Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "73.61.Cw" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Electron Localization in Sb-Doped Si/SiGe Superlattices
    Autorzy:
    Dietl, T.
    Jaroszyński, J.
    Sawicki, M.
    Głód, P.
    Wróbel, J.
    Stöger, G.
    Brunthaler, G.
    Bauer, G.
    Schäffler, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933732.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Cw
    72.15.Rn
    73.20.Fz
    Opis:
    Millikelvin studies of in-plane magnetoconductance in short period Si/Ge:Sb superlattices have been carried out in order to examine the effect of anisotropy on quantum localization. The field-induced metal-to-insulator transition has been observed, indicating the existence of extended states. This suggests that despite anisotropy as large as D $\text{}_{∥}$/D$\text{}_{⊥}$ ≈ 10$\text{}^{3}$ the system behaves as 3D in respect of localization by disorder.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 699-702
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Piezoelectric Effect in Coherently Strained B-Doped (001)SiGe/Si Heterostructures
    Autorzy:
    Knizhny, V. I.
    Mironov, O. A.
    Makarovskii, O. A.
    Braithwaite, G.
    Mattey, N. L.
    Parker, E. H. C.
    Phillips, P. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933806.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.Rb
    73.61.Cw
    73.50.Μx
    Opis:
    We report on two methods which illustrate piezoelectric effects in the strained Si (100)Si $\text{}_{1-x}$/Ge$\text{}_{x}$ system. The non-contact sound excitation technique has been used to reveal the conversion of a high-frequency electric field E into acoustic waves at 77 K which can also be modulated by a dc applied bias voltage (±30 V). The sample was an MBE grown modulation doped Si $\text{}_{0.88}$Ge$\text{}_{0.12}$/(001)Si structure with a carrier sheet density 2.0 × 10 $\text{}^{11}$ cm$\text{}^{-2}$ and a 4.2 K mobility 10500 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$. We deduce that the observed high-frequency electric field acoustic wave conversion is associated with a piezoelectric-like effect possibly due to ordering in the strained SiGe alloy or symmetry breaking effect near Si/SiGe interface. Further evidence is provided by the existence of a piezoelectric phonon interaction in the hot hole energy relaxation mechanism determined from high electric field Shubnikov de Haas He$\text{}^{3}$ low temperature measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 779-782
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Superconducting Transition in Boron Doped Silicon Films
    Autorzy:
    Kociniewski, T.
    Débarre, D.
    Grockowiak, A.
    Kačmarčík, J.
    Marcenat, C.
    Bustarret, E.
    Ortega, L.
    Klein, T.
    Prudon, G.
    Dubois, C.
    Gautier, B.
    Dupuy, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1535297.pdf
    Data publikacji:
    2010-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Dh
    73.61.Cw
    74.70.Ad
    Opis:
    We report on a detailed analysis of the superconducting properties of boron-doped silicon films grown along the 001 direction by gas immersion laser doping. This technique is proved to be a powerful technique to dope silicon in the alloying range 2-10 at.% where superconductivity occurs. The superconducting transitions are sharp and well defined both in resistivity and magnetic susceptibility. The variation of $T_{c}$ on the boron concentration is in contradiction with a classical exponential dependence on superconducting parameters. Electrical measurements were performed in magnetic field on the sample with $c_{B}$ = 8 at.% (400 laser shots) which has the highest $T_{c}$ (0.6 K). No hysteresis was found for the transitions in magnetic field, which is characteristic of a type-II superconductor. The corresponding upper critical field was on the order of 1000 G at low temperatures, much smaller than the value previously reported. The temperature dependence of $H_{c2}$ is very well reproduced by the linearized Gorkov equations neglecting spin effects in the very dirty limit. These measurements in magnetic field allow an estimation of the electronic mean-free path, the coherence length, and the London penetration depth within a simple two-band free electron model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 5; 1026-1027
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies