Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "76.30.Lh" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    On the Symmetry of the Sulfur Pair-Related Defect in Silicon
    Autorzy:
    Bennebroek, M. T.
    Zakrzewski, A.
    Frens, A. M.
    Schmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929739.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.Lh
    71.55.Ht
    Opis:
    A sulfur-related-pair defect in silicon has been studied with optically detected magnetic resonance spectroscopy. Measurement of the angular dependence of the optically detected magnetic resonance signals supplemented by the analysis of the spectrum "quality" yield to the conclusion that the point group symmetry of the defect studied is C$\text{}_{1h}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 725-728
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Study of DI-Hydrogen-Monovacancy Defect in Silicon
    Autorzy:
    Stallinga, P.
    Nielsen, B. B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968423.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.Lh
    76.70.Hb
    76.30.-v
    Opis:
    A careful analysis of the alleged electron paramagnetic resonance spectrum of VH$\text{}_{2}$ in silicon is made. The parameters of this spectrum coincide with those of the well-known excited state (S=1) spectrum of the oxygen vacancy defect. The conclusion is reached that they are one and the same.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 989-992
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Paramagnetic State of Hydrogen-Passivated Double-Donor Centers in Silicon
    Autorzy:
    Gregorkiewicz, T.
    Zevenbergen, I. S.
    Martynov, Yu. V.
    Ammerlaan, C. A. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933751.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.Lh
    61.72.Bb
    76.70.Dx
    Opis:
    Hydrogenation of two double donor centers in silicon - substitutional sulfur and thermal donor - is studied by electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance. For both centers the existence of a new paramagnetic S = 1/2 state identified as the neutral charge state of the double donor passivated with a single hydrogen atom is concluded. The microscopic structure of such complexes is discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 735-738
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
    Autorzy:
    Surma, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Fronc, K.
    Stalinga, P.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    76.30.Lh
    78.66.Fd
    Opis:
    Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron Spin Resonance Studies of Te Doped AlGaAs Epilayers
    Autorzy:
    Surma, M.
    Godlewski, M.
    Żytkiewicz, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923809.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.Lh
    71.55.Eq
    71.25.Mg
    Opis:
    Results of electron spin resonance studies of tellurium doped AlGaAs epilayers are presented. We demonstrate a new approach to the studies of shallow donor-deep DX level transformation upon illumination or with an increase in temperature. The processes can be monitored by observing the changes of magnitude of an unidentified ESR signal of AlGaAs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 817-820
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence of $Cu^{+}$ and $Cu^{2+}$ Ions in CsBr Crystals
    Autorzy:
    Zorenko, Y.
    Voznyak, T.
    Turchak, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1550555.pdf
    Data publikacji:
    2010-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Hh
    76.30.Kg
    76.30.Lh
    76.70.Dx
    Opis:
    The luminescence of $Cu^{+}$ and $Cu^{2+}$ ions in CsBr:Cu and CsBr:$CuBr_{2}$ crystals, respectively, is investigated under excitation by synchrotron radiation in the CsBr fundamental absorption range at 10 K and 300 K. The existence of the luminescence bands of different origin: (i) the intrinsic radiative transition of $Cu^{+}$ ions in the bands peaked at 2.61 eV and 2.23 eV, (ii) the recombination luminescence of $Cu^{2+}$ ions in the bands peaked at 2.55 eV and 2.13 eV, (iii) the luminescence of excitons localized around $Cu^{+}$ and $Cu^{2+}$ ions in the band peaked at 3.08 eV and 3.38 eV, respectively, was found in CsBr:Cu and CsBr:$CuBr_{2}$ crystals. The energies of creation of exciton localized around $Cu^{+}$ and $Cu^{2+}$ ions (6.06 eV and 6.09 eV, respectively, at 10 K) and excitons bound with these ions (5.83 eV and 5.99 eV at 300 K) were determined as well.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 1; 199-202
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Luminescence and EPR Characterisation of Neutron Transmutation Doped Gallium Phosphide
    Autorzy:
    Gołdys, E.
    Godlewski, M.
    Sienkiewicz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879964.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.Hg
    78.55.Cr
    76.30.Lh
    Opis:
    The photoluminescence and EPR measurements of neutron irradiated and annealed GaP samples are presented. Both methods confirm the presence of neutral Ge$\text{}_{Ga}$. The EPR spectrum gives also an indication of interstitial Ge.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 259-262
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    $\text{}^{119}$Sn Hyperfine Fields in RMn$\text{}_{6}$Sn$\text{}_{6}$ (R = Mg, Zr, Hf). Experimental and Theoretical Study
    Autorzy:
    Mazet, T.
    Toboła, J.
    Venturini, G.
    Malaman, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2013348.pdf
    Data publikacji:
    2000-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.60.Jx
    76.30.Lh
    71.15.Mb
    75.20.En
    Opis:
    We performed both $\text{}^{119}$Sn Möossbauer experiments and electronic structure calculations using the Korringa-Kohn-Rostoker method on the hexagonal RMn$\text{}_{6}$Sn$\text{}_{6}$ (R = Mg, Zr, and Hf) compounds. According to previous neutron diffraction results two types of commensurate magnetic order are investigated: ferromagnetic for R = Mg and antiferromagnetic for R = Zr and Hf. From $\text{}^{119}$Sn Möossbauer measurements, high transferred hyperfine fields on the tin nuclei are observed. The H$\text{}_{hf}$ values are well supported by the Korringa-Kohn- Rostoker results. Moreover, the calculated μ$\text{}_{Mn}$ are in good agreement with the neutron diffraction data. When observing the density of states, ZrMn$\text{}_{6}$Sn$\text{}_{6}$ is found near semimetallic limit.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 5; 737-740
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies