Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "88.40.jr" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Thermal Annealing Effect on the Morphology of Inkjet Printed Polymer:Fullerene Composites Solar Cells
Autorzy:
Fauzia, V.
Umar, A.
Salleh, M.
Yahaya, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1490940.pdf
Data publikacji:
2012-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
88.40.jr
81.05.Fb
Opis:
One of critical factor in determining the performance of solar cells is the morphology of the active layer. The drying process of the active layer prepared by inkjet printing technique plays a key role in obtaining high quality surface morphology. This paper reports the effect of thermal annealing on the morphology of printed active layer. The printed active layer is a blend of poly(3-octylthiophene-2,5-diyl) and (6,6)-phenyl $C_{71}$ butyric acid methyl ester dissolved in a mixture of dichlorobenzene:mesitylene. The printed films were then annealed at three different temperatures, namely 120, 140, and 160C for 60 min to obtain the best performance of solar cells. It was found that the performance of solar cells strongly depends on the annealing temperature. The devices with the active layer annealed at 140C exhibits the highest performance with short circuit current density and open circuit voltage as high as 2.88 μA/$cm^2$ and 0.85 V, respectively. The effect of annealing on the properties of printed active layer will be discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1; 155-157
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic and Photovoltaic Properties of p-Si/PCBM:MEH-PPV Organic-Inorganic Hybrid Photodiode
Autorzy:
Yakuphanoglu, F.
Farooq, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505178.pdf
Data publikacji:
2011-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Kk
88.40.jr
Opis:
The photovoltaic and electronic properties of p-Si/poly[2-methoxy,5-(2-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV):[6, 6]-phenyl $C_{61}$-butyric acid methyl ester (PCBM) organic-inorganic device have been investigated. The current-voltage characteristic of p-Si/PCBM:MEH-PPV photodiode includes series resistance effect and the diode indicates a non-ideal behavior. The photovoltaic effect in p-Si/PCBM:MEH-PPV photodiode is based on the formation of excitons and subsequent dissociation and charge collection at the electrodes. It is evaluated that p-Si/PCBM:MEH-PPV device is a photodiode with $V_{oc}$ of 84 mV and $I_{sc}$ of 3.47 nA electronic parameters.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 6; 890-894
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light-Harvesting in Photosynthesis
Autorzy:
Scheer, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1419486.pdf
Data publikacji:
2012-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.47.da
87.14.ep
87.15.M-
88.40.jr
Opis:
A brief survey is given on the elementary reactions of photosynthesis, with an emphasis on the functional separation into reaction centers that perform, after excitation, an ultrafast charge separation across the photosynthetic membrane, and light-harvesting complexes that absorb light and transfer the excitation energy to the reaction centers. The basic concepts are compared to those of photovoltaics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 2; 247-251
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mott-Schottky Analysis of the $P3HT:ZnS_\text{cubic}$ and $P3HT:ZnS_\text{hexa}$ Bulk Heterojunction Solar Cells
Autorzy:
Abdul Kareem, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398356.pdf
Data publikacji:
2016-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
87.85.Rs
73.40.Lq
73.40.Sx
73.50.Pz
73.61.Ga
73.61.Ph
73.63.Bd
81.05.Dz
88.40.jp
88.40.jr
Opis:
Bulk heterojunction solar cells of sphalerite and wurtzite ZnS incorporated P3HT were fabricated and their Mott-Schottky analysis was performed to find the conduction mechanism of the devices. The analysis shows the formation of a Schottky junction and band unpinning at the P3HT:ZnS-Al contact and it confirms the hole conductivity in the active material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 3; 409-413
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies