate of Al0.2Ga0.8N/GaN/sapphire, surface morphology and angle of mesa slope, was discussed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 27-33
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications
    Autorzy:
    Hojko, M R
    Paszuk, D
    Paszkiewicz, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174545.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    sensor
    AlGaN/GaN heterostructure
    electrolyte
    two-dimensional electron gas (2DEG)
    pH
    Opis:
    In the paper, the behavior of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures in a water solution of (KOH + HCl) with differing pH was studied. The influence of the electrolyte pH on channel pinch-off voltage was measured using impedance spectroscopy methods. It was observed that the change of the pH of electrolyte has a strong effect on the pinch-off voltage of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures independently of the concentration of other ions. In high-pH environment the so-called memory effect of heterostructures was revealed. Its possible origin was discussed. A general theory to explain all results was proposed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 35-38
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226802.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    gallium nitride
    MOS-HEMT
    high electron mobility
    transistor
    AlGaN
    GaN
    simulation
    Opis:
    The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies