Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Al/ZnO" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Wykorzystanie ZnO w charakterze warstw TCL ogniw słonecznych nowej generacji
ZnO layers in application as TCL for new generation of solar cells
Autorzy:
Sibiński, M.
Znajdek, K.
Górski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158951.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
ogniwa słoneczne
TCO
TCL
ZnO:Al
PLD
photovoltaics
Opis:
W ciągu ostatnich lat fotowoltaika wkroczyła na drogę bardzo dynamicznego rozwoju co przekłada się na gwałtowny wzrost wielkości produkcji ogniw słonecznych. Jednocześnie rosnący procent rynku stanowią cienkowarstwowe przyrządy nowej generacji o niskiej cenie i elastycznej konstrukcji. Do pełnego wykorzystania ich zalet w tym potencjalnej elastyczności struktury konieczna jest adaptacja odpowiednich transparentnych warstw przewodzących TCL (ang: Transparent Conductive Layers). Do grupy materiałów o potencjalnych korzystnych właściwościach z punktu wykorzystania w roli elektrody transparentnej należą odmiany tlenku cynku. Prezentowana praca jest poświęcona badaniom właściwości cienkich warstw ZnO:Al wytworzonych metodą PLD (ang: Pulsed Laser Deposition) do zastosowań w charterze transparentnej elektrody przewodzącej elastycznych, cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Opis technologii wytwarzania jest uzupełniony o wszechstronną analizę parametrów mechanicznych i optoelektronicznych uzyskanych warstw na podłożach elastycznych i sztywnych. Zaprezentowane są modele numeryczne prototypowych konstrukcji ogniw. Przedstawione są również pierwsze wyniki pomiarów eksperymentalnej konstrukcji ogniwa słonecznego wyposażonego w otrzymaną warstwę.
Rapid development of photovoltaics, which may be recently observed, is transferred to a mass-production scale of PV industry. At the same time constant growth of inexpensive thin-film, flexible devices leads to their significant share in the PV market. However, the potential profits of thin film applications are limited by proper technology and materials adaptation. Important element for most of these devices is a transparent electrode made of appropriate Transparent Conductive Layer (TCL). This paper is dedicated to practical investigation of ZnO:Al layer prepared by Pulsed Laser Deposition (PLD) technology as the emitter electrode of thin film solar cells. The production technology description is detailed and supplemented by mechanical and opto-electrical parameters measurements and simulations. Described layer is prepared and examined on traditional and transparent flexible substrates as well. The concepts and first realization of the new cell structure are given.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 33-34
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microstructural characterization of the reaction product region formed due to the high temperature interaction of ZnO[0001] single crystal with liquid aluminum
Charakterystyka mikrostrukturalna strefy produktów reakcji utworzonych w wyniku wysokotemperaturowego oddziaływania monokrystalicznego Zn[0001] z ciekłym aluminium
Autorzy:
Wojewoda-Budka, J.
Sobczak, N.
Stan, K.
Nowak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353598.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reakcja redoks
Al/ZnO interface
in situ composites
redox reaction
α-Al2O3
δ-Al2O3
γ-Al2O3
kompozyty in situ
Al/ZnO
alfa-Al2O3
gamma-Al2O3
delta-Al2O3
Opis:
The study was focused on the microstructure characterization at the micro- and nano scale of the reaction product region (RPR) formed due to the interaction between the liquid aluminum and ZnOSC [0001] single crystalline substrate at 1000ºC. The research was carried out on the Al/ZnO couple produced by the sessile drop method under vacuum within two different procedures: 1) classical contact heating and cooling; 2) pushing drop procedure allowing opening the Al/ZnO interface at the test temperature and, therefore, prevent influence of cooling with Al drop on interface structure. The microstructure observations of the sample after using classical contact heating procedure revealed the formation of the RPR of ~50 μm in thickness extending into the ZnOSC single crystal substrate. It was composed of the ceramic α-Al2O3 and metallic Al(Zn) mutually interpenetrating lattices, typical for the C4 type structure. Additionally, at the ZnO/RPR interface, the presence of a thin (~250 nm) layer of the metastable δ-Al2O3was detected. The obtained results were compared with experimental data found for the sample after pushing drop procedure resulting in the formation of two layers of ZnAl2O4 spinel and alumina, exhibiting strong epitaxial growth. The selected area diffraction patterns clearly evidenced that the crystal structure of formed Al2O3 corresponds to the tetragonal δ-phase.
W pracy scharakteryzowano mikrostrukturę w skali mikro i nano strefy produktów reakcji (SPR) powstałych w wyniku oddziaływania pomiędzy ciekłym aluminium i monokrystalicznym podłożem ZnOSC o orientacji [0001] w 1000ºC. Badania przeprowadzono dla pary Al/ZnO wytworzonej w próżni metoda kropli leżącej przy zastosowaniu dwóch procedur: 1) klasycznej, wspólnego nagrzewania i chłodzenia, 2) przepychania kropli, umożliwiającej otwarcie granicy rozdziału Al/ZnO w temperaturze badania, a tym samym uniknięcia wpływu chłodzenia kropli Al na jej strukturę. Obserwacje mikrostruktury próbki po zastosowaniu klasycznej procedury wspólnego wygrzewania wykazały powstanie SPR o grubości około 50 μm wewnątrz podłoża ZnO. Składała się ona z dwóch wzajemnie przenikających się sieci ceramicznej α-Al2O3 i metalicznej Al (Zn), typowych dla struktury C4. Dodatkowo, na granicy ZnO/RPR wykryto obecność cienkiej (~250 nm) warstwy metastabilnej odmiany δ-Al2O3. Uzyskane wyniki porównano z danymi doświadczalnymi znalezionymi dla próbki po procedurze przepychania kropli, która skutkowała w tworzeniu sie dwóch warstw wykazujących silnie epitaksjalny wzrost: spinelu ZnAl2O4 oraz tlenku aluminium. Dyfrakcje elektronowe pokazały, ze struktura krystaliczna utworzonej Al2O3 odpowiada tetragonalnej fazie delta.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 351-355
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies